ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
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评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板，顶部和底部的视图，它
可以以几种不同的方式进行配置，这取决于
被测设备（见表1配置列表） 。
该评估板手册包含：
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表，其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂（双）电源（图2 。
评估板糊） 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中，一个分开的（双）电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质，其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件（DUT ），以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号：
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔，它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置（见表1配置列表） 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率，降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试，分裂（双）电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号（V
TT
= V
CC
- 2.0 V，在分离电源设置，V
TT
是系统接地，V
CC
是2.0伏，和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 ：电源电平） 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND）通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器（上终止的更多信息在提供
AN8020 ） 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入，
R 2， R 3 ，R 4 ，R 6和R 7 ，根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板，焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大，并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后，建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计（TDR ）是另一个强烈推荐
验证测试。
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4
MC100EPT23
3.3V双路差动
LVPECL / LVDS / CML到
LVTTL / LVCMOS翻译
该MC100EPT23是一个双差分LVPECL / LVDS / CML到
LVTTL / LVCMOS翻译。因为LVPECL （正ECL ）
LVDS和CML积极投入水平和LVTTL / LVCMOS输出
水平时，只有3.3 V和接地是必需的。小
概述8引脚SOIC封装和EPT23的双门设计
使得它非常适合应用程序需要一个时钟的翻译
或数据信号。
该EPT23在仅在ECL 100K标准。由于有
没有LVPECL输出或外部V
BB
参考文献中， EPT23确实
不要求两个ECL标准版本。该LVPECL / LVDS输入
有差。因此， MC100EPT23可以接受任何标准
从V参考的差分LVPECL / LVDS输入
CC
+3.3 V.
特点
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记号
DIAGRAMS *
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
KPT23
ALYW
G
8
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
1
KA23
ALYWG
G
无铅包可用
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
1
A
L
Y
W
M
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年12月 - 15牧师
出版订单号：
MC100EPT23/D
3T M
G
G
4
1.5 ns典型传播延迟
最大工作频率> 275兆赫
LVPECL / LVDS / CML输入， LVTTL / LVCMOS输出
24毫安LVTTL输出
经营范围： V
CC
= 3.0 V至3.6 V与GND = 0 V
MC100EPT23
表1.引脚说明
D0
1
8
V
CC
针
Q0, Q1
D0
2
LVPECL
D1
3
LVTTL
6
Q1
7
Q0
D0**, D1**
D0**, D1**
V
CC
GND
EP
功能
LVTTL / LVCMOS输出
差分LVPECL / LVDS / CML输入
正电源
地
裸露焊盘必须被连接到一
足够的热导管。电气连接
最负电源或悬空
开。
D1
4
5
GND
**引脚默认为V
CC
/ 2时处于打开状态。
（ TOP VIEW ）
图1.逻辑图和8引脚引脚
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
50千瓦
50千瓦
> 1500 V
＆ GT ; 100 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
91设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
电源
输入电压
输出电流
参数
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
条件2
等级
3.8
3.8
50
100
-40至+85
-65到+150
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
DFN8
DFN8
190
130
41至44
185
140
41至44
129
84
265
265
单位
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
波峰焊
Pb
无铅
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
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2
MC100EPT23
表4. PECL直流特性
V
CC
= 3.3 V ， GND = 0V （注2 ）
40°C
符号
I
CCH
I
CCL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流（输出设置为高电平）
电源电流（输出设置为LOW ）
输入高电压
输入低电压
输入高电压共模范围
（注3）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
150
150
民
10
15
2075
1355
1.2
典型值
18
26
最大
25
36
2420
1675
3.3
150
150
150
民
10
15
2075
1355
1.2
25°C
典型值
18
26
最大
25
36
2420
1675
3.3
150
150
150
民
10
15
2075
1355
1.2
85°C
典型值
18
26
最大
25
36
2420
1675
3.3
150
0.5
单位
mA
mA
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.所有的值变化为1：1结合V
CC
.
3. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表5. LVTTL / LVCMOS输出直流特性
V
CC
= 3.3 V ， GND = 0.0 V，T
A
= -40 ° C至85°C
符号
V
OH
V
OL
I
OS
特征
输出高电压
输出低电压
输出短路电流
条件
I
OH
= ?? 3.0毫安
I
OL
= 24毫安
180
民
2.4
0.5
50
典型值
最大
单位
V
V
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
表6. AC特性
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ， GND = 0.0 V（注4 ）
40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
t
SK + +
t
SK- -
t
SKPP
t
抖动
V
PP
t
r
t
f
特征
最大频率（图2）
传播延迟
输出差分（注5 ）
输出至输出扭曲++
输出至输出Skew--
部分到部分偏移（注6 ）
随机时钟抖动（RMS） （图2）
输入电压摆幅（差分配置）
输出上升/下降时间（ 0.8 V - 2.0 V）
Q, Q
150
330
民
275
1.2
1.2
典型值
350
1.5
1.5
15
35
70
5
800
600
1.8
1.8
60
80
500
10
1200
900
150
330
最大
民
275
1.2
1.1
25°C
典型值
350
1.5
1.5
15
40
70
5
800
600
1.8
1.8
70
80
500
10
1200
900
150
330
最大
民
275
1.3
1.1
85°C
典型值
350
1.7
1.5
30
40
140
5
800
650
2.4
1.8
125
80
500
10
1200
900
最大
单位
兆赫
ns
ps
ps
mV
ps
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4.衡量一个750 mV的50 ％占空比的时钟源。
L
= 500
W
到GND和C
L
= 20 pF到GND 。请参考图3 。
5.参考（V
CC
= 3.3V
±
5％ ; GND = 0V）
6.偏斜现象相同的条件下的输出之间进行测量。
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3
MC100EPT23
订购信息
设备
MC100EPT23D
MC100EPT23DG
MC100EPT23DR2
MC100EPT23DR2G
MC100EPT23DT
MC100EPT23DTG
MC100EPT23DTR2
MC100EPT23DTR2G
MC100EPT23MNR4
MC100EPT23MNR4G
包
SOIC8
SOIC8
（无铅）
SOIC8
SOIC8
（无铅）
TSSOP8
TSSOP8
（无铅）
TSSOP8
TSSOP8
（无铅）
DFN8
DFN8
（无铅）
航运
98单位/铁
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
100单位/铁
100单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
应用笔记的资源引用
AN1405/D
AN1406/D
AN1503/D
AN1504/D
AN1568/D
AN1672/D
AND8001/D
AND8002/D
AND8020/D
AND8066/D
AND8090/D
- ECL时钟分配技术
- 设计与PECL （ ECL在+ 5.0V）
- ECLinPSt I / O SPICE建模工具
- 亚稳态和ECLinPS系列
- 接口之间LVDS和ECL
- 该ECL翻译指南
- 奇数计数器设计
- 标志和日期代码
- 终止ECL逻辑器件
- 与ECLinPS接口
- 交ECL器件的特性
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5
MC100EPT23
3.3V双路差动
LVPECL / LVDS到LVTTL
翻译者
该MC100EPT23是一个双差分LVPECL / LVDS到LVTTL
翻译。因为LVPECL （正ECL ）或LVDS水平时，
只有+3.3 V和接地线。小外形8引脚封装
和EPT23的双门设计，使得它非常适合应用
这需要一个时钟和数据信号的转换。
该EPT23在仅在ECL 100K标准。由于有
没有LVPECL输出或外部V
BB
参考文献中， EPT23确实
不要求两个ECL标准版本。该LVPECL / LVDS输入
有差。因此， MC100EPT23可以接受任何标准
从V参考的差分LVPECL / LVDS输入
CC
+3.3 V.
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记号
DIAGRAMS *
8
SOIC8
后缀
CASE 751
KPT23
ALYW
1
8
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
1
KA23
ALYW
8
1
1.5 ns典型传播延迟
最大工作频率> 275兆赫
24毫安LVTTL输出
经营范围： V
CC
= 3.0 V至3.6 V与GND = 0 V
无铅包可用
A
L
Y
W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年2月 - 11牧师
出版订单号：
MC100EPT23/D
MC100EPT23
表1.引脚说明
D0
1
8
V
CC
Q0, Q1
D0
2
LVPECL
D1
3
LVTTL
6
Q1
7
Q0
D0**, D1**
D0**, D1**
V
CC
GND
针
功能
LVTTL输出
差分LVPECL输入
正电源
地
**引脚默认为V
CC
/ 2时处于打开状态。
D1
4
5
GND
（ TOP VIEW ）
图1. 8引脚引脚和逻辑图
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
50千瓦
50千瓦
> 1500 V
＆ GT ; 100 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
91设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
电源
输入电压
输出电流
参数
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
条件2
等级
3.8
3.8
50
100
-40至+85
-65到+150
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
＆ LT ; 2至3秒@ 248 ℃下
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
190
130
41至44
185
140
41至44
265
单位
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
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2
MC100EPT23
表4. PECL直流特性
V
CC
= 3.3 V ， GND = 0V （注2 ）
40°C
符号
I
CCH
I
CCL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流（输出设置为高电平）
电源电流（输出设置为LOW ）
输入高电压
输入低电压
输入高电压共模范围
（注3）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
150
150
民
10
15
2075
1355
1.2
典型值
18
26
最大
25
36
2420
1675
3.3
150
150
150
民
10
15
2075
1355
1.2
25°C
典型值
18
26
最大
25
36
2420
1675
3.3
150
150
150
民
10
15
2075
1355
1.2
85°C
典型值
18
26
最大
25
36
2420
1675
3.3
150
0.5
单位
mA
mA
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.所有的值变化为1：1结合V
CC
.
3. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表5. TTL直流特性
V
CC
= 3.3 V ， GND = 0.0 V，T
A
= -40 ° C至85°C
符号
V
OH
V
OL
I
OS
特征
输出高电压
输出低电压
输出短路电流
条件
I
OH
= ?? 3.0毫安
I
OL
= 24毫安
180
民
2.4
0.5
50
典型值
最大
单位
V
V
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
表6. AC特性
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ， GND = 0.0 V（注4 ）
40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
t
SK + +
t
SK- -
t
SKPP
t
抖动
V
PP
t
r
t
f
特征
最大频率（图2）
传播延迟
输出差分（注5 ）
输出至输出扭曲++
输出至输出Skew--
部分到部分偏移（注6 ）
随机时钟抖动（RMS） （图2）
输入电压摆幅（差分配置）
输出上升/下降时间（ 0.8 V - 2.0 V）
Q, Q
150
330
民
275
1.2
1.2
典型值
350
1.5
1.5
15
35
70
5
800
600
1.8
1.8
60
80
500
10
1200
900
150
330
最大
民
275
1.2
1.1
25°C
典型值
350
1.5
1.5
15
40
70
5
800
600
1.8
1.8
70
80
500
10
1200
900
150
330
最大
民
275
1.3
1.1
85°C
典型值
350
1.7
1.5
30
40
140
5
800
650
2.4
1.8
125
80
500
10
1200
900
最大
单位
兆赫
ns
ps
ps
mV
ps
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4.衡量一个750 mV的50 ％占空比的时钟源。
L
= 500
W
到GND和C
L
= 20 pF到GND 。请参考图3 。
5.参考（V
CC
= 3.3V
±
5％ ; GND = 0V）
6.偏斜现象相同的条件下的输出之间进行测量。
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MC100EPT23
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包
SOIC8
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（无铅）
SOIC8
SOIC8
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TSSOP8
TSSOP8
（无铅）
TSSOP8
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（无铅）
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98单位/铁
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2500 /磁带&卷轴
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100单位/铁
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2500 /磁带&卷轴
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有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
应用笔记的资源引用
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AND8001/D
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AND8066/D
AND8090/D
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