MC100EP91
2.5 V / 3.3 V任何级别
正输入端
-3.3 V / -5.5 V NECL输出
翻译者
描述
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS *
20
20
1
该MC100EP91是一个三层次的任何积极投入到NECL输出
翻译。该器件接受LVPECL ， LVTTL ， LVCMOS ， HSTL ，
CML或LVDS信号，并将其转换为差分NECL
输出信号（ -3.0 V /
5.5
V).
为了实现电平转换的EP91需要三个电源
轨。在V
CC
引脚应连接到正电源，
和V
EE
引脚应连接到负电源。
GND引脚被连接到系统接地平面。双方V
EE
和V
CC
应绕过经由0.01至地
mF
电容器。
在打开的输入条件下， D输入将在V偏置
CC
/2
而D输入将被拉至GND。这些条件将迫使
Q输出为低状态，而Q输出端为高状态，从而将
确保稳定。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
特点
MC100EP91
AWLYYWWG
SO- 20 WB
DW后缀
CASE 751D
1
24
1
24
1
24引脚QFN
MN后缀
CASE 485L
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G或
G
100
EP91
ALYWG
G
最大输入时钟频率> 2.0 GHz的典型
最大输入数据速率> 2.0 Gb / s的典型
500 ps的典型传播延迟
经营范围： V
CC
= 2.375 V至3.8 V ;
V
EE
=
3.0
V到
5.5
V ; GND = 0 V
Q输出将默认低，输入开路或接地处
无铅包可用*
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年8月，
第1版
1
出版订单号：
MC100EP91/D
MC100EP91
正电平
输入
D0
R1
D0
R1
D1
R1
D1
R1
D2
R1
D2
R1
NECL输出
Q0
R2
Q0
Q1
R2
Q1
V
CC
V
BB
GND
Q2
R2
Q2
V
EE
图1.逻辑图
表1.引脚说明
针
SOIC
1, 20
QFN
3, 4, 12
名字
V
CC
I / O
默认
状态
描述
正电源电压。所有V
CC
引脚必须在外部
接通电源，以保证正确操作
化。
负电源电压。所有V
EE
引脚必须在外部
接通电源，以保证正确操作
化。
地面上。
ECL参考电压输出
反的差分输入[ 0 ： 2 ] 。内部75千瓦到V
EE
.
倒差分输入[ 0 ： 2 ] 。内部75千瓦到V
EE
和
75千瓦到V
CC
。当输入开路它们默认为
(V
CC
V
EE
) / 2.
反的差分输出[ 0 ： 2 ] 。通常情况下终止
50
W
到V
TT
= V
CC
2 V
倒差分输出[ 0 ： 2 ] 。通常情况下终止与
50
W
到V
TT
= V
CC
2 V
无连接。 NC表示没有电连接到
模具和可以安全地从连接到任何电压
V
EE
到V
CC
.
裸露焊盘。 （注1 ）
10
15, 16
V
EE
14, 17
4, 7
2, 5, 8
3, 6, 9
19, 20, 23,
24
7, 11
5, 8, 13
6, 9, 14
GND
V
BB
D[0:2]
D[0:2]
LVPECL ， LVDS ， LVTTL ，
LVCMOS ， CML ， HSTL输入
LVPECL ， LVDS ，
LVTTL ， LVCMOS ，慢性粒细胞白血病，
HSTL输入
NECL输出
NECL输出
低
高
19,16,13
18,15,12
11
2, 18, 22
1, 21, 17
10
Q[0:2]
Q[0:2]
NC
不适用
EP
1.在封装底面（见附图的情况下）的导热性暴露的焊盘必须被连接到一组散热导管。
http://onsemi.com
2
MC100EP91
GND GND Q1
24
Q0
V
CC
Q0
20
19
Q0 GND Q1 Q1 Q2 GND
18
17
16
15
14
13
Q2 NC
12
11
Q0
V
CC
V
CC
MC100EP91
D0
D0
1
V
CC
2
D0
3
4
5
6
7
8
9
D2
10
V
EE
1
2
3
4
5
6
7
V
BB
8
D1
9
D1
10
11
12
V
CC
MC100EP91
23
22
Q1 GND GND
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Q2
Q2
V
EE
V
EE
D2
D2
裸露焊盘
（EP）的
D0 V
BB
D1
D1 V
BB
D2
NC V
BB
图2. SOIC- 20引脚引脚
（ TOP VIEW ）
图3. QFN- 24无铅引脚
（顶视图） *
*所有V
CC
, V
EE
和GND引脚必须从外部连接到电源和所述底面露出焊盘必须被连接到一个适当
散热导管，以保证正常运行。
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
(R1)
(R2)
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
SO- 20 WB
QFN24
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
2.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
LEVEL 1
LEVEL 1
价值
75千瓦
75千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 150 V
＆ GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 3
LEVEL 1
湿气敏感度（注2 ）
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
446设备
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3
MC100EP91
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
OP
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JA
q
JC
T
SOL
正电源。
负电源
正输入电压
工作电压
输出电流
PECL V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
JESD 51-3 （ 1S ，单层测试板）
热阻（结到环境）
JESD 51-6 （ 2S2P多层测试板）与填充散热孔
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
标准局
SOIC20
SOIC20
QFN24
QFN24
SOIC20
QFN24
参数
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
V
CC
V
EE
条件2
等级
3.8 0
6
3.8 0
9.8
50
100
±
0.5
40
+85
65
+150
90
60
37
32
30至35
11
225
225
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
表4.直流特性相输入
V
CC
= 2.5 V, V
EE
=
3.0
V到
5.5
5V，GND = 0V （注3 ）
40°C
符号
I
CC
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围
（差分配置） （注4 ）
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
D
D
0.5
150
民
10
1335
GND
0
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
0.5
150
民
10
1335
GND
0
25°C
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
0.5
150
民
10
1335
GND
0
85°C
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
单位
mA
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
3.输入参数变化1 ： 1与V
CC
. V
CC
可以改变1.3 V /
0.125
V.
4. V
IHCMR
分不同的1：1 GND。 V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
.
http://onsemi.com
4
MC100EP91
表5. DC特性正相输入端
V
CC
= 3.3 V; V
EE
=
3.0
V到
5.5
V ; GND = 0V （注5）
40°C
符号
I
CC
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
PECL输出电压参考值
输入高电压共模范围
（差分结构） （注6）
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
D
D
0.5
150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
0.5
150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
25°C
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
0.5
150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
85°C
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入参数变化1 ： 1与V
CC
. V
CC
可以改变+0.5 /
0.925
V.
6. V
IHCMR
分不同的1：1 GND。 V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
.
表6.直流特性NECL输出
V
CC
= 2.375 V至3.8 V ; V
EE
=
3.0
V到
5.5
V ; GND = 0V （注7 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
负电源电流
输出高电压（注8）
输出低电压（注8）
民
40
1145
1945
典型值
50
1020
1770
最大
60
895
1600
民
38
1145
1945
25°C
典型值
50
1020
1770
最大
68
895
1600
民
38
1145
1945
85°C
典型值
50
1020
1770
最大
68
895
1600
单位
mA
mV
mV
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
7.输出参数发生变化1 ： 1与GND 。
8.所有装载50
W
电阻到GND
2.0 V.
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
