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MC100EP210S
2.5V 1 : 5双差分
LVDS兼容的时钟
司机
描述
该MC100EP210S是一个低偏移1至5的双差分驱动器,
设计时考虑到LVDS时钟分配。该LVDS或
LVPECL的输入信号是差分,该信号被扇出到
输出五个相同的差分LVDS 。
该EP210S具体保证低输出至输出偏斜。
优化设计,布局和加工设备内尽量减少偏差
和从设备到设备。
两个内部50
W
两个输入端之间提供电阻器。为
LVDS输入, VTA和VTB引脚应悬空。为
LVPECL输入, VTA和VTB引脚应连接到V
TT
(V
CC
2.0 V)供电。
设计人员可充分利用EP210S表现为
分布在整个背板或主板低偏移LVDS时钟。
特点
http://onsemi.com
记号
图*
MC100
EP210S
AWLYYWWG
LQFP32
FA后缀
CASE 873A
1
20 ps的典型输出至输出偏斜
85 ps的典型设备到设备斜
550 ps的典型传播延迟
100系列包含温度补偿
最大频率> 1 GHz的典型
经营范围: V
CC
= 2.375 V至2.625 V与V
EE
= 0 V
内部50
W
输入端接电阻
LVDS输入/输出兼容
这些无铅器件
1
32
QFN32
MN后缀
CASE 488AM
xxx
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
G
MCxxx
EP210S
ALYWG
= 10或100
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
*有关其他标识信息,请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司, 2011
2011年6月,
启示录10
1
出版订单号:
MC100EP210S/D
MC100EP210S
QA3 QA3 QA4 QA4 QB0 QB0 QB1 QB1
V
CC
QA0 QA0 QA1 QA1 QA2 QA2 V
CC
24
V
CC
Qa2
Qa2
Qa1
Qa1
Qa0
Qa0
V
CC
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
V
CC
Qb2
Qb2
Qb3
Qb3
Qb4
Qb4
V
CC
32
V
EE
VTA
CLKA
CLKA
VTB
CLKB
CLKB
V
EE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
CLKA
CLKA
CLKB
CLKB
V
EE
VTA
VTB
V
EE
10
11
12
13
14
15
16
31
30
29
28
27
26
25
24
Qa3
23
Qa3
22
Qa4
MC100EP210S
13
12
11
10
9
MC100EP210S
21
Qa4
20
Qb0
19
Qb0
18
Qb1
17
Qb1
V
CC
QB4 QB4 QB3 QB3 QB2 QB2 V
CC
图1. 32引脚QFN封装引脚
( TOP VIEW )
警告:所有V
CC
和V
EE
引脚必须外接
在电力供应,以保证正常运行。
图1. 32引脚LQFP封装引脚
( TOP VIEW )
表1.引脚说明
CLKN , CLKN
Qn0 :4, Qn0 :4
VTA
VTB
V
CC
V
EE
EP的QFN -32 ,
功能
LVDS , LVPECL CLK输入*
LVDS输出
50
W
终端电阻
50
W
终端电阻
正电源
裸露焊盘( EP )的QFN -32封装底部
热连接到所述管芯进行改进的热传递出来
的包。暴露的焊盘必须被连接到所述的耐热
下沉渠道。焊盘被电连接到V
EE
.
*在打开的或浮动的条件与输入引脚汇聚成一个共同的终结
偏置电压的装置易受自动振荡。
VTA
50
W
CLKA
CLKA
50
W
Qa0
Qa0
Qa1
Qa1
Qa2
Qa2
Qa3
Qa3
Qa4
Qa4
50
W
CLKB
CLKB
VTB
50
W
Qb0
Qb0
Qb1
Qb1
Qb2
Qb2
Qb3
Qb3
Qb4
Qb4
图2.逻辑图
http://onsemi.com
2
MC100EP210S
表2. ATTRIBUTES
特征
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 2
价值
& GT ; 2千伏
& GT ; 100 V
& GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 2
LEVEL 1
湿气敏感度,不定超时Drypack (注1 )
LQFP32
QFN32
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息,请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数:28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
461设备
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
电源
电源(GND)的
LVDS , LVPECL输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
2S2P
32 LQFP
32 LQFP
32 LQFP
QFN32
QFN32
QFN32
参数
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 2.5 V
V
EE
= 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
条件2
等级
6
6
6
50
100
40
+85
65
+150
80
55
12至17
31
27
12
265
265
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
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3
MC100EP210S
表4.直流特性
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 0V (注2)
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压(注3 )
输出低电压(注3 )
输入高电压共模
范围(差分配置)
(注4 )
内部终端电阻
输入高电流
输入低电平电流
CLK
CLK
150
150
1250
800
1.2
典型值
150
1400
950
最大
200
1550
1100
2.5
1250
800
1.2
25°C
典型值
150
1400
950
最大
200
1550
1100
2.5
1250
800
1.2
85°C
典型值
150
1400
950
最大
200
1550
1100
2.5
单位
mA
mV
mV
V
R
T
I
IH
I
IL
43
57
150
150
150
43
50
57
150
43
57
150
W
mA
mA
150
150
150
150
150
150
150
150
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 : 1与V
CC
.
3.所有装载100
W
横跨LVDS差分输出。
4. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表5. AC特性
V
CC
= 2.375至2.625 V ,V
EE
= 0V (注5)
40°C
符号
f
maxLVDS /
LVPECL
25°C
最大
典型值
>1
625
25
160
100
<1
1200
200
150
75
450
550
20
85
80
0.2
800
150
650
25
160
100
<1
1200
225
150
80
475
最大
85°C
典型值
>1
575
20
85
80
0.2
800
160
675
35
160
100
<1
1200
230
最大
单位
GHz的
ps
ps
特征
最大频率
(参见图2 F
最大
/抖动)
传播延迟
在-设备倾斜(注6 )
设备到设备倾斜(注7 )
占空比歪斜(注8 )
RMS的随机时钟抖动
最小输入摆幅
输出上升/下降时间( 20 % -80 % )
典型值
>1
t
PLH
t
PHL
t
SKEW
425
525
20
85
80
0.2
t
抖动
V
PP
t
r
/t
f
ps
mV
ps
150
50
800
130
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.
6.
7.
8.
测定400 mV的光源, 50%占空比的时钟源。所有装载100
W
跨差分输出。
输出之间在类似的路径相同的转换通过倾斜设备进行测量。
设备到设备歪斜相同的过渡,在相同的V
CC
的水平。
占空比歪斜仅用于从输入的交叉点处测量到的输出的交叉点差分操作保证。
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4
MC100EP210S
450
400
350
V
OUTpp
(毫伏)
300
250
200
150
100
50
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
模拟
频率(MHz)
图2 F
最大
LVDS
司机
设备
Q
Z
o
= 50
W
100
W
HI 探头
D
示波器
Q
Z
o
= 50
W
HI 探头
D
图3.典型的终端的输出驱动器和设备评估
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5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MC100EP210SFATWG
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MC100EP210SFATWG
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24+
10000
32-LQFP(7x7)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MC100EP210SFATWG
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全新原装现货,原厂代理。
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MC100EP210SFATWG
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★体验愉快问购元件!!就找我吧!《停产物料》
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
MC100EP210SFATWG
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22000
148¥/片,原装正品假一赔百!
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电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
MC100EP210SFATWG
ON
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82800
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MC100EP210SFATWG
ONSemiconductor
新年份
18600
32LQFP
全新原装正品/质量有保证
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
MC100EP210SFATWG
onsemi
21+
16800
32-LQFP
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
MC100EP210SFATWG
ON Semiconductor
㊣10/11+
9846
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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电话:0755-82723916/82731800
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华发北路华发大厦517A-C
MC100EP210SFATWG
ON
24+
9000
LQFP32
只做原装正品
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电话:0755-82731800
联系人:付先生
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MC100EP210SFATWG
ON
24+
4850
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