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ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
http://onsemi.com
评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板,顶部和底部的视图,它
可以以几种不同的方式进行配置,这取决于
被测设备(见表1配置列表) 。
该评估板手册包含:
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表,其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂(双)电源(图2 。
评估板糊) 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中,一个分开的(双)电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质,其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件(DUT ),以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号:
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
LAY -UP细节
4层
丝印层(TOP SIDE )
0.062
$
0.007
第1层(TOP SIDE )
罗杰斯4003在0.008
第2层(地面和VEE面P1 ) 1盎司
FR-4在0.020
第3层(地面和VCC平面P2 ) 1盎司
FR-4在0.025
第4层(底部)
图2.评估板糊
电路板布局
8引脚SOIC评估板被设计成
多才多艺,适应多种不同的配置。
的输入,输出和电源引脚的评价布局
板示于图3.评价板具有至少
11可能的配置选项。表1.清单
的设备和利用该印刷电路板相关的配置
板。组件和简单的原理图的列表位于
图4通过J1 14.将SMA连接器
通过J7 , 50
W
通过R7 R1上贴片电阻和芯片
通过电容C4根据配置C1
数字。 ( C1和C2是0.01
mF
和C3和C4是0.1
MF) 。
顶视图
底部视图
图3.评估板布局
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2
ECLSOIC8EVB
表1.配置列表
ECLinPS LiteE
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL04D/MC100EL04D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL07D/MC100EL07D
MC10EL11D/MC100EL11D
MC10EL12D/MC100EL12D
MC10EL16D/MC100EL16D*
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL32D/MC100EL32D
MC10EL33D/MC100EL33D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC10EL58D/MC100EL58D
MC10EL89D/MC100EL89D
MC10ELT20D/
MC100ELT20D
MC10ELT21D/
MC100ELT21D
MC10ELT22D/
MC100ELT22D
MC100ELT23D
MC10ELT26D/
MC100ELT26D
MC10ELT28D/
MC100ELT28D
评论
参见图4
参见图5
参见图4
参见图5
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
见图14
CON组fi guration
1
2
1
2
3
3
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
11
MC100EP16FD*
MC10EP16TD/
MC100EP16TD*
MC100EP16VAD*
MC100EP16VBD*
MC100EP16VCD*
MC100EP16VSD*
MC100EP16VTD*
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP32D/MC100EP32D
MC10EP33D/MC100EP33D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
MC10EP58D/MC100EP58D
MC100EP89D
MC10EPT20D/
MC100EPT20D
MC100EPT21D*
MC100EPT22D
低电压ECLinPSE
设备
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL11D
MC100LVEL12D
MC100LVEL16D*
MC100LVEL31D
MC100LVEL32D
MC100LVEL33D
MC100LVEL51D
MC100LVEL58D
MC100LVELT22D
MC100LVELT23D
评论
参见图4
参见图4
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图8
见图11
见图12
CON组fi guration
1
1
3
3
2
1
4
4
1
5
8
9
NB6L11D
NB6L16D
设备
ECLinPS MAXE
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100LVEP11D
MC100LVEP16D*
低电压ECLinPS加
设备
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100EPT23D*
MC100EPT26D*
参见图5
参见图5
参见图5
参见图5
参见图8
参见图5
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
2
2
2
2
5
2
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
设备
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP11D/MC100EP11D
MC10EP16D/
MC100EP16D*
ECLinPS PLUSE
评论
参见图4
参见图4
参见图4
参见图6
参见图5
CON组fi guration
1
1
1
3
2
*请参阅附录的补充或修改,以当前
配置。
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3
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔,它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置(见表1配置列表) 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率,降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试,分裂(双)电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号(V
TT
= V
CC
- 2.0 V,在分离电源设置,V
TT
是系统接地,V
CC
是2.0伏,和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 :电源电平) 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND)通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器(上终止的更多信息在提供
AN8020 ) 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入,
R 2, R 3 ,R 4 ,R 6和R 7 ,根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板,焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大,并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后,建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计(TDR )是另一个强烈推荐
验证测试。
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4
ECLSOIC8EVB
CON连接gurations
V
CC
GND
C4
0.1
mF
R1
50
W
J1
R2
50
W
J2
R3
50
W
J3
R4
50
W
J4
C1
0.01
mF
DUT
J5
C2
0.01
mF
J6
C3
0.1
mF
V
EE
GND
图4.配置1示意图
表4.配置1
销1
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL31D
MC100LVEL51D
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
No
是的
No
是的
是的
J1
R1
销2
J2
R2
3脚
J3
R3
引脚4
J4
R4
5脚
C2
C3
引脚6
J6
R6
7针
J7
R7
引脚8
C1
C4
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5
MC100EPT23
3.3V双路差动
LVPECL / LVDS / CML到
LVTTL / LVCMOS翻译
该MC100EPT23是一个双差分LVPECL / LVDS / CML到
LVTTL / LVCMOS翻译。因为LVPECL (正ECL )
LVDS和CML积极投入水平和LVTTL / LVCMOS输出
水平时,只有3.3 V和接地是必需的。小
概述8引脚SOIC封装和EPT23的双门设计
使得它非常适合应用程序需要一个时钟的翻译
或数据信号。
该EPT23在仅在ECL 100K标准。由于有
没有LVPECL输出或外部V
BB
参考文献中, EPT23确实
不要求两个ECL标准版本。该LVPECL / LVDS输入
有差。因此, MC100EPT23可以接受任何标准
从V参考的差分LVPECL / LVDS输入
CC
+3.3 V.
特点
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记号
DIAGRAMS *
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
KPT23
ALYW
G
8
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
1
KA23
ALYWG
G
无铅包可用
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
1
A
L
Y
W
M
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=日期代码
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*有关其他标识信息,请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年12月 - 15牧师
出版订单号:
MC100EPT23/D
3T M
G
G
4
1.5 ns典型传播延迟
最大工作频率> 275兆赫
LVPECL / LVDS / CML输入, LVTTL / LVCMOS输出
24毫安LVTTL输出
经营范围: V
CC
= 3.0 V至3.6 V与GND = 0 V
MC100EPT23
表1.引脚说明
D0
1
8
V
CC
Q0, Q1
D0
2
LVPECL
D1
3
LVTTL
6
Q1
7
Q0
D0**, D1**
D0**, D1**
V
CC
GND
EP
功能
LVTTL / LVCMOS输出
差分LVPECL / LVDS / CML输入
正电源
裸露焊盘必须被连接到一
足够的热导管。电气连接
最负电源或悬空
开。
D1
4
5
GND
**引脚默认为V
CC
/ 2时处于打开状态。
( TOP VIEW )
图1.逻辑图和8引脚引脚
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
50千瓦
50千瓦
> 1500 V
& GT ; 100 V
& GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
91设备
湿气敏感度,不定超时Drypack (注1 )
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息,请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数:28 34
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
电源
输入电压
输出电流
参数
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
条件2
等级
3.8
3.8
50
100
-40至+85
-65到+150
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
DFN8
DFN8
190
130
41至44
185
140
41至44
129
84
265
265
单位
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
波峰焊
Pb
无铅
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
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2
MC100EPT23
表4. PECL直流特性
V
CC
= 3.3 V , GND = 0V (注2 )
40°C
符号
I
CCH
I
CCL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流(输出设置为高电平)
电源电流(输出设置为LOW )
输入高电压
输入低电压
输入高电压共模范围
(注3)
输入高电流
输入低电平电流
D
D
150
150
10
15
2075
1355
1.2
典型值
18
26
最大
25
36
2420
1675
3.3
150
150
150
10
15
2075
1355
1.2
25°C
典型值
18
26
最大
25
36
2420
1675
3.3
150
150
150
10
15
2075
1355
1.2
85°C
典型值
18
26
最大
25
36
2420
1675
3.3
150
0.5
单位
mA
mA
mV
mV
V
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.所有的值变化为1:1结合V
CC
.
3. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表5. LVTTL / LVCMOS输出直流特性
V
CC
= 3.3 V , GND = 0.0 V,T
A
= -40 ° C至85°C
符号
V
OH
V
OL
I
OS
特征
输出高电压
输出低电压
输出短路电流
条件
I
OH
= ?? 3.0毫安
I
OL
= 24毫安
180
2.4
0.5
50
典型值
最大
单位
V
V
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
表6. AC特性
V
CC
= 3.0 V至3.6 V , GND = 0.0 V(注4 )
40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
t
SK + +
t
SK- -
t
SKPP
t
抖动
V
PP
t
r
t
f
特征
最大频率(图2)
传播延迟
输出差分(注5 )
输出至输出扭曲++
输出至输出Skew--
部分到部分偏移(注6 )
随机时钟抖动(RMS) (图2)
输入电压摆幅(差分配置)
输出上升/下降时间( 0.8 V - 2.0 V)
Q, Q
150
330
275
1.2
1.2
典型值
350
1.5
1.5
15
35
70
5
800
600
1.8
1.8
60
80
500
10
1200
900
150
330
最大
275
1.2
1.1
25°C
典型值
350
1.5
1.5
15
40
70
5
800
600
1.8
1.8
70
80
500
10
1200
900
150
330
最大
275
1.3
1.1
85°C
典型值
350
1.7
1.5
30
40
140
5
800
650
2.4
1.8
125
80
500
10
1200
900
最大
单位
兆赫
ns
ps
ps
mV
ps
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4.衡量一个750 mV的50 %占空比的时钟源。
L
= 500
W
到GND和C
L
= 20 pF到GND 。请参考图3 。
5.参考(V
CC
= 3.3V
±
5% ; GND = 0V)
6.偏斜现象相同的条件下的输出之间进行测量。
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3
MC100EPT23
3.0
V
OL

0.5 V
V
OH
12
随机时钟抖动( PS RMS)
2.0
V
OH
(V)
8
抖动
1.0
4
0.0
0
100
200
频率(MHz)
300
0
400
图2.典型的V
OH
/抖动与频率关系( 255C )
应用
TTL接收器
特性试验
*C
L
包括
灯具
电容
C
L
*
R
L
AC测试负载
GND
图3. TTL输出负载用于设备评估
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4
MC100EPT23
订购信息
设备
MC100EPT23D
MC100EPT23DG
MC100EPT23DR2
MC100EPT23DR2G
MC100EPT23DT
MC100EPT23DTG
MC100EPT23DTR2
MC100EPT23DTR2G
MC100EPT23MNR4
MC100EPT23MNR4G
SOIC8
SOIC8
(无铅)
SOIC8
SOIC8
(无铅)
TSSOP8
TSSOP8
(无铅)
TSSOP8
TSSOP8
(无铅)
DFN8
DFN8
(无铅)
航运
98单位/铁
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
100单位/铁
100单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
应用笔记的资源引用
AN1405/D
AN1406/D
AN1503/D
AN1504/D
AN1568/D
AN1672/D
AND8001/D
AND8002/D
AND8020/D
AND8066/D
AND8090/D
- ECL时钟分配技术
- 设计与PECL ( ECL在+ 5.0V)
- ECLinPSt I / O SPICE建模工具
- 亚稳态和ECLinPS系列
- 接口之间LVDS和ECL
- 该ECL翻译指南
- 奇数计数器设计
- 标志和日期代码
- 终止ECL逻辑器件
- 与ECLinPS接口
- 交ECL器件的特性
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5
MC100EPT23
3.3V双路差动
LVPECL / LVDS到LVTTL
翻译者
该MC100EPT23是一个双差分LVPECL / LVDS到LVTTL
翻译。因为LVPECL (正ECL )或LVDS水平时,
只有+3.3 V和接地线。小外形8引脚封装
和EPT23的双门设计,使得它非常适合应用
这需要一个时钟和数据信号的转换。
该EPT23在仅在ECL 100K标准。由于有
没有LVPECL输出或外部V
BB
参考文献中, EPT23确实
不要求两个ECL标准版本。该LVPECL / LVDS输入
有差。因此, MC100EPT23可以接受任何标准
从V参考的差分LVPECL / LVDS输入
CC
+3.3 V.
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记号
DIAGRAMS *
8
SOIC8
后缀
CASE 751
KPT23
ALYW
1
8
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
1
KA23
ALYW
8
1
1.5 ns典型传播延迟
最大工作频率> 275兆赫
24毫安LVTTL输出
经营范围: V
CC
= 3.0 V至3.6 V与GND = 0 V
无铅包可用
A
L
Y
W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
*有关其他标识信息,请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年2月 - 11牧师
出版订单号:
MC100EPT23/D
MC100EPT23
表1.引脚说明
D0
1
8
V
CC
Q0, Q1
D0
2
LVPECL
D1
3
LVTTL
6
Q1
7
Q0
D0**, D1**
D0**, D1**
V
CC
GND
功能
LVTTL输出
差分LVPECL输入
正电源
**引脚默认为V
CC
/ 2时处于打开状态。
D1
4
5
GND
( TOP VIEW )
图1. 8引脚引脚和逻辑图
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
50千瓦
50千瓦
> 1500 V
& GT ; 100 V
& GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
91设备
湿气敏感度,不定超时Drypack (注1 )
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息,请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数:28 34
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
电源
输入电压
输出电流
参数
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
条件2
等级
3.8
3.8
50
100
-40至+85
-65到+150
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
& LT ; 2至3秒@ 248 ℃下
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
190
130
41至44
185
140
41至44
265
单位
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
波峰焊
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
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2
MC100EPT23
表4. PECL直流特性
V
CC
= 3.3 V , GND = 0V (注2 )
40°C
符号
I
CCH
I
CCL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流(输出设置为高电平)
电源电流(输出设置为LOW )
输入高电压
输入低电压
输入高电压共模范围
(注3)
输入高电流
输入低电平电流
D
D
150
150
10
15
2075
1355
1.2
典型值
18
26
最大
25
36
2420
1675
3.3
150
150
150
10
15
2075
1355
1.2
25°C
典型值
18
26
最大
25
36
2420
1675
3.3
150
150
150
10
15
2075
1355
1.2
85°C
典型值
18
26
最大
25
36
2420
1675
3.3
150
0.5
单位
mA
mA
mV
mV
V
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.所有的值变化为1:1结合V
CC
.
3. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表5. TTL直流特性
V
CC
= 3.3 V , GND = 0.0 V,T
A
= -40 ° C至85°C
符号
V
OH
V
OL
I
OS
特征
输出高电压
输出低电压
输出短路电流
条件
I
OH
= ?? 3.0毫安
I
OL
= 24毫安
180
2.4
0.5
50
典型值
最大
单位
V
V
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
表6. AC特性
V
CC
= 3.0 V至3.6 V , GND = 0.0 V(注4 )
40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
t
SK + +
t
SK- -
t
SKPP
t
抖动
V
PP
t
r
t
f
特征
最大频率(图2)
传播延迟
输出差分(注5 )
输出至输出扭曲++
输出至输出Skew--
部分到部分偏移(注6 )
随机时钟抖动(RMS) (图2)
输入电压摆幅(差分配置)
输出上升/下降时间( 0.8 V - 2.0 V)
Q, Q
150
330
275
1.2
1.2
典型值
350
1.5
1.5
15
35
70
5
800
600
1.8
1.8
60
80
500
10
1200
900
150
330
最大
275
1.2
1.1
25°C
典型值
350
1.5
1.5
15
40
70
5
800
600
1.8
1.8
70
80
500
10
1200
900
150
330
最大
275
1.3
1.1
85°C
典型值
350
1.7
1.5
30
40
140
5
800
650
2.4
1.8
125
80
500
10
1200
900
最大
单位
兆赫
ns
ps
ps
mV
ps
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4.衡量一个750 mV的50 %占空比的时钟源。
L
= 500
W
到GND和C
L
= 20 pF到GND 。请参考图3 。
5.参考(V
CC
= 3.3V
±
5% ; GND = 0V)
6.偏斜现象相同的条件下的输出之间进行测量。
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3
MC100EPT23
3.0
V
OL

0.5 V
V
OH
12
随机时钟抖动( PS RMS)
2.0
V
OH
(V)
8
抖动
1.0
4
0.0
0
100
200
频率(MHz)
300
0
400
图2.典型的V
OH
/抖动与频率关系( 255C )
应用
TTL接收器
特性试验
*C
L
包括
灯具
电容
C
L
*
R
L
AC测试负载
GND
图3. TTL输出负载用于设备评估
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MC100EPT23
订购信息
设备
MC100EPT23D
MC100EPT23DG
MC100EPT23DR2
MC100EPT23DR2G
MC100EPT23DT
MC100EPT23DTG
MC100EPT23DTR2
MC100EPT23DTR2G
SOIC8
SOIC8
(无铅)
SOIC8
SOIC8
(无铅)
TSSOP8
TSSOP8
(无铅)
TSSOP8
TSSOP8
(无铅)
航运
98单位/铁
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
100单位/铁
100单位/铁
2500 /磁带&卷轴
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