MC10EP16T ， MC100EP16T
3.3V / 5V ECL差分
接收器/驱动器
内部端接
描述
该EP16T是一个世界级的差分接收器/驱动器。该装置
在功能上等价于具有内部终止EP16
电阻器。一名50
W
电阻从D输入端连接到所述的VT销
和从D输入到VT引脚。领带的VT和VT引脚VTT
电源（V
CC
2 V ）并行端接或连接的VT和VT
销100
W
输入串联终端。
特别注意事项都需要在无差分输入
信号条件，防止不稳定。
100系列包含温度补偿。
特点
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS *
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
8
HEP61
ALYW
G
8
KEP61
ALYW
G
1
220 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
=
3.0
V到
5.5
V
内部50
W
终端电阻
无铅包可用
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
8
HP61
ALYWG
G
8
KP61
ALYWG
G
1
1
5M MG
G
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
H
K
5M
3D
M
= MC10
= MC100
= MC10
= MC100
=日期代码
1
4
1
A
L
Y
W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年12月，
启5
1
出版订单号：
MC10EP16T/D
3D MG
G
4
MC10EP16T ， MC100EP16T
表1.引脚说明
针
50
W
D
2
7
Q
D, D
Q, Q
V
CC
V
EE
VT
D
3
50
W
VT
4
5
V
EE
6
Q
VT
EP
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
正电源
负电源
50
W
终端电阻为D
50
W
终端电阻为D
裸露焊盘必须连接
到足够的热导管。
电连接到所述最
负电源或悬空
开。
VT
1
8
V
CC
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 1
LEVEL 1
价值
不适用
不适用
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 3
LEVEL 1
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
SOIC8
TSSOP8
DFN8
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
167设备
http://onsemi.com
2
MC10EP16T ， MC100EP16T
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
DFN8
DFN8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
0.5
40
+85
65
+150
190
130
41至44
185
140
41至44
129
84
265
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
表4. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注2）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
R
T
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注3 ）
输出低电压（注3 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围
（差分配置） （注4 ）
内部终端电阻
输入高电流
输入低电平电流
150
民
16
2165
1365
2090
1365
2.0
43
典型值
23
2290
1490
最大
31
2415
1615
2415
1690
3.3
57
150
150
民
16
2230
1430
2155
1430
2.0
43
50
25°C
典型值
23
2355
1555
最大
31
2480
1680
2480
1755
3.3
57
150
150
民
16
2290
1490
2215
1490
2.0
43
85°C
典型值
23
2415
1615
最大
31
2540
1740
2540
1815
3.3
57
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
W
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
3.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
4. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
3
MC10EP16T ， MC100EP16T
表5. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0V （注5）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
R
T
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注6 ）
输出低电压（注6 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围
（差分配置） （注7 ）
内部终端电阻
输入高电流
输入低电平电流
150
民
16
3865
3065
3790
3065
2.0
43
典型值
23
3990
3190
最大
31
4115
3315
4115
3390
5.0
57
150
150
民
16
3930
3130
3855
3130
2.0
43
50
25°C
典型值
23
4055
3255
最大
31
4180
3380
4180
3455
5.0
57
150
150
民
16
3990
3190
3915
3190
2.0
43
85°C
典型值
23
4115
3315
最大
31
4240
3440
4240
3515
5.0
57
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
W
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表6. 10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
=
5.5
V到
3.0
V（注8）
40°C
符号
I
EE
VOH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
R
T
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注9 ）
输出低电压（注9 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注10 ）
内部终端电阻
输入高电流
输入低电平电流
150
民
16
1135
1935
1210
1935
V
EE
+ 2.0
43
典型值
23
1010
1810
最大
31
885
1685
885
1610
0.0
民
16
1070
1870
1145
1870
V
EE
+ 2.0
43
150
50
25°C
典型值
23
945
1745
最大
31
820
1620
820
1545
0.0
民
16
1010
1810
1085
1810
V
EE
+ 2.0
43
150
85°C
典型值
23
885
1685
最大
31
760
1560
760
1485
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
57
150
57
150
57
150
W
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
.
9.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
10. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP16T ， MC100EP16T
表7. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注11 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
R
T
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注12 ）
输出低电压（注12 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围
（差分配置） （注13 ）
内部终端电阻
输入高电流
输入低电平电流
150
民
18
2155
1355
2075
1355
2.0
43
典型值
25
2280
1480
最大
35
2405
1605
2420
1675
3.3
57
150
150
民
20
2155
1355
2075
1355
2.0
43
50
25°C
典型值
27
2280
1480
最大
37
2405
1605
2420
1675
3.3
57
150
150
民
22
2155
1355
2075
1355
2.0
43
85°C
典型值
29
2280
1480
最大
39
2405
1605
2420
1675
3.3
57
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
W
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
11.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
12.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
13. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表8. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注14 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
R
T
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注15 ）
输出低电压（注15 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围
（差分配置） （注16 ）
内部终端电阻
输入高电流
输入低电平电流
150
民
18
3855
3055
3775
3055
2.0
43
典型值
25
3980
3180
最大
35
4105
3305
4120
3375
5.0
57
150
150
民
20
3855
3055
3775
3055
2.0
43
50
25°C
典型值
27
3980
3180
最大
37
4105
3305
4120
3375
5.0
57
150
150
民
22
3855
3055
3775
3055
2.0
43
85°C
典型值
29
3980
3180
最大
39
4105
3305
4120
3375
5.0
57
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
W
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
14.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
15.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
16. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
5
MC10EP16T ， MC100EP16T
3.3V / 5V ECL差分
接收器/驱动器
内部端接
该EP16T是一个世界级的差分接收器/驱动器。该装置
在功能上等价于具有内部终止EP16
电阻器。一名50
W
电阻从D输入端连接到所述的VT销
和从D输入到VT引脚。领带的VT和VT引脚VTT
电源（V
CC
- 2 V ）并行端接或连接的VT和VT
销100
W
输入串联终端。
特别注意事项都需要在无差分输入
信号条件，防止不稳定。
100系列包含温度补偿。
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS *
8
8
1
SO–8
后缀
CASE 751
HEP61
ALYW
1
1
8
KEP61
ALYW
220 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
内部50
W
终端电阻
8
1
TSSOP–8
DT后缀
CASE 948R
8
HP61
ALYW
1
8
KP61
ALYW
1
H = MC10
K = MC100
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
MC10EP16TD
MC10EP16TDR2
MC100EP16TD
MC100EP16TDR2
MC10EP16TDT
MC10EP16TDTR2
MC100EP16TDT
包
SO–8
SO–8
SO–8
SO–8
TSSOP–8
TSSOP–8
TSSOP–8
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
98单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
2500磁带&卷轴
MC100EP16TDTR2 TSSOP - 8
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年9月 - 第3版
出版订单号：
MC10EP16T/D
MC10EP16T ， MC100EP16T
VT
1
50
W
8
V
CC
引脚说明
7
Q
针
D, D
Q, Q
V
CC
V
EE
VT
VT
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
正电源
负电源
50
W
终端电阻为D
50
W
终端电阻为D
D
2
D
3
50
W
6
Q
VT
4
5
V
EE
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
不适用
不适用
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
UL- 94 V-0 @ 0.125在
167
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
θ
JA
θ
JC
θ
JA
θ
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模式在UT电压
输入
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
V
I
V
EE
条件2
等级
6
–6
6
–6
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
http://onsemi.com
2
MC10EP16T ， MC100EP16T
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
R
T
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分）（注5）
内部终端电阻
输入高电流
输入低电平电流
–150
民
16
2165
1365
2090
1365
2.0
43
典型值
23
2290
1490
最大
31
2415
1615
2415
1690
3.3
57
150
–150
民
16
2230
1430
2155
1430
2.0
43
50
25°C
典型值
23
2355
1555
最大
31
2480
1680
2480
1755
3.3
57
150
–150
民
16
2290
1490
2215
1490
2.0
43
85°C
典型值
23
2415
1615
最大
31
2540
1740
2540
1815
3.3
57
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
W
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
R
T
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分） （注8 ）
内部终端电阻
输入高电流
输入低电平电流
–150
民
16
3865
3065
3790
3065
2.0
43
典型值
23
3990
3190
最大
31
4115
3315
4115
3390
5.0
57
150
–150
民
16
3930
3130
3855
3130
2.0
43
50
25°C
典型值
23
4055
3255
最大
31
4180
3380
4180
3455
5.0
57
150
–150
民
16
3990
3190
3915
3190
2.0
43
85°C
典型值
23
4115
3315
最大
31
4240
3440
4240
3515
5.0
57
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
W
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
R
T
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分） （注11 ）
内部终端电阻
输入高电流
输入低电平电流
–150
民
16
–1135
–1935
–1210
–1935
V
EE
+2.0
43
典型值
23
–1010
–1810
最大
31
–885
–1685
–885
–1610
0.0
57
150
–150
民
16
–1070
–1870
–1145
–1870
V
EE
+2.0
43
50
25°C
典型值
23
–945
–1745
最大
31
–820
–1620
–820
–1545
0.0
57
150
–150
民
16
–1010
–1810
–1085
–1810
V
EE
+2.0
43
85°C
典型值
23
–885
–1685
最大
31
–760
–1560
–760
–1485
0.0
57
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
W
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
3
MC10EP16T ， MC100EP16T
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
R
T
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分） （注14 ）
内部终端电阻
输入高电流
输入低电平电流
–150
民
18
2155
1355
2075
1355
2.0
43
典型值
25
2280
1480
最大
35
2405
1605
2420
1675
3.3
57
150
–150
民
20
2155
1355
2075
1355
2.0
43
50
25°C
典型值
27
2280
1480
最大
37
2405
1605
2420
1675
3.3
57
150
–150
民
22
2155
1355
2075
1355
2.0
43
85°C
典型值
29
2280
1480
最大
39
2405
1605
2420
1675
3.3
57
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
W
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
R
T
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（注16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分） （注17 ）
内部终端电阻
输入高电流
输入低电平电流
–150
民
18
3855
3055
3775
3055
2.0
43
典型值
25
3980
3180
最大
35
4105
3305
4120
3375
5.0
57
150
–150
民
20
3855
3055
3775
3055
2.0
43
50
25°C
典型值
27
3980
3180
最大
37
4105
3305
4120
3375
5.0
57
150
–150
民
22
3855
3055
3775
3055
2.0
43
85°C
典型值
29
3980
3180
最大
39
4105
3305
4120
3375
5.0
57
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
W
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注18 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
R
T
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注19 ）
输出低电压（注19 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分） （注20 ）
内部终端电阻
输入高电流
输入低电平电流
–150
民
18
–1145
–1945
–1225
–1945
V
EE
+2.0
43
典型值
25
–1020
–1820
最大
35
–895
–1695
–880
–1625
0.0
57
150
–150
民
20
–1145
–1945
–1225
–1945
V
EE
+2.0
43
50
25°C
典型值
27
–1020
–1820
最大
37
–895
–1695
–880
–1625
0.0
57
150
–150
民
22
–1145
–1945
–1225
–1945
V
EE
+2.0
43
85°C
典型值
29
–1020
–1820
最大
39
–895
–1695
–880
–1625
0.0
57
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
W
A
A
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
18.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
19.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
20. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP16T ， MC100EP16T
AC特性
V
CC
= 0 V; V
EE
= -3.0 V至-5.5 V或V
CC
= 3.0 V至5.5 V ; V
EE
= 0 V （注21 ）
–40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
t
SKEW
t
抖动
V
PP
t
r
t
f
特征
最大频率
（参见图2 F
最大
/抖动）
传播延迟
差分输出
占空比歪斜（注22 ）
周期到周期抖动
（参见图2 F
最大
/抖动）
输入电压摆幅（差分）
输出上升/下降时间
(20% – 80%)
Q, Q
150
70
150
民
典型值
>3
230
5.0
0.2
800
120
300
20
<1
1200
170
150
80
150
最大
民
25°C
典型值
>3
240
5.0
0.2
800
130
300
20
<1
1200
180
150
100
200
最大
民
85°C
典型值
>3
275
5.0
0.2
800
140
350
20
<1
1200
200
最大
单位
GHz的
ps
ps
ps
mV
ps
21.使用一个750毫伏源， 50％占空比的时钟源进行测定。所有装载50
W
到V
CC
–2.0 V.
22.倾斜测量在相同的输出转换之间。占空比歪斜只为微分运算定义时的延误
从输入端的交叉点进行测量，以在输出端的交叉点。
900
800
V
OUTpp
（毫伏）
700
600
500
400
300
200
100
0
9
抖动
OUT
PS （ RMS）
8
7
6
5
4
3
2
1
（抖动）
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
图2 F
最大
/抖动
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
