添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第964页 > MC100EP16VBD
ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
http://onsemi.com
评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板,顶部和底部的视图,它
可以以几种不同的方式进行配置,这取决于
被测设备(见表1配置列表) 。
该评估板手册包含:
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表,其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂(双)电源(图2 。
评估板糊) 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中,一个分开的(双)电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质,其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件(DUT ),以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号:
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
LAY -UP细节
4层
丝印层(TOP SIDE )
0.062
$
0.007
第1层(TOP SIDE )
罗杰斯4003在0.008
第2层(地面和VEE面P1 ) 1盎司
FR-4在0.020
第3层(地面和VCC平面P2 ) 1盎司
FR-4在0.025
第4层(底部)
图2.评估板糊
电路板布局
8引脚SOIC评估板被设计成
多才多艺,适应多种不同的配置。
的输入,输出和电源引脚的评价布局
板示于图3.评价板具有至少
11可能的配置选项。表1.清单
的设备和利用该印刷电路板相关的配置
板。组件和简单的原理图的列表位于
图4通过J1 14.将SMA连接器
通过J7 , 50
W
通过R7 R1上贴片电阻和芯片
通过电容C4根据配置C1
数字。 ( C1和C2是0.01
mF
和C3和C4是0.1
MF) 。
顶视图
底部视图
图3.评估板布局
http://onsemi.com
2
ECLSOIC8EVB
表1.配置列表
ECLinPS LiteE
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL04D/MC100EL04D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL07D/MC100EL07D
MC10EL11D/MC100EL11D
MC10EL12D/MC100EL12D
MC10EL16D/MC100EL16D*
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL32D/MC100EL32D
MC10EL33D/MC100EL33D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC10EL58D/MC100EL58D
MC10EL89D/MC100EL89D
MC10ELT20D/
MC100ELT20D
MC10ELT21D/
MC100ELT21D
MC10ELT22D/
MC100ELT22D
MC100ELT23D
MC10ELT26D/
MC100ELT26D
MC10ELT28D/
MC100ELT28D
评论
参见图4
参见图5
参见图4
参见图5
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
见图14
CON组fi guration
1
2
1
2
3
3
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
11
MC100EP16FD*
MC10EP16TD/
MC100EP16TD*
MC100EP16VAD*
MC100EP16VBD*
MC100EP16VCD*
MC100EP16VSD*
MC100EP16VTD*
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP32D/MC100EP32D
MC10EP33D/MC100EP33D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
MC10EP58D/MC100EP58D
MC100EP89D
MC10EPT20D/
MC100EPT20D
MC100EPT21D*
MC100EPT22D
低电压ECLinPSE
设备
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL11D
MC100LVEL12D
MC100LVEL16D*
MC100LVEL31D
MC100LVEL32D
MC100LVEL33D
MC100LVEL51D
MC100LVEL58D
MC100LVELT22D
MC100LVELT23D
评论
参见图4
参见图4
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图8
见图11
见图12
CON组fi guration
1
1
3
3
2
1
4
4
1
5
8
9
NB6L11D
NB6L16D
设备
ECLinPS MAXE
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100LVEP11D
MC100LVEP16D*
低电压ECLinPS加
设备
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100EPT23D*
MC100EPT26D*
参见图5
参见图5
参见图5
参见图5
参见图8
参见图5
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
2
2
2
2
5
2
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
设备
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP11D/MC100EP11D
MC10EP16D/
MC100EP16D*
ECLinPS PLUSE
评论
参见图4
参见图4
参见图4
参见图6
参见图5
CON组fi guration
1
1
1
3
2
*请参阅附录的补充或修改,以当前
配置。
http://onsemi.com
3
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔,它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置(见表1配置列表) 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率,降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试,分裂(双)电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号(V
TT
= V
CC
- 2.0 V,在分离电源设置,V
TT
是系统接地,V
CC
是2.0伏,和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 :电源电平) 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND)通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器(上终止的更多信息在提供
AN8020 ) 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入,
R 2, R 3 ,R 4 ,R 6和R 7 ,根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板,焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大,并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后,建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计(TDR )是另一个强烈推荐
验证测试。
http://onsemi.com
4
ECLSOIC8EVB
CON连接gurations
V
CC
GND
C4
0.1
mF
R1
50
W
J1
R2
50
W
J2
R3
50
W
J3
R4
50
W
J4
C1
0.01
mF
DUT
J5
C2
0.01
mF
J6
C3
0.1
mF
V
EE
GND
图4.配置1示意图
表4.配置1
销1
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL31D
MC100LVEL51D
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
No
是的
No
是的
是的
J1
R1
销2
J2
R2
3脚
J3
R3
引脚4
J4
R4
5脚
C2
C3
引脚6
J6
R6
7针
J7
R7
引脚8
C1
C4
http://onsemi.com
5
MC100EP16VB
3.3V / 5V ECL差分
接收器/驱动器,具有高
和Low Gain
描述
该EP16VB是一个世界级的差分接收器/驱动器。该
装置在功能上等同于EP16和LVEP16器件,但
用高和低增益输出。 Q
HG
和Q
HG
输出有直流
获得几倍的EP16的直流增益越大。 Q输出是
提供反馈的目的。
在V
BB
销,内部产生的电源电压,提供给
仅此设备。对于单端输入条件,未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时,去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时,V
BB
应由开放。
特别注意事项都需要在无差分输入
信号条件,防止不稳定。
100系列包含温度补偿。
特点
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS *
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
KEP65
ALYW
G
1
8
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
1
KP65
ALYWG
G
获得> 200
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围: V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围: V
CC
= 0 V
随着V
EE
=
3.0
V到
5.5
V
V
BB
产量
无铅包可用
A
L
Y
W
M
G
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=日期代码
= Pb-Free包装
1
(注:微球可在任一位置)
*有关其他标识信息,请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年12月,
第4版
1
出版订单号:
MC100EP16VB/D
3F MG
G
4
MC100EP16VB
表1.引脚说明
Q
1
8
V
CC
D*, D*
Q
D
2
7
Q
HG
Q
HG
, Q
HG
V
BB
V
CC
D
3
6
Q
HG
V
EE
EP
功能
ECL数据输入
ECL数据输出
ECL高增益输出数据
参考电压输出
正电源
负电源
裸露焊盘必须被连接到一
足够的热导管。电
连接至负电源或
悬空开放。
V
BB
4
5
V
EE
*当悬空引脚默认为低电平。
图1. 8引脚引脚
( TOP VIEW )
逻辑
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 1
LEVEL 1
价值
75千瓦
不适用
& GT ; 4千伏
& GT ; 200 V
& GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 3
LEVEL 1
湿气敏感度,不定超时Drypack (注1 )
SOIC8
TSSOP8
DFN8
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息,请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数:28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
167设备
http://onsemi.com
2
MC100EP16VB
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
DFN8
DFN8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
0.5
40
+85
65
+150
190
130
41至44
185
140
41至44
129
84
265
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
表4. 100EP直流特性, PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V (注2)
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注3 )
输出低电压(注3 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输出电压参考值
输入高电压共模范围
(差分配置) (注4 )
输入高电流
输入低电平电流
0.5
25
2125
1305
2075
1355
1730
2.0
1845
典型值
34
2250
1430
最大
45
2375
1555
2420
1675
1960
3.3
150
0.5
30
2125
1305
2075
1355
1730
2.0
1845
25°C
典型值
36
2250
1400
最大
50
2375
1555
2420
1675
1960
3.3
150
0.5
32
2125
1305
2075
1355
1730
2.0
1845
85°C
典型值
38
2250
1380
最大
52
2375
1555
2420
1675
1960
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 : 1与V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
3.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
4. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
3
MC100EP16VB
表5. 100EP直流特性, PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0V (注5)
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注6 )
输出低电压(注6 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输出电压参考值
输入高电压共模范围
(差分配置) (注7 )
输入高电流
输入低电平电流
0.5
25
3825
3005
3775
3055
3430
2.0
3445
典型值
34
3950
3130
最大
45
4075
3255
4120
3375
3660
5.0
150
0.5
30
3825
3005
3775
3055
3430
2.0
3445
25°C
典型值
36
3950
3100
最大
50
4075
3255
4120
3375
3660
5.0
150
0.5
32
3825
3005
3775
3055
3430
2.0
3445
85°C
典型值
38
3950
3080
最大
52
4075
3255
4120
3375
3660
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入和输出参数的变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
7. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表6. 100EP直流特性, NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
=
5.5
V到
3.0
V(注8)
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压(注9 )
输出低电压(注9 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输出电压参考值
输入高电压共模
范围(差分配置)
(注10 )
输入高电流
输入低电平电流
0.5
25
1175
1995
1225
1945
1570
1455
V
EE
+ 2.0
典型值
34
1050
1870
最大
45
925
1745
880
1625
1340
0.0
30
1175
1995
1225
1945
1570
1455
V
EE
+ 2.0
25°C
典型值
36
1050
1900
最大
50
925
1745
880
1625
1340
0.0
32
1175
1995
1225
1945
1570
1455
V
EE
+ 2.0
85°C
典型值
38
1050
1920
最大
52
925
1745
880
1625
1340
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
0.5
150
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8.输入和输出参数发生变化1 : 1与V
CC
.
9.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
10. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC100EP16VB
表7. AC特性
V
CC
= 0 V; V
EE
=
3.0
V到
5.5
V或V
CC
= 3.0 V至5.5 V ; V
EE
= 0 V (注11 )
40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
特征
最大频率(图2)
传播延迟
(差分) Q
(差分) QHG , QHG
(单端) Q
(单端) QHG , QHG
占空比歪斜(注12 )
周期到周期抖动(图3)
输入电压摆幅
输出上升/下降时间
(20%
80%)
(差分) HG
(差分) Q
Q
QHG , QHG
25
150
200
70
200
200
250
250
典型值
>3
275
280
325
330
5.0
0.2
800
800
270
130
350
350
400
400
20
<1
1200
1200
400
220
25
150
220
80
250
250
300
300
最大
25°C
典型值
>3
300
300
350
350
5.0
0.2
800
800
300
150
400
400
450
450
20
<1
1200
1200
420
240
25
150
250
100
275
275
325
325
最大
85°C
典型值
>3
310
320
360
370
5.0
0.2
800
800
310
170
425
425
475
475
20
<1
1200
1200
450
270
最大
单位
GHz的
ps
t
SKEW
t
抖动
V
PP
t
r
t
f
ps
ps
mV
ps
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
11.使用一个750毫伏源, 50%占空比的时钟源进行测定。所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
12.倾斜测量在相同的输出转换之间。占空比歪斜只为微分运算定义时的延误
从输入端的交叉点进行测量,以在输出端的交叉点。
900
800
V
OUTpp
(毫伏)
700
600
500
400
300
200
100
0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
4000
抖动
OUT
PS ( RMS)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
频率(MHz)
图2 F
最大
/抖动QHG , QHG输出
http://onsemi.com
5
查看更多MC100EP16VBDPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MC100EP16VBD
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
MC100EP16VBD
ON/安森美
24+
22000
SOP8
原装正品假一赔百!
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MC100EP16VBD
ON
21+22+
27000
SOP-8
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MC100EP16VBD
ON
08+
6500
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3008610302 复制 点击这里给我发消息 QQ:2850971775 复制
电话:755-23914055
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强广场C座24I
MC100EP16VBD
ON
08+
6500
SOP-8
全新原装 一站式配单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
MC100EP16VBD
ON
24+
8000
SOP-8
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:575915585 复制

电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
MC100EP16VBD
ON
24+
6500
SOP-8
全新原装正品,热卖价优
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1145221602 复制

电话:0755-82716764
联系人:张生
地址:福田区 华强北 上步工业区 501栋812
MC100EP16VBD
ON
22+
10500
SOP-8
原装正品,特价销售
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
MC100EP16VBD
ON
21+
12500
SOP-8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
MC100EP16VBD
ON
22+
10428
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:329667411 复制 点击这里给我发消息 QQ:774382272 复制
电话:0755-83466209
联系人:谢小姐
地址:深圳市福田区华富街道华强广场B座9B
MC100EP16VBD
ON
21+
26320
查询更多MC100EP16VBD供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!