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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2272页 > MC100LVEL90DW
MC100LVEL90
-3.3V / -5V三重ECL输入
到LVPECL输出转换
描述
该MC100LVEL90是三ECL到LVPECL翻译。该装置
无论是接收
3.3
V或
5
V差分ECL信号,通过确定
V
EE
供应层面,并将其转换为+3.3 V差分LVPECL
输出信号。
为了实现电平转换,将LVEL90需要三个电源
轨。在V
CC
供应连接到正电源,而
V
EE
引脚应连接到负电源。在GND
针,如预期的,被连接到系统接地平面。双方V
EE
和V
CC
应绕过经由0.01至地
mF
电容器。
在打开的输入条件下, D输入将在V偏置
EE
/ 2和
D输入将被拉至V
EE
。该条件将迫使Q输出
到LOW ,确保稳定。
在V
BB
销,内部产生的电源电压,可用于本
唯一设备。对于单端输入的条件下,未使用的差分
输入端被连接到V
BB
作为切换基准电压。 V
BB
还可以
rebias AC耦合输入。在使用时,去耦V
BB
和V
CC
通过
0.01
mF
电容和限制电流源或下沉到0.5毫安。当
不使用时, V
BB
应由开放。
特点
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SO- 20 WB
DW后缀
CASE 751D
标记图*
500 ps的传播延迟
ESD保护: >2 KV HBM , >200 V MM
100系列包含温度补偿
20
100LVEL90
AWLYYWWG
经营范围: V
CC
= 3.0 V至3.8 V ;
V
EE
=
3.0
V到
5.5
V ; GND = 0 V
内部输入下拉电阻
1
A
WL
YY
WW
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
Q输出将默认低,输入开路或在V
EE
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
湿气敏感度;
铅PKG
1级,
无铅PKG
LEVEL 3
有关其他信息,请参见应用笔记AND8003 / D
可燃性等级: UL 94 V - 0 @ 0.125英寸,
氧指数:28 34
晶体管数量= 261设备
*有关其他标识信息,请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
无铅包可用*
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年11月
启示录11
1
出版订单号:
MC100LVEL90/D
MC100LVEL90
V
CC
20
LVPECL
Q0
19
Q0
18
GND Q1
17
LVPECL
16
Q1 GND
15
14
LVPECL
Q2
13
Q2
12
V
CC
11
表1.引脚说明
DN , DN
QN,尺寸Qn
ECL V
BB
V
CC
V
EE
GND
功能
ECL输入
LVPECL输出
ECL参考电压输出
正电源
负电源
ECL
ECL
ECL
1
V
CC
2
D0
3
D0
4
ECL V
BB
5
D1
6
D1
7
ECL V
BB
8
D2
9
D2
10
V
EE
*所有V
CC
销在所述芯片上连接在一起。
警告:所有V
CC
, V
EE
和GND引脚必须在外部
连接到电源,以保证正常运行。
图1.逻辑图和引脚: 20引脚SOIC
( TOP VIEW )
表2.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL电源
NECL电源
NECL模输入电压
输出电流
ECL V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
标准局
20 SOIC
20 SOIC
20 SOIC
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
连续
浪涌
V
I
w
V
EE
条件2
等级
8比0
8
0
6
0
50
100
±
0.5
40
+85
65
+150
90
60
30至35
265
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
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2
MC100LVEL90
表3. NECL输入直流特性
V
CC
= 3.3 V; V
EE
=
3.3
V ; GND = 0V (注1 )
40°C
符号
I
EE
V
IH
V
IL
ECL V
BB
V
IHCMR
特征
V
EE
电源电流
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输出电压参考值
输入高电压共模
范围(差分)(注2)
VPP < 500毫伏
VPP
y
500毫伏
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
600
1165
1810
1.38
典型值
最大
8.0
880
1475
1.26
1165
1810
1.38
25°C
典型值
6.0
最大
8.0
880
1475
1.26
1165
1810
1.38
85°C
典型值
最大
8.0
880
1475
1.26
单位
mA
mV
mV
V
V
EE
+1.3
VEE+1.5
0.4
0.4
150
V
EE
+1.2
VEE+1.4
0.4
0.4
150
V
EE
+1.2
VEE+1.4
0.4
0.4
150
V
V
mA
mA
I
IH
I
IL
0.5
600
0.5
600
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
1.输入参数变化1 : 1与GND 。 V
EE
可以改变
3.0
V到
5.5
V.
2. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
. V
IHCMR
最大变化1 : 1与GND 。
表4. LVPECL输出直流特性
V
CC
= 3.3 V; V
EE
=
3.3
V ; GND = 0V (注3)
40°C
符号
I
CC
V
OH
V
OL
特征
V
CC
电源电流
输出高电压(注4 )
输出低电压(注4 )
2215
1470
2295
1605
典型值
最大
24
2420
1745
2275
1490
25°C
典型值
20
2345
1600
最大
24
2420
1680
2275
1490
2345
1595
85°C
典型值
最大
26
2420
1680
单位
mA
mV
mV
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
3.输出参数发生变化1 : 1与V
CC
. V
CC
可以改变+0.5 V /
0.3
V. V
EE
可以改变
3.0
V到
5.5
V.
4.输出通过一个50终止
W
电阻TO V
CC
2
伏。
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3
MC100LVEL90
表5. AC特性
V
CC
= 3.0 V至3.8 V ; V
EE
=
3.0
V到
5.5
V ; GND = 0 V
40°C
符号
FMAX
t
PLH
t
PHL
t
SKEW
特征
最大切换频率
传播延迟
D到Q
SKEW
差异
S.E.
390
340
20
25
待定
150
1000
150
典型值
560
590
640
100
200
420
370
20
25
待定
1000
150
最大
25°C
典型值
650
620
670
100
200
460
410
20
25
待定
1000
最大
85°C
典型值
700
660
710
100
200
最大
单位
兆赫
ps
ps
输出至输出(注5 )
部分到部分(DIFF ) (注5 )
占空比(差异) (注6 )
tjitter
V
PP
t
r
t
f
随机时钟抖动
输入电压摆幅(差分配置)
(注7 )
输出上升/下降时间Q
(20%
80%)
ps
mV
ps
230
500
230
500
230
500
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.歪斜是跨特定电压范围内有效,部件到部件歪斜是对于给定的温度下进行。
6.占空比歪斜是通过一个装置的TPLH和tPHL传播延迟之间的差异。
7. V
PP
(分钟)是测量摆动的单端对每个输入的差分配置。该装置具有一个直流增益
≈40.
Q
司机
设备
Q
Z
o
= 50
W
D
接收器
设备
Z
o
= 50
W
50
W
50
W
D
V
TT
V
TT
= V
CC
2.0 V
图2.典型终端的输出驱动器和设备评估
(参见应用笔记AND8020 / D
终止ECL逻辑器件)。
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4
MC100LVEL90
订购信息
设备
MC100LVEL90DW
MC100LVEL90DWG
MC100LVEL90DWR2
MC100LVEL90DWR2G
SOIC20
SOIC20
(无铅)
SOIC20
SOIC20
(无铅)
38单位/铁
38单位/铁
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
应用笔记的资源引用
AN1405/D
AN1406/D
AN1503/D
AN1504/D
AN1568/D
AN1672/D
AND8001/D
AND8002/D
AND8020/D
AND8066/D
AND8090/D
ECL时钟分配技术
与PECL ( ECL在+ 5.0V)设计
ECLinPS的I / O SPICE建模工具
亚稳态和ECLinPS系列
接口之间LVDS和ECL
该ECL翻译指南
奇数计数器设计
标志和日期代码
终止ECL逻辑器件
与ECLinPS接口
ECL器件的交流特性
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5
摩托罗拉
半导体技术资料
三重ECL到PECL翻译
该MC100LVEL / EL90是一款三ECL到PECL翻译。该装置
接收标准或低电压差分ECL信号
并将它们转换为标准或低电压差分PECL输出
信号。该LVEL设备能处理的低电压信号,而在EL
设备被设计用于的标准信号。它可以具有低
在一侧上的电压信号,另一方面,如果标准信号
LVEL90被使用。
MC100LVEL90
MC100EL90
500ps的传输延迟
全差分设计
支持标准和低电压操作
20引脚SOIC封装
20
1
一个VBB输出提供了与单端ECL信号接口
在输入端。如果一个单端输入将要使用的VBB的输出应
连接到D输入端。激活的信号,然后将驱动器的D输入。
当使用的VBB输出应绕过通过0.01μF到地
电容。在VBB输出被设计为充当转换基准
对于单端输入切换条件下的EL90 ,其结果
该引脚只能源/汲入电流0.5毫安。
为了实现电平转换的EL / LVEL90需要三个
电源轨。 VCC电源应该被连接到正电源,
和VEE引脚应连接到负电源。该
GND引脚预期连接到系统接地平原。两
VEE和VCC应绕过通过0.01μF的电容。
在打开的输入条件下, D输入将被偏置在VEE / 2和
D输入将被拉至VEE 。该条件将迫使Q输出到一个
低,保稳定。
DW后缀
塑料SOIC封装
CASE 751D -04
引脚名称
引脚
Dn
Qn
VBB
功能
ECL输入
PECL输出
ECL参考电压输出
逻辑图和引脚: 20引脚SOIC
( TOP VIEW )
VCC
20
PECL
Q0
19
Q0
18
GND
17
PECL
Q1
16
Q1
15
GND
14
PECL
Q2
13
Q2
12
VCC
11
ECL
ECL
ECL
1
VCC
2
D0
3
D0
4
VBB
5
D1
6
D1
7
VBB
8
D2
9
D2
10
VEE
7/95
摩托罗拉公司1996年
4–1
REV 1
MC100LVEL90 MC100EL90
ECL输入直流特性
–40°C
符号
VEE
IIH
IIL
VPP
VIH
VIL
VBB
IEE
0°C
–4.2
–3.0
25°C
最大
–5.5
–3.8
150
85°C
最大
–5.5
–3.8
150
特征
电源
电压
输入高电流
输入低电平电流
最小的峰 - 峰值
输入
1
输入高电压
输入低电压
参考输出
电源电流
EL90
LVEL90
–4.2
–3.0
最大
–5.5
–3.8
150
–4.2
–3.0
典型值
–4.2
–3.0
最大
–5.5
–3.8
150
单位
V
A
A
mV
条件
0.5
150
–1165
–1810
–1.38
–880
–1475
–1.26
8.0
0.5
150
–1165
–1810
–1.38
–880
–1475
–1.26
8.0
0.5
150
–1165
–1810
–1.38
6.0
–880
–1475
–1.26
8.0
0.5
150
–1165
–1810
–1.38
–880
–1475
–1.26
8.0
V
V
V
mA
1. 150mV的输入,保证充分的逻辑摆幅输出。
LVPECL输出直流特性
–40°C
符号
VCC
VOH
VOL
特征
电源电压
输出高电压
1
输出低电压
1
3.0
2.215
1.47
最大
3.8
2.42
1.745
24
3.0
2.275
1.49
0°C
最大
3.8
2.42
1.68
24
3.0
2.275
1.49
25°C
典型值
3.3
2.35
1.60
20
最大
3.8
2.42
1.68
24
85°C
3.0
2.275
1.49
最大
3.8
2.42
1.68
26
单位
V
V
V
mA
VCC = 3.3V
VCC = 3.3V
条件
IGND
电源电流
1.水平会有所不同的1:1的VCC 。
PECL输出直流特性
–40°C
符号
VCC
VOH
VOL
特征
电源电压
输出高电压
1
输出低电压
1
4.75
3.915
3.17
最大
5.25
4.12
3.445
24
4.75
3.975
3.19
0°C
最大
5.25
4.12
3.38
24
4.75
3.975
3.19
4.05
3.30
20
25°C
典型值
最大
5.25
4.12
3.38
24
85°C
4.75
3.975
3.19
最大
5.25
4.12
3.38
26
单位
V
V
V
mA
VCC = 5.0V
VCC = 5.0V
条件
IGND
电源电流
1.水平会有所不同的1:1的VCC 。
摩托罗拉
4–2
ECLinPS和ECLinPS精简版
DL140 - 牧师3
MC100LVEL90 MC100EL90
MC100LVEL90
AC特性
( VEE = -3.0V至-3.8V ; VCC = 3.0V至3.8V )
–40°C
符号
TPLH
的TPH1
TSKEW
特征
传播延迟
D到Q
差异
S.E.
390
340
20
25
150
SEE
4
230
–0.4
500
150
SEE
4
230
–0.4
500
典型值
最大
590
640
100
200
410
360
20
25
150
SEE
4
230
–0.4
500
0°C
典型值
最大
610
660
100
200
420
370
20
25
150
SEE
4
230
–0.4
500
25°C
典型值
最大
620
670
100
200
460
410
20
25
mV
V
ps
85°C
典型值
最大
660
710
100
200
单位
ps
ps
斜输出至输出
1
部分到部分(DIFF )
1
占空比(差异)
2
最小输入摆幅
3
共模范围
4
输出上升/下降时间Q
(20% – 80%)
VPP
VCMR
tr
tf
1.
2.
3.
4.
歪斜是跨特定电压范围内有效,部件到部件歪斜是对于给定的温度下进行。
占空比歪斜是通过一个装置的tPLH的和tPHL传播延迟之间的差异。
最小输入摆幅为其中AC参数保证。该装置具有一个直流增益
≈40.
CMR中的范围是相对于所述差分输入信号的最积极的一面。如果高电平落入获得正常操作
在指定的范围和峰 - 峰电压位于VPPmin和1V之间。 VCMRmin取决于VEE , VPP和温度。在
VPP <为500mV和-40 ° C, VCMR是VEE + 1.3V ;并为0-85 ° C, VCMR是VEE + 1.2V 。在VPP
为500mV和-40 ° C, VCMR是VEE + 1.5V ;和
0-85 ° C, VCMR是VEE + 1.4V 。
MC100EL90
AC特性
( VEE = -4.20V至-5.5V ; VCC = 4.5V至5.5V )
–40°C
符号
TPLH
的TPH1
TSKEW
特征
传播延迟
D到Q
差异
S.E.
390
340
20
25
150
SEE
4
230
–0.4
500
150
SEE
4
230
–0.4
500
典型值
最大
590
640
100
200
410
360
20
25
150
SEE
4
230
–0.4
500
0°C
典型值
最大
610
660
100
200
420
370
20
25
150
SEE
4
230
–0.4
500
25°C
典型值
最大
620
670
100
200
460
410
20
25
mV
V
ps
85°C
典型值
最大
660
710
100
200
单位
ps
ps
斜输出至输出
1
部分到部分(DIFF )
1
占空比(差异)
2
最小输入摆幅
3
共模范围
4
输出上升/下降时间Q
(20% – 80%)
VPP
VCMR
tr
tf
1.
2.
3.
4.
歪斜是跨特定电压范围内有效,部件到部件歪斜是对于给定的温度下进行。
占空比歪斜是通过一个装置的tPLH的和tPHL传播延迟之间的差异。
最小输入摆幅为其中AC参数保证。该装置具有一个直流增益
≈40.
CMR中的范围是相对于所述差分输入信号的最积极的一面。如果高电平落入获得正常操作
在指定的范围和峰 - 峰电压位于VPPmin和1V之间。 VCMRmin取决于VEE , VPP和温度。在
VPP <为500mV和-40 ° C, VCMR是VEE + 1.3V ;并为0-85 ° C, VCMR是VEE + 1.2V 。在VPP
为500mV和-40 ° C, VCMR是VEE + 1.5V ;和
0-85 ° C, VCMR是VEE + 1.4V 。
ECLinPS和ECLinPS精简版
DL140 - 牧师3
4–3
摩托罗拉
MC100LVEL90 MC100EL90
外形尺寸
DW后缀
塑料SOIC封装
CASE 751D -04
问题E
–A
20
11
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.150
( 0.006 ),每边。
5.尺寸D不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出0.13
( 0.005 )总计超过D尺寸
在最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
12.65 12.95
7.40
7.60
2.35
2.65
0.35
0.49
0.50
0.90
1.27 BSC
0.25
0.32
0.10
0.25
10.05 10.55
0.25
0.75
英寸
最大
0.499 0.510
0.292 0.299
0.093 0.104
0.014 0.019
0.020 0.035
0.050 BSC
0.010 0.012
0.004 0.009
0.395 0.415
0.010 0.029
–B
1
10
P
10 PL
0.010 (0.25)
M
B
M
D
20 PL
J
M
0.010 (0.25)
T
A
S
B
S
F
R
X 45°
C
–T
G
18 PL
座位
飞机
K
M
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4–4
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