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ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
http://onsemi.com
评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板,顶部和底部的视图,它
可以以几种不同的方式进行配置,这取决于
被测设备(见表1配置列表) 。
该评估板手册包含:
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表,其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂(双)电源(图2 。
评估板糊) 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中,一个分开的(双)电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质,其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件(DUT ),以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号:
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
LAY -UP细节
4层
丝印层(TOP SIDE )
0.062
$
0.007
第1层(TOP SIDE )
罗杰斯4003在0.008
第2层(地面和VEE面P1 ) 1盎司
FR-4在0.020
第3层(地面和VCC平面P2 ) 1盎司
FR-4在0.025
第4层(底部)
图2.评估板糊
电路板布局
8引脚SOIC评估板被设计成
多才多艺,适应多种不同的配置。
的输入,输出和电源引脚的评价布局
板示于图3.评价板具有至少
11可能的配置选项。表1.清单
的设备和利用该印刷电路板相关的配置
板。组件和简单的原理图的列表位于
图4通过J1 14.将SMA连接器
通过J7 , 50
W
通过R7 R1上贴片电阻和芯片
通过电容C4根据配置C1
数字。 ( C1和C2是0.01
mF
和C3和C4是0.1
MF) 。
顶视图
底部视图
图3.评估板布局
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2
ECLSOIC8EVB
表1.配置列表
ECLinPS LiteE
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL04D/MC100EL04D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL07D/MC100EL07D
MC10EL11D/MC100EL11D
MC10EL12D/MC100EL12D
MC10EL16D/MC100EL16D*
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL32D/MC100EL32D
MC10EL33D/MC100EL33D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC10EL58D/MC100EL58D
MC10EL89D/MC100EL89D
MC10ELT20D/
MC100ELT20D
MC10ELT21D/
MC100ELT21D
MC10ELT22D/
MC100ELT22D
MC100ELT23D
MC10ELT26D/
MC100ELT26D
MC10ELT28D/
MC100ELT28D
评论
参见图4
参见图5
参见图4
参见图5
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
见图14
CON组fi guration
1
2
1
2
3
3
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
11
MC100EP16FD*
MC10EP16TD/
MC100EP16TD*
MC100EP16VAD*
MC100EP16VBD*
MC100EP16VCD*
MC100EP16VSD*
MC100EP16VTD*
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP32D/MC100EP32D
MC10EP33D/MC100EP33D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
MC10EP58D/MC100EP58D
MC100EP89D
MC10EPT20D/
MC100EPT20D
MC100EPT21D*
MC100EPT22D
低电压ECLinPSE
设备
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL11D
MC100LVEL12D
MC100LVEL16D*
MC100LVEL31D
MC100LVEL32D
MC100LVEL33D
MC100LVEL51D
MC100LVEL58D
MC100LVELT22D
MC100LVELT23D
评论
参见图4
参见图4
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图8
见图11
见图12
CON组fi guration
1
1
3
3
2
1
4
4
1
5
8
9
NB6L11D
NB6L16D
设备
ECLinPS MAXE
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100LVEP11D
MC100LVEP16D*
低电压ECLinPS加
设备
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100EPT23D*
MC100EPT26D*
参见图5
参见图5
参见图5
参见图5
参见图8
参见图5
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
2
2
2
2
5
2
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
设备
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP11D/MC100EP11D
MC10EP16D/
MC100EP16D*
ECLinPS PLUSE
评论
参见图4
参见图4
参见图4
参见图6
参见图5
CON组fi guration
1
1
1
3
2
*请参阅附录的补充或修改,以当前
配置。
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3
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔,它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置(见表1配置列表) 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率,降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试,分裂(双)电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号(V
TT
= V
CC
- 2.0 V,在分离电源设置,V
TT
是系统接地,V
CC
是2.0伏,和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 :电源电平) 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND)通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器(上终止的更多信息在提供
AN8020 ) 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入,
R 2, R 3 ,R 4 ,R 6和R 7 ,根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板,焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大,并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后,建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计(TDR )是另一个强烈推荐
验证测试。
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4
ECLSOIC8EVB
CON连接gurations
V
CC
GND
C4
0.1
mF
R1
50
W
J1
R2
50
W
J2
R3
50
W
J3
R4
50
W
J4
C1
0.01
mF
DUT
J5
C2
0.01
mF
J6
C3
0.1
mF
V
EE
GND
图4.配置1示意图
表4.配置1
销1
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL31D
MC100LVEL51D
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
No
是的
No
是的
是的
J1
R1
销2
J2
R2
3脚
J3
R3
引脚4
J4
R4
5脚
C2
C3
引脚6
J6
R6
7针
J7
R7
引脚8
C1
C4
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5
MC100LVEL16
3.3V ECL差分
接收器
描述
该MC100LVEL16是差分接收器。该装置是
功能上等同于EL16设备,从3.3 V操作
供应量。该LVEL16表现出更广泛的V
IHCMR
范围比EL16
对口。随着输出转换时间和传输延迟
媲美的EL16的LVEL16非常适合于接口
与3.3 V电源的高频率源。
在打开的输入条件下, Q输入将被拉低到V
EE
和Q输入端将被偏置到V
CC
/ 2 。该条件将迫使
Q输出低电平。
在V
BB
销,内部产生的电源电压,提供给
仅此设备。对于单端输入条件,未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时,去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时,V
BB
应由开放。
特点
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记号
DIAGRAMS *
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
8
KVL16
ALYW
G
1
8
KV16
ALYWG
G
1
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
A
L
Y
W
M
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=日期代码
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*有关其他标识信息,请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年12月,
启5
1
出版订单号:
MC100LVEL16/D
4B M
G
G
4
300 ps的传播延迟
高带宽输出转换
100系列包含温度补偿
PECL模式经营范围: V
CC
= 3.0 V至3.8 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围: V
CC
= 0 V
随着V
EE
=
3.0
V到
3.8
V
内部输入下拉电阻上的D,上拉和下拉
对D-电阻器
Q输出将默认低,输入开路或在V
EE
无铅包可用
1
MC100LVEL16
表1.引脚说明
NC
1
8
V
CC
D, D
Q, Q
V
BB
V
CC
V
EE
NC
EP
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
参考电压输出
正电源
负电源
无连接
裸露焊盘必须连接
到足够的热导管。
电连接到所述最
负电源或悬空
开。
D
2
7
Q
D
3
6
Q
V
BB
4
5
V
EE
图1.逻辑图和引脚分配
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
75千瓦
& GT ; 4千伏
> 400 V
& GT ; 2千伏
LEVEL 1
氧指数:28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
79
湿度敏感度(注1 )
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.请参考应用笔记AND8003 / D的其他信息。
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2
MC100LVEL16
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
SO8
SO8
SO8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
DFN8
DFN8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
V
I

V
EE
条件2
等级
8比0
8
0
6比0
6
0
50
100
±
0.5
40
+85
65
+150
190
130
41至44
±
5%
185
140
41至44
±
5%
129
84
265
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
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3
MC100LVEL16
表4. LVPECL直流特性
V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0.0 V(注2 )
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压(注3 )
输出低电压(注3 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输出电压参考值
输入高电压共模
范围(差分) (注4 )
VPP < 500毫伏
VPP
y
500毫伏
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
600
2215
1470
2135
1490
1.92
典型值
17
2295
1605
最大
23
2420
1745
2420
1825
2.04
2275
1490
2135
1490
1.92
25°C
典型值
17
2345
1595
最大
23
2420
1680
2420
1825
2.04
2275
1490
2135
1490
1.92
85°C
典型值
18
2345
1595
最大
24
2420
1680
2420
1825
2.04
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
1.2
1.5
2.9
2.9
150
1.1
1.4
2.9
2.9
150
1.1
1.4
2.9
2.9
150
V
V
mA
mA
mA
I
IH
I
IL
0.5
600
0.5
600
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 : 1与V
CC
. V
EE
可以改变
±0.3
V.
3.输出通过一个50终止
W
电阻TO V
CC
2 V.
4. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
,最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分输入信号的最积极的一面。
如果高电平落在指定的范围内的峰 - 峰电压位于V之间获得正常操作
PP
分和1 V.
表5. LVNECL直流特性
V
CC
= 0.0 V; V
EE
=
3.3
V(注5 )
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压(注6 )
输出低电压(注6 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输出电压参考值
输入高电压共模
范围(差分) (注7 )
VPP < 500毫伏
VPP
y
500毫伏
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
600
1085
1830
1165
1810
1.38
典型值
17
1005
1695
最大
23
880
1555
880
1475
1.26
1025
1810
1165
1810
1.38
25°C
典型值
17
955
1705
最大
23
880
1620
880
1475
1.26
1025
1810
1165
1810
1.38
85°C
典型值
18
955
1705
最大
24
880
1620
880
1475
1.26
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
2.1
1.8
0.4
0.4
150
2.2
1.9
0.4
0.4
150
2.2
1.9
0.4
0.4
150
V
V
mA
mA
mA
I
IH
I
IL
0.5
600
0.5
600
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入和输出参数的变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以改变
±0.3
V.
6.输出通过一个50终止
W
电阻TO V
CC
2 V.
7. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
,最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分输入信号的最积极的一面。
如果高电平落在指定的范围内的峰 - 峰电压位于V之间获得正常操作
PP
分和1 V.
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4
MC100LVEL16
表6. AC特性
V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0.0 V或V
CC
= 0.0 V; V
EE
=
3.3
V(注8)
40°C
符号
f
最大
t
PLH
t
PHL
t
SKEW
t
抖动
V
PP
t
r
t
f
特征
最大切换频率
传播延迟到输出
迪FF erential
单端
150
100
典型值
1.75
275
275
5
0.7
150
120
220
1000
320
150
120
220
400
450
30
225
175
最大
25°C
典型值
1.75
300
300
5
0.7
1000
320
150
120
220
375
425
20
240
190
最大
85°C
典型值
1.75
315
315
5
0.7
1000
320
390
440
20
最大
单位
GHz的
ps
占空比偏移(差) (注9 )
随机时钟抖动( RMS)
输入摆幅(注10 )
输出上升/下降时间Q
(20%
80%)
ps
ps
mV
ps
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8. V
EE
可以改变
±0.3
V.
9.占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
10. V
PP(
分)是最小输入摆幅其中AC参数保证。该装置具有一个直流增益
≈40.
Q
司机
设备
Q
Z
o
= 50
W
D
接收器
设备
Z
o
= 50
W
50
W
50
W
D
V
TT
V
TT
= V
CC
2.0 V
图2.典型终端的输出驱动器和设备评估
(参见应用笔记AND8020 / D
终止ECL逻辑器件)。
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5
摩托罗拉
半导体技术资料
差分接收器
该MC100LVEL16是差分接收器。该装置在功能上
相当于EL16装置,从低电压电源供电。该
LVEL16表现出更广泛的范围内CMR比EL16对应。同
输出转换时间和传输延迟相媲美的EL16
在LVEL16非常适合用在高频率源接口
3.3V电源。
该LVEL16提供VBB输出为任一单端使用,或作为
直流偏置的交流耦合到设备。 VBB引脚应仅用于
作为一个偏置为LVEL16作为其灌/拉电流能力是有限的。
当使用时, VBB引脚应通过一个0.01μF旁路到地
电容。
在打开的输入条件下, Q输入将被拉低至VEE和
在Q输入被偏置到VCC / 2 。该条件将迫使Q输出
低。
MC100LVEL16
8
1
为300ps传输延迟
高带宽输出转换
75KΩ内部输入下拉电阻
>2000V ESD保护
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751-05
逻辑框图和引脚转让
NC 1
8
VCC
D
2
7
Q
引脚说明
D
3
6
Q
D
Q
VBB
功能
数据输入
数据输出
参考文献。电压输出
VBB
4
5
VEE
5/96
摩托罗拉公司1996年
4–1
REV 0
MC100LVEL16
DC特性
( VEE = VEE (分钟)至VEE (最大值) ; VCC = GND)的
–40°C
符号
IEE
VBB
VEE
IIH
IIL
特征
电源电流
输出参考电压
电源电压
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–600
–1.38
–3.0
–3.3
典型值
17
最大
23
–1.26
–3.8
150
0.5
–600
–1.38
–3.0
–3.3
0°C
典型值
17
最大
23
–1.26
–3.8
150
0.5
–600
–1.38
–3.0
–3.3
25°C
典型值
17
最大
23
–1.26
–3.8
150
0.5
–600
–1.38
–3.0
–3.3
85°C
典型值
18
最大
24
–1.26
–3.8
150
单位
mA
V
V
A
A
AC特性
( VEE = VEE (分钟)至VEE (最大值) ; VCC = GND)的
–40°C
符号
TPLH
的TPH1
TSKEW
VPP
VCMR
特征
传播延迟
输出
( DIFF )
( SE )
占空比偏移
1
( DIFF )
最小输入摆幅
2
共模范围
3
VPP <为500mV
VPP
500mV
150
–2.0
–1.8
–0.4
–0.4
150
100
典型值
275
275
5
最大
400
450
30
150
–2.1
–1.9
–0.4
–0.4
215
165
0°C
典型值
290
290
5
最大
365
415
20
150
–2.1
–1.9
–0.4
–0.4
225
175
25°C
典型值
300
300
5
最大
375
425
20
150
–2.1
–1.9
–0.4
–0.4
240
190
85°C
典型值
315
315
5
最大
390
440
20
ps
mV
V
单位
ps
tr
输出上升/下降时间Q
120
220
320
120
220
320
120
220
320
120
220
320
ps
tf
(20% – 80%)
1.占空比歪斜是通过一个装置的TPLH和tPHL传播延迟之间的差异。
2.最小输入摆幅其中AC参数保证。该装置具有一个直流增益
≈40.
3. CMR的范围是相对于所述差分输入信号的最积极的一面。如果高电平落入获得正常操作
在指定的范围和峰 - 峰电压位于VPPmin和1V之间。 CMR中范围的下端而变化的1:1的VEE 。该
在规格表中的数字假定名义VEE = -3.3V 。请注意PECL操作, VCMR (分)将其固定在3.3V - | VCMR (分钟) | 。
摩托罗拉
4–2
ECLinPS和ECLinPS精简版
DL140 - 牧师3
MC100LVEL16
外形尺寸
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751-05
ISSUE M
–A–
8
5
–B–
1
4
4X
P
0.25 (0.010)
M
B
M
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.18
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
最大
0.189
0.196
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.007
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.229
0.244
0.010
0.019
C
–T–
8X
座位
飞机
R
X 45
_
F
D
0.25 (0.010)
M
K
T B
M
_
S
J
S
A
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ECLinPS和ECLinPS精简版
DL140 - 牧师3
4–3
*MC100LVEL16/D*
MC100LVEL16/D
摩托罗拉
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