初步数据表
MOS集成电路
MC- 4R64CEE6B ， 4R64CEE6C
直接Rambus
TM
DRAM RIMM
TM
模块
64M字节（ 32M -字×16位）
描述
直接的Rambus RIMM模块是一个通用的高性能内存模块子系统，适用于
在范围广泛的应用程序使用，包括计算机存储器，个人计算机，工作站和其他
应用中的高带宽和低延迟是必需的。
MC- 4R64CEE6B ， 4R64CEE6C模块由四个128M直接Rambus的DRAM （ RDRAM直接 ）设备
(
PD488448 ） 。这些是非常受16位组织为8M字的高速CMOS的DRAM 。利用
RAMBUS信号级（ RSL）技术允许同时使用了600MHz ， 711MHz或800MHz的传输速率
传统的系统和电路板设计技术。
直接RDRAM设备能够持续数据传输，每两个字节（每个字节16 10纳秒）1.25纳秒。
直接RDRAM的架构可实现最高的持续带宽为多，同时，
随机寻址的存储器事务。独立的控制和数据总线具有独立的行和列
对照增产95％以上的公交车的效率。直接RDRAM的32银行支持多达四个同时交易
每个设备。
特点
184边缘连接器垫1mm厚的焊盘间距
64 MB直接RDRAM存储
每个RDRAM
有32个银行， 128银行总模块
镀金触点
RDRAMs采用芯片级封装（ CSP ）
串行存在检测支持
采用2.5 V电源供电
低功耗和掉电自刷新模式
单独的行和列客车提高效率
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件M14537EJ1V1DS00 （第1版）
发布日期1999年11月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1999
MC- 4R64CEE6B ， 4R64CEE6C
订购信息
产品型号
组织I / O频率。
兆赫
MC- 4R64CEE6B - 845
MC- 4R64CEE6B - 745
MC- 4R64CEE6B - 653
MC- 4R64CEE6C - 845
MC- 4R64CEE6C - 745
MC- 4R64CEE6C - 653
32M ×16
800
711
600
800
711
600
RAS访问时间
ns
45
45
53
45
45
53
184边缘连接器垫RIMM
与散热器
边缘连接器：镀金
4条
包
安装设备
PD488448FB
FBGA （D BGA ）封装
4条
2
TM
PD488448FF
FBGA （
BGA
）包
2
初步数据表M14537EJ1V1DS00
MC- 4R64CEE6B ， 4R64CEE6C
模块垫配置
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
B11
B12
B13
B14
B15
B16
B17
B18
B19
B20
B21
B22
B23
B24
B25
B26
B27
B28
B29
B30
B31
B32
B33
B34
B35
B36
B37
B38
B39
B40
B41
B42
B43
B44
B45
B46
GND
LDQA7
GND
LDQA5
GND
LDQA3
GND
LDQA1
GND
LCFM
GND
LCFMN
GND
NC
GND
LROW2
GND
LROW0
GND
LCOL3
GND
LCOL1
GND
LDQB0
GND
LDQB2
GND
LDQB4
GND
LDQB6
GND
LDQB8
GND
LCMD
V
CMOS
罪
V
CMOS
NC
GND
NC
V
DD
V
DD
NC
NC
NC
NC
GND
LDQA8
GND
LDQA6
GND
LDQA4
GND
LDQA2
GND
LDQA0
GND
LCTMN
GND
LCTM
GND
NC
GND
LROW1
GND
LCOL4
GND
LCOL2
GND
LCOL0
GND
LDQB1
GND
LDQB3
GND
LDQB5
GND
LDQB7
GND
LSCK
V
CMOS
SOUT
V
CMOS
NC
GND
NC
V
DD
V
DD
NC
NC
NC
NC
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
A20
A21
A22
A23
A24
A25
A26
A27
A28
A29
A30
A31
A32
A33
A34
A35
A36
A37
A38
A39
A40
A41
A42
A43
A44
A45
A46
LCFM ， LCFMN ，
B面
侧
RCFM ， RCFMN ：时钟从主
LCTM ， LCTMN ，
RCTM ， RCTMN ：时钟掌握
LCMD ， RCMD
：串口命令垫
B47
B48
B49
B50
B51
B52
B53
B54
B55
B56
B57
B58
B59
B60
B61
B62
B63
B64
B65
B66
B67
B68
B69
B70
B71
B72
B73
B74
B75
B76
B77
B78
B79
B80
B81
B82
B83
B84
B85
B86
B87
B88
B89
B90
B91
B92
NC
NC
NC
NC
V
REF
GND
SA0
V
DD
SA1
SV
DD
SA2
V
DD
RCMD
GND
RDQB8
GND
RDQB6
GND
RDQB4
GND
RDQB2
GND
RDQB0
GND
RCOL1
GND
RCOL3
GND
RROW0
GND
RROW2
GND
NC
GND
RCFMN
GND
RCFM
GND
RDQA1
GND
RDQA3
GND
RDQA5
GND
RDQA7
GND
NC
NC
NC
NC
V
REF
GND
SCL
V
DD
SDA
SV
DD
SWP
V
DD
RSCK
GND
RDQB7
GND
RDQB5
GND
RDQB3
GND
RDQB1
GND
RCOL0
GND
RCOL2
GND
RCOL4
GND
RROW1
GND
NC
GND
RCTM
GND
RCTMN
GND
RDQA0
GND
RDQA2
GND
RDQA4
GND
RDQA6
GND
RDQA8
GND
A47
A48
A49
A50
A51
A52
A53
A54
A55
A56
A57
A58
A59
A60
A61
A62
A63
A64
A65
A66
A67
A68
A69
A70
A71
A72
A73
A74
A75
A76
A77
A78
A79
A80
A81
A82
A83
A84
A85
A86
A87
A88
A89
A90
A91
A92
LROW2 - LROW0 ，
RROW2 - RROW0 ：行公交车
LCOL4 - LCOL0 ，
RCOL4 - RCOL0
LDQA8 - LDQA0 ，
RDQA8 - RDQA0
LDQB8 - LDQB0 ，
RDQB8 - RDQB0
SA0 - SA2
SCL，SDA
SIN ， SOUT
SV
DD
SWP
V
CMOS
V
DD
V
REF
GND
NC
：数据总线B
LSCK ， RSCK ：时钟输入
：串行存在检测地址
：串行存在检测时钟
：串行I / O
： SPD电压
：串行存在检测写保护
：电源电压串行垫
：电源电压
：逻辑阈值
：接地参考
：这些焊盘不连接
：数据总线
：列客车
初步数据表M14537EJ1V1DS00
3
MC- 4R64CEE6B ， 4R64CEE6C
模块名称垫
PAD
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
A20
A21
A22
A23
A24
A25
A26
A27
A28
A29
A30
A31
A32
A33
A34
A35
A36
A37
A38
A39
A40
A41
A42
A43
A44
A45
A46
信号名称
GND
LDQA8
GND
LDQA6
GND
LDQA4
GND
LDQA2
GND
LDQA0
GND
LCTMN
GND
LCTM
GND
NC
GND
LROW1
GND
LCOL4
GND
LCOL2
GND
LCOL0
GND
LDQB1
GND
LDQB3
GND
LDQB5
GND
LDQB7
GND
LSCK
V
CMOS
SOUT
V
CMOS
NC
GND
NC
V
DD
V
DD
NC
NC
NC
NC
PAD
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
B11
B12
B13
B14
B15
B16
B17
B18
B19
B20
B21
B22
B23
B24
B25
B26
B27
B28
B29
B30
B31
B32
B33
B34
B35
B36
B37
B38
B39
B40
B41
B42
B43
B44
B45
B46
信号名称
GND
LDQA7
GND
LDQA5
GND
LDQA3
GND
LDQA1
GND
LCFM
GND
LCFMN
GND
NC
GND
LROW2
GND
LROW0
GND
LCOL3
GND
LCOL1
GND
LDQB0
GND
LDQB2
GND
LDQB4
GND
LDQB6
GND
LDQB8
GND
LCMD
V
CMOS
罪
V
CMOS
NC
GND
NC
V
DD
V
DD
NC
NC
NC
NC
PAD
A47
A48
A49
A50
A51
A52
A53
A54
A55
A56
A57
A58
A59
A60
A61
A62
A63
A64
A65
A66
A67
A68
A69
A70
A71
A72
A73
A74
A75
A76
A77
A78
A79
A80
A81
A82
A83
A84
A85
A86
A87
A88
A89
A90
A91
A92
信号名称
NC
NC
NC
NC
V
REF
GND
SCL
V
DD
SDA
SV
DD
SWP
V
DD
RSCK
GND
RDQB7
GND
RDQB5
GND
RDQB3
GND
RDQB1
GND
RCOL0
GND
RCOL2
GND
RCOL4
GND
RROW1
GND
NC
GND
RCTM
GND
RCTMN
GND
RDQA0
GND
RDQA2
GND
RDQA4
GND
RDQA6
GND
RDQA8
GND
PAD
B47
B48
B49
B50
B51
B52
B53
B54
B55
B56
B57
B58
B59
B60
B61
B62
B63
B64
B65
B66
B67
B68
B69
B70
B71
B72
B73
B74
B75
B76
B77
B78
B79
B80
B81
B82
B83
B84
B85
B86
B87
B88
B89
B90
B91
B92
信号名称
NC
NC
NC
NC
V
REF
GND
SA0
V
DD
SA1
SV
DD
SA2
V
DD
RCMD
GND
RDQB8
GND
RDQB6
GND
RDQB4
GND
RDQB2
GND
RDQB0
GND
RCOL1
GND
RCOL3
GND
RROW0
GND
RROW2
GND
NC
GND
RCFMN
GND
RCFM
GND
RDQA1
GND
RDQA3
GND
RDQA5
GND
RDQA7
GND
4
初步数据表M14537EJ1V1DS00
MC- 4R64CEE6B ， 4R64CEE6C
模块连接器垫说明
信号
GND
LCFM
I / O
–
I
TYPE
–
RSL
描述
对RDRAM的核心和接口的参考地。 72 PCB连接器垫。
时钟的主。接口时钟用于从接收的RSL信号
通道。正极性。
LCFMN
I
RSL
时钟的主。接口时钟用于从接收的RSL信号
通道。负极性。
LCMD
I
V
CMOS
serial命令用来读取和写入控制寄存器。还用
电源管理。
LCOL4..LCOL0
I
RSL
列巴。含有控制和地址信息栏5位总线
访问。
LCTM
I
RSL
时钟掌握。接口时钟用于发送的RSL信号到
通道。正极性。
LCTMN
I
RSL
时钟掌握。接口时钟用于发送的RSL信号到
通道。负极性。
LDQA8..LDQA0
I / O
RSL
数据总线答： 9位总线承载的通道之间的读取或写入数据的字节
和RDRAM 。 LDQA8是采用x16 RDRAM设备模块不起作用。
LDQB8..LDQB0
I / O
RSL
数据总线B. 9位一辆载有读或写数据的字节通道之间
和RDRAM 。 LDQB8是采用x16 RDRAM设备模块不起作用。
LROW2..LROW0
LSCK
I
I
RSL
V
CMOS
行总线。 3位总线包含控制和地址信息的行的访问。
串行时钟输入。用时钟源读取和写入RDRAM
控制寄存器。
NC
–
–
这些焊盘是不连接。这24个连接器衬垫被保留以供将来
使用。
RCFM
RCFMN
RCMD
RCOL4..RCOL0
RCTM
RCTMN
RDQA8..RDQA0
I
I
I
I
I
I
I / O
RSL
RSL
V
CMOS
RSL
RSL
RSL
RSL
时钟的主。接口时钟用于从接收的RSL信号
通道。正极性。
时钟的主。接口时钟用于从接收的RSL信号
通道。负极性。
串行指令输入用于读取和写入控制寄存器。还
用于功率管理。
列巴。含有控制和地址信息栏5位总线
访问。
时钟掌握。接口时钟用于发送的RSL信号到
通道。正极性。
时钟掌握。接口时钟用于发送的RSL信号到
通道。负极性。
数据总线答： 9位总线承载的通道之间的读取或写入数据的字节
和RDRAM 。 RDQA8是采用x16 RDRAM模块不起作用
设备。
RDQB8..RDQB0
I / O
RSL
数据总线B. 9位一辆载有读或写数据的字节通道之间
和RDRAM 。 RDQB8是采用x16 RDRAM模块不起作用
设备。
RROW2..RROW0
I
RSL
行总线。 3位总线包含控制和地址信息的行的访问。
(1/2)
初步数据表M14537EJ1V1DS00
5
QQ：2881677436 复制
