MC10EP16VA ， MC100EP16VA
3.3V / 5V ECL差分
接收器/驱动器，具有高
收益
该EP16VA是一个世界级的差分接收器/驱动器。该
装置在功能上等同于EP16和LVEP16器件，但
具有高增益输出。 Q
HG
和Q
HG
输出有直流增益数
倍比EP16的直流增益越大。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
在开放条件下的输入（拉至V
EE
）内部输入钳位
将迫使在Q
HG
输出低电平。
特别注意事项都需要在无差分输入
信号条件，防止不稳定。
100系列包含温度补偿。
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标记DIAGRAMS *
8
1
SO–8
后缀
CASE 751
8
HEP64
ALYW
1
1
8
KEP64
ALYW
8
1
TSSOP–8
DT后缀
CASE 948R
8
HP64
ALYW
1
8
KP64
ALYW
1
270 ps的典型传播延迟
获得> 200
20 mV的最小输入电压摆幅
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
H = MC10
K = MC100
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
V
BB
产量
订购信息
设备
MC10EP16VAD
MC10EP16VADR2
MC100EP16VAD
MC100EP16VADR2
MC10EP16VADT
MC10EP16VADTR2
MC100EP16VADT
包
SO–8
SO–8
SO–8
SO–8
TSSOP–8
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
98单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
TSSOP - 8 2500磁带&卷轴
TSSOP–8
100单位/铁
MC100EP16VADTR2 TSSOP - 8 2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年9月 - 第4版
出版订单号：
MC10EP16VA/D
MC10EP16VA ， MC100EP16VA
NC
1
8
V
CC
引脚说明
针
D
2
7
Q
HG
D*, D*
Q
HG
, Q
HG
V
BB
D
3
6
Q
HG
V
CC
V
EE
NC
V
BB
4
5
V
EE
功能
ECL数据输入
ECL高增益输出数据
参考电压输出
正电源
负电源
无连接
*当悬空引脚默认为低电平。
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
不适用
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
UL- 94 V-0 @ 0.125在
167
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
θ
JA
θ
JC
θ
JA
θ
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
C
ODE
ü 年龄
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
V
I
V
EE
条件2
等级
6
–6
6
–6
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
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2
MC10EP16VA ， MC100EP16VA
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分）（注5）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
20
2165
1365
2090
1365
1750
2.0
1850
典型值
28
2240
1490
最大
31
2415
1615
2415
1690
1950
3.3
150
0.5
民
22
2230
1430
2155
1460
1825
2.0
1925
25°C
典型值
30
2355
1555
最大
38
2480
1680
2480
1755
2025
3.3
150
0.5
民
24
2290
1490
2215
1490
1850
2.0
1950
85°C
典型值
32
2415
1615
最大
40
2540
1740
2540
1815
2050
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注8 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
20
3865
3065
3790
3065
3450
2.0
3550
典型值
28
3940
3190
最大
31
4115
3315
4115
3390
3650
5.0
150
0.5
民
22
3930
3130
3855
3130
3525
2.0
3625
25°C
典型值
30
4055
3255
最大
38
4180
3380
4180
3455
3725
5.0
150
0.5
民
24
3990
3190
3915
3190
3550
2.0
3650
85°C
典型值
32
4115
3315
最大
40
4240
3440
4240
3515
3750
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
20
–1135
–1935
–1210
–1935
–1550
–1450
V
EE
+2.0
典型值
28
–1060
–1810
最大
31
–885
–1685
–885
–1610
–1350
0.0
150
0.5
民
22
–1070
–1870
–1145
–1870
–1475
–1375
V
EE
+2.0
25°C
典型值
30
–945
–1745
最大
38
–820
–1620
–820
–1545
–1275
0.0
150
0.5
民
24
–1010
–1810
–1085
–1810
–1450
–1350
V
EE
+2.0
85°C
典型值
32
–885
–1685
最大
40
–760
–1560
–760
–1485
–1250
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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3
MC10EP16VA ， MC100EP16VA
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注14 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
20
2155
1355
2075
1355
1550
2.0
1850
典型值
28
2280
1480
最大
36
2405
1605
2420
1675
1950
3.3
150
0.5
民
22
2155
1355
2075
1355
1725
2.0
1825
25°C
典型值
30
2280
1480
最大
38
2405
1605
2420
1675
1925
3.3
150
0.5
民
24
2155
1355
2075
1355
1700
2.0
1800
85°C
典型值
32
2280
1480
最大
40
2405
1605
2420
1675
1900
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（注16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注17 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
20
3855
3055
3775
3055
3450
2.0
3550
典型值
28
3980
3180
最大
36
4105
3305
4120
3375
3650
5.0
150
0.5
民
22
3855
3055
3775
3055
3425
2.0
3525
25°C
典型值
30
3980
3180
最大
38
4105
3305
4120
3375
3625
5.0
150
0.5
民
24
3855
3055
3775
3055
3400
2.0
3500
85°C
典型值
32
3980
3180
最大
40
4105
3305
4120
3375
3600
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注18 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注19 ）
输出低电压（注19 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注20 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
20
–1145
–1945
–1225
–1945
–1550
–1450
V
EE
+2.0
典型值
28
–1020
–1820
最大
36
–895
–1695
–880
–1625
–1350
0.0
150
0.5
民
22
–1145
–1945
–1225
–1945
–1575
–1475
V
EE
+2.0
25°C
典型值
30
–1020
–1820
最大
38
–895
–1695
–880
–1625
–1375
0.0
150
0.5
民
24
–1145
–1945
–1225
–1945
–1600
–1500
V
EE
+2.0
85°C
典型值
32
–1020
–1820
最大
40
–895
–1695
–880
–1625
–1400
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
18.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
19.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
20. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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4
MC10EP16VA ， MC100EP16VA
AC特性
V
CC
= 0 V; V
EE
= -3.0 V至-5.5 V或V
CC
= 3.0 V至5.5 V ; V
EE
= 0 V （注21 ）
–40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
t
SKEW
t
抖动
V
PP
t
r
t
f
特征
最大频率
（参见图2 F
最大
/抖动）
传播延迟
差分输出
占空比歪斜（注22 ）
周期到周期抖动
（参见图2 F
最大
/抖动）
输入电压摆幅（差分）
（参见图3）
输出上升/下降时间
(20% – 80%)
Q, Q
20
70
200
民
典型值
>3
260
5.0
0.2
800
110
320
20
<1
1200
170
20
80
220
最大
民
25°C
典型值
>3
270
5.0
0.2
800
110
340
20
<1
1200
180
20
80
250
最大
民
85°C
典型值
>3
320
5.0
0.2
800
120
390
20
<1
1200
200
最大
单位
GHz的
ps
ps
ps
mV
ps
21.使用一个750毫伏源， 50％占空比的时钟源进行测定。所有装载50
W
到V
CC
–2.0 V.
22.倾斜测量在相同的输出转换之间。占空比歪斜只为微分运算定义时的延误
从输入端的交叉点进行测量，以在输出端的交叉点。
900
800
V
OUTpp
（毫伏）
700
600
500
400
9
8
7
6
5
4
3
2
1
抖动
OUT
PS （ RMS）
200
100
0
（抖动）
0
1000
2000
3000
4000
5000
频率（MHz）
图2 F
最大
/抖动
800
700
600
V
OUTpp
（毫伏）
500
400
300
200
100
0
20
15
10
V
INPP
（毫伏）
5
0
图3.增益随输入电压（ 50兆赫）
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5
300
ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
http://onsemi.com
评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板，顶部和底部的视图，它
可以以几种不同的方式进行配置，这取决于
被测设备（见表1配置列表） 。
该评估板手册包含：
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表，其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂（双）电源（图2 。
评估板糊） 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中，一个分开的（双）电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质，其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件（DUT ），以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号：
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔，它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置（见表1配置列表） 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率，降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试，分裂（双）电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号（V
TT
= V
CC
- 2.0 V，在分离电源设置，V
TT
是系统接地，V
CC
是2.0伏，和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 ：电源电平） 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND）通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器（上终止的更多信息在提供
AN8020 ） 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入，
R 2， R 3 ，R 4 ，R 6和R 7 ，根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板，焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大，并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后，建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计（TDR ）是另一个强烈推荐
验证测试。
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4
MC10EP16VA ， MC100EP16VA
3.3V / 5V ECL差分
接收器/驱动器，具有高
收益
描述
该EP16VA是一个世界级的差分接收器/驱动器。该
装置在功能上等同于EP16和LVEP16器件，但
具有高增益输出。 Q
HG
和Q
HG
输出有直流增益数
倍比EP16的直流增益越大。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
在开放条件下的输入（拉至V
EE
）内部输入钳位
将迫使在Q
HG
输出低电平。
特别注意事项都需要在无差分输入
信号条件，防止不稳定。
100系列包含温度补偿。
特点
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标记DIAGRAMS *
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
HEP64
ALYW
G
8
KEP64
ALYW
G
1
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
8
HP64
ALYWG
G
8
KP64
ALYWG
G
1
1
270 ps的典型传播延迟
获得> 20
20 mV的最小输入电压摆幅
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
=
3.0
V到
5.5
V
打开输入默认状态
V
BB
产量
无铅包可用
MG 5N
G
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
H
K
5N
3E
M
= MC10
= MC100
= MC10
= MC100
=日期代码
1
4
1
A
L
Y
W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年12月，
启8
1
出版订单号：
MC10EP16VA/D
3E MG
G
4
MC10EP16VA ， MC100EP16VA
表1.引脚说明
NC
1
8
V
CC
针
D*, D*
D
2
7
Q
HG
Q
HG
, Q
HG
V
BB
V
CC
D
3
6
Q
HG
V
EE
NC
EP
功能
ECL数据输入
ECL高增益输出数据
参考电压输出
正电源
负电源
无连接
裸露焊盘必须连接
到足够的热导管。
电连接到所述最
负电源或悬空
开。
V
BB
4
5
V
EE
*当悬空引脚默认为低电平。
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 1
LEVEL 1
价值
75千瓦
不适用
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 3
LEVEL 1
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
SOIC8
TSSOP8
DFN8
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
UL- 94 V-0 @ 0.125在
167
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2
MC10EP16VA ， MC100EP16VA
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
DFN8
DFN8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
V
I
V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
0.5
40
+85
65
+150
190
130
41至44
185
140
41至44
129
84
265
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
表4. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注2）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注3 ）
输出低电压（注3 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置） （注4 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
20
2165
1365
2090
1365
1790
2.0
1950
典型值
28
2240
1490
最大
31
2415
1615
2415
1690
1990
3.3
150
0.5
民
22
2230
1430
2155
1460
1855
2.0
2000
25°C
典型值
30
2355
1555
最大
38
2480
1680
2480
1755
2055
3.3
150
0.5
民
24
2290
1490
2215
1490
1915
2.0
2040
85°C
典型值
32
2415
1615
最大
40
2540
1740
2540
1815
2115
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
3.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
4. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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3
MC10EP16VA ， MC100EP16VA
表5. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0V （注5）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注6 ）
输出低电压（注6 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置） （注7 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
20
3865
3065
3790
3065
3490
2.0
3633
典型值
28
3940
3190
最大
31
4115
3315
4115
3390
3690
5.0
150
0.5
民
22
3930
3130
3855
3130
3555
2.0
3670
25°C
典型值
30
4055
3255
最大
38
4180
3380
4180
3455
3755
5.0
150
0.5
民
24
3990
3190
3915
3190
3615
2.0
3710
85°C
典型值
32
4115
3315
最大
40
4240
3440
4240
3515
3815
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表6. 10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
=
5.5
V到
3.0
V（注8）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注9 ）
输出低电压（注9 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注10 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
20
1135
1935
1210
1935
1510
1367
典型值
28
1060
1810
最大
31
885
1685
885
1610
1310
0.0
民
22
1070
1870
1145
1870
1445
1330
25°C
典型值
30
945
1745
最大
38
820
1620
820
1545
1245
0.0
民
24
1010
1810
1085
1810
1385
1290
85°C
典型值
32
885
1685
最大
40
760
1560
760
1485
1185
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
I
IH
I
IL
150
0.5
150
0.5
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
.
9.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
10. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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4
MC10EP16VA ， MC100EP16VA
表7. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注11 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注12 ）
输出低电压（注12 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注13 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
20
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
典型值
28
2280
1480
最大
36
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
民
22
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
25°C
典型值
30
2280
1480
最大
38
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
民
24
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
85°C
典型值
32
2280
1480
最大
40
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
0.5
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
11.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
12.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
13. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表8. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注14 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注15 ）
输出低电压（注15 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注16 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
20
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
典型值
28
3980
3180
最大
36
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
民
22
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
25°C
典型值
30
3980
3180
最大
38
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
民
24
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
85°C
典型值
32
3980
3180
最大
40
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
0.5
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
14.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
15.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
16. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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