添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2049页 > MC100EP16VTD
ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
http://onsemi.com
评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板,顶部和底部的视图,它
可以以几种不同的方式进行配置,这取决于
被测设备(见表1配置列表) 。
该评估板手册包含:
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表,其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂(双)电源(图2 。
评估板糊) 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中,一个分开的(双)电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质,其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件(DUT ),以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号:
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
LAY -UP细节
4层
丝印层(TOP SIDE )
0.062
$
0.007
第1层(TOP SIDE )
罗杰斯4003在0.008
第2层(地面和VEE面P1 ) 1盎司
FR-4在0.020
第3层(地面和VCC平面P2 ) 1盎司
FR-4在0.025
第4层(底部)
图2.评估板糊
电路板布局
8引脚SOIC评估板被设计成
多才多艺,适应多种不同的配置。
的输入,输出和电源引脚的评价布局
板示于图3.评价板具有至少
11可能的配置选项。表1.清单
的设备和利用该印刷电路板相关的配置
板。组件和简单的原理图的列表位于
图4通过J1 14.将SMA连接器
通过J7 , 50
W
通过R7 R1上贴片电阻和芯片
通过电容C4根据配置C1
数字。 ( C1和C2是0.01
mF
和C3和C4是0.1
MF) 。
顶视图
底部视图
图3.评估板布局
http://onsemi.com
2
ECLSOIC8EVB
表1.配置列表
ECLinPS LiteE
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL04D/MC100EL04D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL07D/MC100EL07D
MC10EL11D/MC100EL11D
MC10EL12D/MC100EL12D
MC10EL16D/MC100EL16D*
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL32D/MC100EL32D
MC10EL33D/MC100EL33D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC10EL58D/MC100EL58D
MC10EL89D/MC100EL89D
MC10ELT20D/
MC100ELT20D
MC10ELT21D/
MC100ELT21D
MC10ELT22D/
MC100ELT22D
MC100ELT23D
MC10ELT26D/
MC100ELT26D
MC10ELT28D/
MC100ELT28D
评论
参见图4
参见图5
参见图4
参见图5
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
见图14
CON组fi guration
1
2
1
2
3
3
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
11
MC100EP16FD*
MC10EP16TD/
MC100EP16TD*
MC100EP16VAD*
MC100EP16VBD*
MC100EP16VCD*
MC100EP16VSD*
MC100EP16VTD*
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP32D/MC100EP32D
MC10EP33D/MC100EP33D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
MC10EP58D/MC100EP58D
MC100EP89D
MC10EPT20D/
MC100EPT20D
MC100EPT21D*
MC100EPT22D
低电压ECLinPSE
设备
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL11D
MC100LVEL12D
MC100LVEL16D*
MC100LVEL31D
MC100LVEL32D
MC100LVEL33D
MC100LVEL51D
MC100LVEL58D
MC100LVELT22D
MC100LVELT23D
评论
参见图4
参见图4
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图8
见图11
见图12
CON组fi guration
1
1
3
3
2
1
4
4
1
5
8
9
NB6L11D
NB6L16D
设备
ECLinPS MAXE
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100LVEP11D
MC100LVEP16D*
低电压ECLinPS加
设备
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100EPT23D*
MC100EPT26D*
参见图5
参见图5
参见图5
参见图5
参见图8
参见图5
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
2
2
2
2
5
2
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
设备
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP11D/MC100EP11D
MC10EP16D/
MC100EP16D*
ECLinPS PLUSE
评论
参见图4
参见图4
参见图4
参见图6
参见图5
CON组fi guration
1
1
1
3
2
*请参阅附录的补充或修改,以当前
配置。
http://onsemi.com
3
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔,它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置(见表1配置列表) 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率,降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试,分裂(双)电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号(V
TT
= V
CC
- 2.0 V,在分离电源设置,V
TT
是系统接地,V
CC
是2.0伏,和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 :电源电平) 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND)通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器(上终止的更多信息在提供
AN8020 ) 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入,
R 2, R 3 ,R 4 ,R 6和R 7 ,根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板,焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大,并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后,建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计(TDR )是另一个强烈推荐
验证测试。
http://onsemi.com
4
ECLSOIC8EVB
CON连接gurations
V
CC
GND
C4
0.1
mF
R1
50
W
J1
R2
50
W
J2
R3
50
W
J3
R4
50
W
J4
C1
0.01
mF
DUT
J5
C2
0.01
mF
J6
C3
0.1
mF
V
EE
GND
图4.配置1示意图
表4.配置1
销1
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL31D
MC100LVEL51D
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
No
是的
No
是的
是的
J1
R1
销2
J2
R2
3脚
J3
R3
引脚4
J4
R4
5脚
C2
C3
引脚6
J6
R6
7针
J7
R7
引脚8
C1
C4
http://onsemi.com
5
MC100EP16VT
3.3V / 5V ECL差分
接收器/驱动器
可变的输出摆幅和
内部输入终端
描述
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS *
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
8
KEP63
ALYW
G
该MC100EP16VT是一个差动接收器功能上等同的
到100EP16与输入引脚控制输出的幅值
(引脚1 ),并提供了一个内部终端网络(引脚4 ) 。
在V
CTRL
输入引脚控制EP16VT的输出振幅
并参考V
CC
。 (参见图4 )的工作范围
V
CTRL
输入是来自

V
BB
(供应在V
CC
1.42
V,最大
输出振幅)与V
CC
(最小输出振幅)。 V
BB
是一个
外部提供的电压等于V
CC
1.42
V(参见图2
和图3)。 V之间的可变电阻器
CC
和V
BB
雨刷的驱动V
CTRL
,可以控制输出振幅。典型
应用电路和V
CTRL
电压 - 输出振幅图
本数据表中进行了描述。开路时,在V
CTRL
销会
内部下拉到V
EE
和作为一个标准的EP16 ,与
100%的输出振幅。
在V
TT
输入管脚提供内部终端网络的50
W
线路阻抗环境下,在图1中为了进一步参考示出,
请参见应用笔记AND8020 ,终止ECL逻辑器件。
输入方面的考虑都没有信号的条件下,需要D和D
防止不稳定。
特别注意事项都需要在无差分输入
信号条件,防止不稳定。
特点
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
8
KP63
ALYWG
G
1
220 ps的传播延迟
最大频率> 4 GHz的典型(见图表)
100系列包含温度补偿
PECL模式经营范围: V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围: V
CC
= 0 V
随着V
EE
=
3.0
V到
5.5
V
打开输入默认状态
50
W
内部终端电阻
无铅包可用
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
A
L
Y
W
M
G
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=日期代码
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*有关其他标识信息,请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第9页。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年12月,
第3版
1
出版订单号:
MC100EP16VT/D
3I MG
G
4
MC100EP16VT
表1.引脚说明
D
2
50
W
D
3
50
W
V
TT
4
5
V
EE
6
Q
7
Q
D, D
Q, Q
V
CTRL
*
V
TT
V
CC
V
EE
EP
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
输出摆幅控制
端接电源
正电源
负电源
裸焊盘必须
连接到一个足够的热敏
MAL管道。电气连接
最负电源或
悬空开放。
V
CTRL
1
8
V
CC
图1. 8引脚引脚
( TOP VIEW )
和逻辑图
*引脚将默认低时处于打开状态。
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 1
LEVEL 1
价值
75千瓦
不适用
& GT ; 4千伏
& GT ; 200 V
& GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 3
LEVEL 1
价值
湿气敏感度,不定超时Drypack (注1 )
SOIC8
TSSOP8
DFN8
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息,请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数:28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
140设备
http://onsemi.com
2
MC100EP16VT
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
DFN8
DFN8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
V
I

V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
40
+85
65
+150
190
130
41至44
185
140
41至44
±
5%
129
84
265
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
表4.直流特性, PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V (注2)
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
电源电流
输出高电压(最大回转)
(注3)
V
CC

V
CTRL

V
EE
输出低电压(最大值摇摆)
(注3)
V
CTRL

V
BB
V
CC

V
CTRL
& GT ; V
BB
V
CTRL
= V
CC
(最小回转)
V
IH
V
IL
V
CTRL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
D,D输入高电压(单端)
D,D输入低电压(单端)
输入电压(V
CTRL
)
输入高电压共模范围
(差分配置) (注4 )
输入高电流
输入低电平电流
(V
TT
开)
(V
TT
开)
150
2105
2075
1355
V
EE
2.0
30
2155
典型值
36
最大
42
2405
31
2155
25°C
典型值
38
最大
44
2405
32
2155
85°C
典型值
40
最大
48
2405
单位
mA
mV
mV
1355
1490
SEE
Fig.2
2230
2355
2420
1675
V
CC
2.9
150
150
2095
2075
1355
V
EE
2.0
1605
1355
1520
SEE
Fig.2
2220
2345
2420
1675
V
CC
2.9
150
150
2065
2075
1355
V
EE
2.0
1605
1355
1520
SEE
Fig.2
2190
2315
2420
1675
V
CC
2.9
150
mV
mV
mV
V
mA
mA
1605
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 : 1与V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
3.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V. V
OH
不带V改变
CTRL
. V
OL
与V的变化
CTRL
. V
CTRL
是参考V
CC
.
4. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
3
MC100EP16VT
表5. DC特性, PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0V (注5)
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
电源电流
输出高电压(注6 )
V
CC
& GT ; V
CTRL
& GT ; V
EE
输出低电压(最大值摇摆)
(注6 )
V
CTRL

V
BB
VCC

V
CTRL
& GT ; V
BB
V
CTRL
= V
CC
(最小回转)
V
IH
V
IL
V
CTRL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
D,D输入高电压(单端)
D,D输入低电压(单端)
输入电压(V
CTRL
)
输入高电压共模
范围(差分配置) (注7 )
输入高电流
输入低电平电流
(V
TT
开)
(V
TT
开)
150
3805
3775
3055
V
EE
2.0
30
3855
典型值
36
3980
最大
42
4105
31
3855
25°C
典型值
38
3980
最大
44
4105
32
3855
85°C
典型值
40
3980
最大
48
4105
单位
mA
mV
mV
3055
3190
SEE
Fig.2
3930
4055
4120
3375
V
CC
4.6
150
150
3795
3775
3055
V
EE
2.0
3305
3055
3220
SEE
Fig.2
3920
4045
4120
3375
V
CC
4.6
150
150
3765
3775
3055
V
EE
2.0
3305
3055
3220
SEE
Fig.2
3890
4015
4120
3375
V
CC
4.6
150
mV
mV
mV
V
mA
mA
3305
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入和输出参数的变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V. V
OH
不带V改变
CTRL
. V
OL
与V的变化
CTRL
. V
CTRL
是参考V
CC
.
7. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC100EP16VT
表6.直流特性, NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
=
5.5
V到
3.0
V(注8)
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
电源电流
输出高电压(注9 )
V
CC
& GT ; V
CTRL
& GT ; V
EE
输出低电压(最大值摇摆)
(注9 )
V
CTRL

V
BB
VCC

V
CTRL
& GT ; V
BB
V
CTRL
= V
CC
(最小回转)
V
IH
V
IL
V
CTRL
V
IHCMR
D,D输入高电压(单端)
D,D输入低电压(单端)
输入电压(V
CTRL
)
输入高电压共模
范围(差分配置)
(注10 )
输入高电流
输入低电平电流
(V
TT
开)
(V
TT
开)
150
1195
1225
1945
V
EE
V
EE
+2.0
30
1145
典型值
36
1020
最大
42
895
31
1145
25°C
典型值
38
1020
最大
44
895
32
1145
85°C
典型值
40
1020
最大
48
895
单位
mA
mV
mV
1945
1810
SEE
Fig.2
1070
945
880
1625
V
CC
0.4
1205
1225
1945
V
EE
V
EE
+2.0
1695
1945
1780
SEE
Fig.2
1080
955
880
1625
V
CC
0.4
1235
1225
1945
V
EE
V
EE
+2.0
1695
1945
1780
SEE
Fig.2
1110
985
880
1625
V
CC
0.4
mV
mV
mV
V
1695
I
IH
I
IL
150
150
150
150
150
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8.输入和输出参数发生变化1 : 1与V
CC
.
9.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V. V
OH
不带V改变
CTRL
. V
OL
与V的变化
CTRL
. V
CTRL
是参考V
CC
.
10. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表7. AC特性
V
CC
= 0 V; V
EE
=
3.0
V到
5.5
V或V
CC
= 3.0 V至5.5 V ; V
EE
= 0 V (注11 )
40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
t
SKEW
t
抖动
V
PP
t
r
, t
f
特征
最大切换频率
(参见图8 F
最大
/抖动)
传播延迟至差分输出
最大摇摆
闵秋千
占空比歪斜(注12 )
周期到周期抖动
(参见图8 F
最大
/抖动)
输入电压摆幅
(差分配置) (注13 )
输出上升/下降时间
(20%
80%)
最大回转Q
闵秋千
150
70
30
250
200
典型值
>4
最大
25°C
典型值
>4
最大
85°C
典型值
>4
最大
单位
GHz的
ps
350
300
20
<1
1200
170
130
150
80
20
250
200
300
250
5.0
0.2
800
130
70
350
300
20
<1
1200
180
120
150
100
20
250
200
300
250
5.0
0.2
800
150
70
350
300
20
<1
1200
200
120
ps
ps
mV
ps
300
250
5.0
0.2
800
120
80
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
11.使用一个750毫伏源, 50%占空比的时钟源进行测定。所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
12.倾斜测量在相同的输出转换之间。占空比歪斜只为微分运算定义时的延误
从输入端的交叉点进行测量,以在输出端的交叉点。
13. V
PP
(分钟)为最小输入摆幅其中AC参数的保证。
http://onsemi.com
5
查看更多MC100EP16VTDPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MC100EP16VTD
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ:1245773710 复制

电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
MC100EP16VTD
ON
25+
3200
SOIC-8
全新原装正品特价售销!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
MC100EP16VTD
ON
22+
4672
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
MC100EP16VTD
ON/安森美
1925+
9852
SOP8
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
MC100EP16VTD
ON
17+
9600
N/A
全新原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MC100EP16VTD
onsemi
24+
10000
8-SOIC
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MC100EP16VTD
ON/安森美
24+
8640
SOP8
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
MC100EP16VTD
MOTOROLA
25+23+
25500
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3350142453 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393564 复制

电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
MC100EP16VTD
ON
23+
9604
原厂标准封装
绝对进口原装,公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97671959 复制

电话:171-4729-9698(微信同号)
联系人:周小姐,171-4729-9698微信同号,无线联通更快捷!
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
MC100EP16VTD
ON
24+
1001
SOP-8
★体验愉快问购元件!!就找我吧!《停产物料》
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
MC100EP16VTD
ON Semiconductor
24+
22000
450¥/片,原装正品假一赔百!
查询更多MC100EP16VTD供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!