ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
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评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板，顶部和底部的视图，它
可以以几种不同的方式进行配置，这取决于
被测设备（见表1配置列表） 。
该评估板手册包含：
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表，其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂（双）电源（图2 。
评估板糊） 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中，一个分开的（双）电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质，其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件（DUT ），以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号：
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔，它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置（见表1配置列表） 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率，降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试，分裂（双）电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号（V
TT
= V
CC
- 2.0 V，在分离电源设置，V
TT
是系统接地，V
CC
是2.0伏，和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 ：电源电平） 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND）通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器（上终止的更多信息在提供
AN8020 ） 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入，
R 2， R 3 ，R 4 ，R 6和R 7 ，根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板，焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大，并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后，建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计（TDR ）是另一个强烈推荐
验证测试。
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4
MC100LVEL11
3.3V的ECL 1:2
差分扇出缓冲器
描述
该MC100LVEL11为差动1 ： 2扇出缓冲器。该装置是
功能上类似于E111设备，但具有更高的性能
的能力。具有在设备倾斜和输出转换时间
在E111显著改善， LVEL11非常适合于
这些应用程序需要极致的AC性能。
该LVEL11的差分输入采用钳位电路
保持开放的输入条件下的稳定性。如果输入开路
（上拉至V
EE
）的Q输出将变低。
特点
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记号
DIAGRAMS *
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
8
KVL11
ALYW
G
1
1
Q
0
1
8
V
CC
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
A
L
Y
W
M
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=日期代码
= Pb-Free包装
Q
0
2
7
D
Q
1
3
6
D
（注：微球可在任一位置）
Q
1
4
5
V
EE
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
图1.逻辑图和引脚分配
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年12月，
启8
1
出版订单号：
MC100LVEL11/D
3Z M
G
G
4
330 ps的传播延迟
输出之间的5 ps的偏移
高带宽输出转换
100系列包含温度补偿
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至3.8 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
=
3.0
V到
3.8
V
内部输入下拉电阻
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
无铅包可用
8
KV11
ALYWG
G
1
MC100LVEL11
表1.引脚说明
针
Q0, Q0; Q1, Q1
D, D
V
CC
V
EE
EP
ECL输出数据
ECL数据输入
正电源
功能
表2. ATTRIBUTES
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
充电器型号
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
波峰焊
Pb
无铅
0 lpfm
500 LPFM
标准局
0 lpfm
500 LPFM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
DFN8
DFN8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
V
I
V
EE
条件2
等级
8比0
8
0
6比0
6
0
50
100
40
+85
65
+150
190
130
41至44
±
5%
185
140
41至44
±
5%
129
84
265
265
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
负电源
裸露焊盘必须被连接到一个足够的热
导管。电连接到负电源
或离开浮开放。
特征
价值
75千瓦
75千瓦
＆ GT ; 4千伏
> 400 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
63
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2
MC100LVEL11
表4. LVPECL直流特性
V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0.0 V（注2 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注3 ）
输出低电压（注3 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分） （注7 ）
V
pp
< 500毫伏
V
pp
y
500毫伏
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
600
2215
1470
2135
1490
民
典型值
24
2295
1605
最大
28
2420
1745
2420
1825
2275
1490
2135
1490
民
25°C
典型值
24
2345
1595
最大
28
2420
1680
2420
1825
2275
1490
2135
1490
民
85°C
典型值
25
2345
1595
最大
30
2420
1680
2420
1825
单位
mA
mV
mV
mV
mV
1.2
1.4
3.1
3.1
150
1.1
1.3
3.1
3.1
150
1.1
1.3
3.1
3.1
150
V
V
mA
mA
mA
I
IH
I
IL
0.5
600
0.5
600
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变
±0.3
V.
3.输出通过一个50终止
W
电阻TO V
CC
2.0 V.
4. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
，最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分输入信号的最积极的一面。
如果高电平落在指定的范围内的峰 - 峰电压位于V之间获得正常操作
PP
分和1.0 V.
表5. LVNECL直流特性
V
CC
= 0.0 V; V
EE
=
3.3
V（注5 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注6 ）
输出低电压（注6 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分） （注7 ）
V
pp
< 500毫伏
V
pp
y
500毫伏
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
600
108
5
183
0
1165
181
0
民
典型值
24
100
5
169
5
最大
28
880
155
5
880
147
5
102
5
181
0
1165
181
0
民
25°C
典型值
24
955
170
5
最大
28
880
162
0
880
147
5
102
5
181
0
1165
181
0
民
85°C
典型值
25
955
170
5
最大
30
880
162
0
880
147
5
单位
mA
mV
mV
mV
mV
2.1
1.9
0.2
0.2
150
2.2
2.0
0.2
0.2
150
2.2
2.0
0.2
0.2
150
V
V
mA
mA
mA
I
IH
I
IL
0.5
600
0.5
600
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变
±0.3
V.
6.输出通过一个50终止
W
电阻TO V
CC
2.0 V.
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
，最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分输入信号的最积极的一面。
如果高电平落在指定的范围内的峰 - 峰电压位于V之间获得正常操作
PP
分和1.0 V.
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3
MC100LVEL11
表6. AC特性
V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0.0 V或V
CC
= 0.0 V; V
EE
=
3.3
V（注8）
40°C
符号
f
最大
t
PLH
t
PHL
t
SKEW
特征
最大切换频率
传播延迟到输出
在-设备倾斜（注9 ）
设备到设备（注10 ）
占空比歪斜（注11 ）
随机时钟抖动（ RMS）
输入摆幅（注12 ）
输出上升/下降时间Q
(20%
80%)
200
120
1000
320
200
120
235
5
10
385
20
150
20
255
民
典型值
最大
民
25°C
典型值
1.0
330
5
10
0.6
1000
220
320
200
120
1000
320
405
20
150
20
285
5
10
435
20
150
20
最大
民
85°C
典型值
最大
单位
GHz的
ps
ps
t
抖动
V
PP
t
r
t
f
ps
mV
ps
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8. V
EE
可以改变
±0.3
V.
9.在设备偏斜定义为通过一个类似的装置相同的路径转变。
10.设备到设备的歪斜相同的过渡，在相同的V
CC
的水平。
11.占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
12. V
PP
（MIN）为最小输入摆幅其中AC参数保证。该设备将正常低于200 mV的输入摆幅，
然而，交流延迟可能移动了规定的范围外。该装置具有一个直流增益
≈40.
800
600
VOUT （PP） （毫伏）
400
200
0
0
200
400
600
800
1000
F（兆赫）
1200
1400
1600
1800
2000
图2.输出摆幅与频率
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4
MC100LVEL11
订购信息
设备
MC100LVEL11D
MC100LVEL11DG
MC100LVEL11DR2
MC100LVEL11DR2G
MC100LVEL11DT
MC100LVEL11DTG
MC100LVEL11DTR2
MC100LVEL11DTR2G
MC100LVEL11MNR4
MC100LVEL11MNR4G
包
SOIC8
SOIC8
（无铅）
SOIC8
SOIC8
（无铅）
TSSOP8
TSSOP8
（无铅）
TSSOP8
TSSOP8
（无铅）
DFN8
DFN8
（无铅）
航运
98单位/铁
98单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
100单位/铁
100单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
应用笔记的资源引用
AN1405/D
AN1406/D
AN1503/D
AN1504/D
AN1568/D
AN1672/D
AND8001/D
AND8002/D
AND8020/D
AND8066/D
AND8090/D
ECL时钟分配技术
与PECL （ ECL在+ 5.0V）设计
ECLinPSt I / O SPICE建模工具
亚稳态和ECLinPS系列
接口之间LVDS和ECL
该ECL翻译指南
奇数计数器设计
标志和日期代码
终止ECL逻辑器件
与ECLinPS接口
ECL器件的交流特性
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摩托罗拉
半导体技术资料
低电压
1 ： 2差分扇出缓冲器
该MC100LVEL11为差动1 ： 2扇出缓冲器。该装置是
功能上类似于E111设备，但具有更高的性能
的能力。具有在设备倾斜和输出转换时间
在E111显著改善， LVEL11非常适合于
这些应用程序需要极致的AC性能。
该LVEL11的差分输入采用钳位电路
保持开放的输入条件下的稳定性。如果输入开路
（拉至VEE ）的Q输出将变低。
MC100LVEL11
8
1
330ps传输延迟
输出之间的偏斜5马力
高带宽输出转换
75KΩ内部输入下拉电阻
>2000V ESD保护
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751-05
逻辑框图和引脚转让
引脚说明
Q0
1
8
VCC
针
功能
数据输入
数据输出
Q0
2
7
D
D
Q0, Q1
Q1
3
6
D
Q1
4
5
VEE
DC特性
（ VEE = VEE （分钟）至VEE （最大值） ; VCC = GND）的
–40°C
符号
IEE
VEE
IIH
IIL
特征
电源电流
电源电压
输入高电流
输入低电平电流
Dn
Dn
0.5
–600
–3.0
民
典型值
24
–3.3
最大
28
–3.8
150
0.5
–600
–3.0
民
0°C
典型值
24
–3.3
最大
28
–3.8
150
0.5
–600
–3.0
民
25°C
典型值
24
–3.3
最大
28
–3.8
150
0.5
–600
–3.0
民
85°C
典型值
25
–3.3
最大
30
–3.8
150
单位
mA
V
A
A
1/96
摩托罗拉公司1996年
4–1
REV 0
MC100LVEL11
AC特性
（ VEE = VEE （分钟）至VEE （最大值） ; VCC = GND）的
–40°C
符号
TPLH
的TPH1
TSKEW
VPP
VCMR
特征
传播延迟
产量
在智能设备倾斜
1
占空比偏移
2
最小输入摆幅
3
共模范围
4
VPP <为500mV
VPP
≥
500mV
输出上升/下降时间Q
(20% – 80%)
200
–2.1
–1.9
120
–0.2
–0.2
320
民
235
5
5
典型值
最大
385
20
20
200
–2.2
–2.0
120
–0.2
–0.2
320
民
245
5
5
0°C
典型值
最大
395
20
20
200
–2.2
–2.0
120
220
–0.2
–0.2
320
民
255
25°C
典型值
330
5
5
最大
405
20
20
200
–2.2
–2.0
120
–0.2
–0.2
320
ps
民
285
5
5
85°C
典型值
最大
435
20
20
单位
ps
ps
mV
V
tr
tf
1.在设备偏斜定义为通过一个类似的装置相同的路径转变。
2.占空比歪斜是通过一个装置的TPLH和tPHL传播延迟之间的差异。
3.最小输入摆幅其中AC参数保证。该设备将正常工作低于200mV的，然而， AC输入摆动
延迟可移动的规定范围之外。该装置具有一个直流增益
≈40.
4. CMR的范围是相对于所述差分输入信号的最积极的一面。如果高电平落入获得正常操作
在指定的范围和峰 - 峰电压位于VPPmin和1V之间。 CMR中范围的下端而变化的1：1的VEE 。数
在规格表假设标称VEE = -3.3V 。请注意PECL操作， VCMR （分）将其固定在3.3V - | VCMR （分钟） | 。
800
600
VOUT （PP） （毫伏）
400
200
0
0
200
400
600
800
1000
F（兆赫）
1200
1400
1600
1800
2000
图1.输出摆幅与频率
摩托罗拉
4–2
ECLinPS和ECLinPS精简版
DL140 - 牧师3
MC100LVEL11
外形尺寸
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751-05
ISSUE P
–A–
B
M
8
5
X 45
_
J
1
4
4X
–B–
M
_
G
F
注意事项：
1.尺寸A和B是基准，T为
基准面。
2.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
3.尺寸为毫米。
4.尺寸A和B不包括塑模
前伸。
5.最大模具PROTRUSION 0.15每边。
6.尺寸D不包括模型
前伸。允许的dambar
突出应该0.127总数过量
THE D尺寸为最大材料的
条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.18
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
P
0.25 (0.010)
M
–T–
8X
C
座位
飞机
D
0.25 (0.010)
M
K
T B
S
A
S
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数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
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其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
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ECLinPS和ECLinPS精简版
DL140 - 牧师3
4–3
*MC100LVEL11/D*
MC100LVEL11/D
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