初步数据表
MOS集成电路
MC-45D32CC721
32 M- WORD 72位DDR同步动态RAM模块
无缓冲型
描述
在MC- 45D32CC721是33554432字由72位DDR同步动态RAM模块上18
件的128M DDR SDRAM ：
PD45D128842组装。
这些模块提供高密度和大量内存在小的空间，而不利用surface-
安装技术的印刷电路板。
去耦电容安装在电源线上的噪声降低。
特点
33554432字由72位企业（环保型）
时钟频率
产品型号
/ CAS延时
时钟频率
（ MAX 。 ）
MC-45D32CC721KFA-C75
CL = 2.5
CL = 2
MC-45D32CC721KFA-C80
CL = 2.5
CL = 2
133兆赫
100兆赫
125兆赫
100兆赫
DDR SDRAM
无缓冲DIMM
设计规范网络阳离子
Rev.0.9标准
模块类型
全同步动态RAM与除DM ， DQS和DQ参考一个时钟上升沿的所有信号
双倍数据速率接口
差分CLK （ / CLK ）输入
数据输入和DM与DQS的两边同步
输出数据和DQS与CLK和/ CLK的交叉点同步
四银行内部操作
可以断言随机列地址在每个时钟周期
可编程模式寄存器组
/ CAS等待时间（2， 2.5）
突发长度（ 2，4， 8）
裹顺序（顺序/交织）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
2.5 V
±
0.2 V电源为V
DD
2.5 V
±
0.2 V电源为V
DD
Q
SSTL_2与所有信号兼容
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止预充电命令和突发停止命令
184针的双列直插式内存模块（引脚间距= 1.27毫米）
无缓冲型
串行PD
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件M14900EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2000年6月NS CP （ K）
日本印刷
2000
MC-45D32CC721
订购信息
产品型号
时钟频率
（ MAX 。 ）
133兆赫
包
安装设备
MC-45D32CC721KFA-C75
184针的双列直插式内存模块18件
PD45D128842G5 （修订版K）
（插座式）
（10.16毫米（ 400）， TSOP （II） ）
MC-45D32CC721KFA-C80
125兆赫
边缘连接器：镀金
31.75毫米高度
2
初步数据表M14900EJ1V0DS00
MC-45D32CC721
引脚配置
184针的双列直插内存模块插槽类型（边缘连接器：镀金）
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
V
SS
DQ4
DQ5
V
DD
Q
DM0/DQS9
DQ6
DQ7
V
SS
NC
NC
NC
V
DD
Q
DQ12
DQ13
DM1/DQS10
V
DD
DQ14
DQ15
NC
V
DD
Q
NC
DQ20
NC
V
SS
DQ21
A11
DM2/DQS11
V
DD
DQ22
A8
DQ23
V
SS
A6
DQ28
DQ29
V
DD
Q
DM3/DQS12
A3
DQ30
V
SS
DQ31
CB4
CB5
V
DD
Q
CK0
/CK0
V
SS
DM8/DQS17
A10
CB6
V
DD
Q
CB7
V
SS
DQ36
DQ37
V
DD
DM4/DQS13
DQ38
DQ39
V
SS
DQ44
/ RAS
DQ45
V
DD
Q
/S0
/S1
DM5/DQS14
V
SS
DQ46
DQ47
NC
V
DD
Q
DQ52
DQ53
NC
V
DD
DM6/DQS15
DQ54
DQ55
V
DD
Q
NC
DQ60
DQ61
V
SS
DM7/DQS16
DQ62
DQ63
V
DD
Q
SA0
SA1
SA2
V
DD
SPD
V
REF
DQ0
V
SS
DQ1
DQS0
DQ2
V
DD
DQ3
NC
/ RESET
V
SS
DQ8
DQ9
DQS1
V
DD
Q
CK1
/CK1
V
SS
DQ10
DQ11
CKE0
V
DD
Q
DQ16
DQ17
DQS2
V
SS
A9
DQ18
A7
V
DD
Q
DQ19
A5
DQ24
V
SS
DQ25
DQS3
A4
V
DD
DQ26
DQ27
A2
V
SS
A1
CB0
CB1
V
DD
DQS8
A0
CB2
V
SS
CB3
BA1
DQ32
V
DD
Q
DQ33
DQS4
DQ34
V
SS
BA0
DQ35
DQ40
V
DD
Q
/ WE
DQ41
/ CAS
V
SS
DQS5
DQ42
DQ43
V
DD
NC
DQ48
DQ49
V
SS
CK2
/CK2
V
DD
Q
DQS6
DQ50
DQ51
V
SS
V
DD
ID
DQ56
DQ57
V
DD
DQS7
DQ58
DQ59
V
SS
NC
SDA
SCL
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
/ xxx表示低电平有效的信号。
A0 - A11
BA0 ， BA1
CK0 - CK2
/ CK0 - / CK2
CKE0
/S0, /S1
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQS0 - DQS8
：地址输入
： SDRAM存储区选择
：时钟输入
：时钟输入
：时钟使能输入
：片选输入
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：低数据选通
高数据选通
[行： A0 - A11 ，色谱柱： A0 - A9 ]
DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7 ：数据输入/输出
（正线差分对）
（负极线差分对）
DM （ 0 - 8 ） / DQS （ 9 - 17 ） ：低数据掩码/
SA0 - SA2
SDA
SCL
V
DD
V
SS
V
DD
ID
V
DD
Q
V
REF
V
DD
SPD
NC
/ RESET
：地址输入用于EEPROM
：串行数据的I / O PD
：时钟输入的PD
：电源
：地面
: V
DD
Identi科幻阳离子标志
：电源的DQ和DQS
：输入参考
：电源的EEPROM
：无连接
：复位输入
初步数据表M14900EJ1V0DS00
3
MC-45D32CC721
框图
/S1
/S0
DQS0
DM0/DQS9
DQS4
DM4/DQS13
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQS1
DM1/DQS10
DQ 7
DM / S
DQ 6
D0
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D9
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQS5
DM5/DQS14
DQ 7
DM / S
DQ 6
D4
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D13
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQS2
DM2/DQS11
DQ 7
DM / S
DQ 6
D1
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D10
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQS6
DM6/DQS15
DQ 7
DM / S
DQ 6
D5
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D14
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQS3
DM3/DQS12
DQ 7
DM / S
DQ 6
D2
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D11
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQS7
DM7/DQS16
DQ 7
DM / S
DQ 6
D6
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D15
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQS8
DM8/DQS17
DQ 7
DM / S
DQ 6
D3
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D12
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 7
DM / S
DQ 6
D7
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D16
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
串行PD
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
DQ 7
DM / S
DQ 6
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
D8
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
D17
的DQ
SCL
A0
A1
A2
SDA
SA0 SA1 SA2
BA0 ， BA1
A0 - A11
/ RAS
/ CAS
CKE0
/ WE
CK0 ， / CK0
CK1 ， / CK1
CK2 ， / CK2
BA0 ， BA1 ： SDRAM的D0 - D17
A0 - A11
/ RAS
/ CAS
CKE0
/ WE
CK ， / CK
CK ， / CK
CK ， / CK
： SDRAM的D0 - D17
： SDRAM的D0 - D17
： SDRAM的D0 - D17
： SDRAM的D0 - D17
： SDRAM的D0 - D17
： SDRAM的D3，D4， D8 ，D12， D13， D17
： SDRAM芯片D0，D1 ，D2， D9 ，D10， D11
： SDRAM的D5 ，D6，D7 ，D14， D15， D16的
V
DD
Q
V
DD
V
REF
V
SS
V
DD
ID
D0 - D17
D0 - D17
D0 - D17
D0 - D17
备注1 。
的DQ ， DQSS ， DM的所有电阻值/ DQSS 22
.
2.
D0 – D17:
PD45D128842 （ 4M字
×
8位
×
4银行）
4
初步数据表M14900EJ1V0DS00
MC-45D32CC721
电气规格
所有电压都参考V
SS
（GND）。
上电后，等待超过1毫秒，然后执行
上电顺序和CBR （自动）刷新
前
实现器件正常工作。
绝对最大额定值
参数
在电源引脚相对于V电压
SS
在输入引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
储存温度
符号
V
DD
, V
DD
Q
V
T
I
O
P
D
T
英镑
条件
等级
-0.5到+3.6
-0.5到+3.6
50
12
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压DQ ， DQS
输入参考电压
终止电压
高电平的直流输入电压
低电平直流输入电压
输入差分电压（ CLK和/ CLK ）
输入交叉点电压（ CLK和/ CLK ）
工作环境温度
符号
V
DD
V
DD
Q
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
ID
（DC）的
V
IX
T
A
条件
分钟。
2.3
2.3
0.49
×
V
DD
Q
V
REF
0.04
V
REF
+ 0.15
0.3
0.36
0.5
×
V
DD
Q–0.2
0
V
REF
典型值。
2.5
2.5
马克斯。
2.7
2.7
0.51
×
V
DD
Q
V
REF
+ 0.04
V
DD
+ 0.3
V
REF
0.15
V
DD
Q + 0.6
0.5
×
V
DD
Q+0.2
70
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
电容（T
A
= 25
°
C，F = 100兆赫）
参数
输入电容
符号
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
数据输入/输出电容
C
I/O1
测试条件
A0 - A11 ， BA0 ， BA1 ， / RAS ，
/ CAS ， / WE
CK0 - CK2 ， / CK0 - / CK2
CKE0
/S0, /S1
DM(0-8)/DQS(9-17),
DQS0 - DQS8
C
I/O2
DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7
待定
待定
分钟。
待定
待定
待定
待定
待定
典型值。
马克斯。
待定
待定
待定
待定
待定
pF
单位
pF
初步数据表M14900EJ1V0DS00
5
初步数据表
MOS集成电路
MC-45D32CC721
32 M- WORD 72位DDR同步动态RAM模块
无缓冲型
描述
在MC- 45D32CC721是33554432字由72位DDR同步动态RAM模块上18
件的128M DDR SDRAM ：
PD45D128842组装。
这些模块提供高密度和大量内存在小的空间，而不利用surface-
安装技术的印刷电路板。
去耦电容安装在电源线上的噪声降低。
特点
33554432字由72位企业（环保型）
时钟频率
产品型号
/ CAS延时
时钟频率
（ MAX 。 ）
MC-45D32CC721KFA-C75
CL = 2.5
CL = 2
MC-45D32CC721KFA-C80
CL = 2.5
CL = 2
133兆赫
100兆赫
125兆赫
100兆赫
DDR SDRAM
无缓冲DIMM
设计规范网络阳离子
Rev.0.9标准
模块类型
全同步动态RAM与除DM ， DQS和DQ参考一个时钟上升沿的所有信号
双倍数据速率接口
差分CLK （ / CLK ）输入
数据输入和DM与DQS的两边同步
输出数据和DQS与CLK和/ CLK的交叉点同步
四银行内部操作
可以断言随机列地址在每个时钟周期
可编程模式寄存器组
/ CAS等待时间（2， 2.5）
突发长度（ 2，4， 8）
裹顺序（顺序/交织）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
2.5 V
±
0.2 V电源为V
DD
2.5 V
±
0.2 V电源为V
DD
Q
SSTL_2与所有信号兼容
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止预充电命令和突发停止命令
184针的双列直插式内存模块（引脚间距= 1.27毫米）
无缓冲型
串行PD
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查
供应及其他信息。
一号文件E0033N10 （第1版）
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发布日期2001年1月CP （ K）
日本印刷
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
订购信息
产品型号
时钟频率
（ MAX 。 ）
133兆赫
包
安装设备
MC-45D32CC721KFA-C75
184针的双列直插式内存模块18件
PD45D128842G5 （修订版K）
（插座式）
（10.16毫米（ 400）， TSOP （II） ）
MC-45D32CC721KFA-C80
125兆赫
边缘连接器：镀金
31.75毫米高度
2
初步数据表E0033N10
引脚配置
184针的双列直插内存模块插槽类型（边缘连接器：镀金）
/ xxx表示低电平有效的信号。
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
V
SS
DQ4
DQ5
V
DD
Q
DM0/DQS9
DQ6
DQ7
V
SS
NC
NC
NC
V
DD
Q
DQ12
DQ13
DM1/DQS10
V
DD
DQ14
DQ15
NC
V
DD
Q
NC
DQ20
NC
V
SS
DQ21
A11
DM2/DQS11
V
DD
DQ22
A8
DQ23
V
SS
A6
DQ28
DQ29
V
DD
Q
DM3/DQS12
A3
DQ30
V
SS
DQ31
CB4
CB5
V
DD
Q
CK0
/CK0
V
SS
DM8/DQS17
A10
CB6
V
DD
Q
CB7
V
SS
DQ36
DQ37
V
DD
DM4/DQS13
DQ38
DQ39
V
SS
DQ44
/ RAS
DQ45
V
DD
Q
/S0
/S1
DM5/DQS14
V
SS
DQ46
DQ47
NC
V
DD
Q
DQ52
DQ53
NC
V
DD
DM6/DQS15
DQ54
DQ55
V
DD
Q
NC
DQ60
DQ61
V
SS
DM7/DQS16
DQ62
DQ63
V
DD
Q
SA0
SA1
SA2
V
DD
SPD
V
REF
DQ0
V
SS
DQ1
DQS0
DQ2
V
DD
DQ3
NC
/ RESET
V
SS
DQ8
DQ9
DQS1
V
DD
Q
CK1
/CK1
V
SS
DQ10
DQ11
CKE0
V
DD
Q
DQ16
DQ17
DQS2
V
SS
A9
DQ18
A7
V
DD
Q
DQ19
A5
DQ24
V
SS
DQ25
DQS3
A4
V
DD
DQ26
DQ27
A2
V
SS
A1
CB0
CB1
V
DD
DQS8
A0
CB2
V
SS
CB3
BA1
DQ32
V
DD
Q
DQ33
DQS4
DQ34
V
SS
BA0
DQ35
DQ40
V
DD
Q
/ WE
DQ41
/ CAS
V
SS
DQS5
DQ42
DQ43
V
DD
NC
DQ48
DQ49
V
SS
CK2
/CK2
V
DD
Q
DQS6
DQ50
DQ51
V
SS
V
DD
ID
DQ56
DQ57
V
DD
DQS7
DQ58
DQ59
V
SS
NC
SDA
SCL
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
A0 - A11
BA0 ， BA1
CK0 - CK2
/ CK0 - / CK2
CKE0
/S0, /S1
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQS0 - DQS8
：地址输入
： SDRAM存储区选择
：时钟输入
：时钟输入
：时钟使能输入
：片选输入
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：低数据选通
高数据选通
[行： A0 - A11 ，色谱柱： A0 - A9 ]
DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7 ：数据输入/输出
（正线差分对）
（负极线差分对）
DM （ 0 - 8 ） / DQS （ 9 - 17 ） ：低数据掩码/
SA0 - SA2
SDA
SCL
V
DD
V
SS
V
DD
ID
V
DD
Q
V
REF
V
DD
SPD
NC
/ RESET
：地址输入用于EEPROM
：串行数据的I / O PD
：时钟输入的PD
：电源
：地面
: V
DD
Identi科幻阳离子标志
：电源的DQ和DQS
：输入参考
：电源的EEPROM
：无连接
：复位输入
初步数据表E0033N10
3
框图
/S1
/S0
DQS0
DM0/DQS9
DQS4
DM4/DQS13
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQS1
DM1/DQS10
DQ 7
DM / S
DQ 6
D0
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D9
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQS5
DM5/DQS14
DQ 7
DM / S
DQ 6
D4
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D13
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQS2
DM2/DQS11
DQ 7
DM / S
DQ 6
D1
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D10
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQS6
DM6/DQS15
DQ 7
DM / S
DQ 6
D5
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D14
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQS3
DM3/DQS12
DQ 7
DM / S
DQ 6
D2
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D11
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQS7
DM7/DQS16
DQ 7
DM / S
DQ 6
D6
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D15
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQS8
DM8/DQS17
DQ 7
DM / S
DQ 6
D3
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D12
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 7
DM / S
DQ 6
D7
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D16
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
串行PD
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
DQ 7
DM / S
DQ 6
D8
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
的DQ
DQ 0
DM / S
DQ 1
D17
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
的DQ
SCL
A0
A1
A2
SDA
SA0 SA1 SA2
BA0 ， BA1
A0 - A11
/ RAS
/ CAS
CKE0
/ WE
CK0 ， / CK0
CK1 ， / CK1
CK2 ， / CK2
BA0 ， BA1 ： SDRAM的D0 - D17
A0 - A11
/ RAS
/ CAS
CKE0
/ WE
CK ， / CK
CK ， / CK
CK ， / CK
： SDRAM的D0 - D17
： SDRAM的D0 - D17
： SDRAM的D0 - D17
： SDRAM的D0 - D17
： SDRAM的D0 - D17
： SDRAM的D3，D4， D8 ，D12， D13， D17
： SDRAM芯片D0，D1 ，D2， D9 ，D10， D11
： SDRAM的D5 ，D6，D7 ，D14， D15， D16的
V
DD
Q
V
DD
V
REF
V
SS
V
DD
ID
D0 - D17
D0 - D17
D0 - D17
D0 - D17
备注1 。
的DQ ， DQSS ， DM的所有电阻值/ DQSS 22
.
2.
D0 – D17:
PD45D128842 （ 4M字
×
8位
×
4银行）
4
初步数据表E0033N10
电气规格
所有电压都参考V
SS
（GND）。
上电后，等待超过1毫秒，然后执行
上电顺序和CBR （自动）刷新
前
实现器件正常工作。
绝对最大额定值
参数
在电源引脚相对于V电压
SS
在输入引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
储存温度
符号
V
DD
, V
DD
Q
V
T
I
O
P
D
T
英镑
条件
等级
-0.5到+3.6
-0.5到+3.6
50
12
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压DQ ， DQS
输入参考电压
终止电压
高电平的直流输入电压
低电平直流输入电压
输入差分电压（ CLK和/ CLK ）
输入交叉点电压（ CLK和/ CLK ）
工作环境温度
符号
V
DD
V
DD
Q
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
ID
（DC）的
V
IX
T
A
条件
分钟。
2.3
2.3
0.49
×
V
DD
Q
V
REF
0.04
V
REF
+ 0.15
0.3
0.36
0.5
×
V
DD
Q–0.2
0
V
REF
典型值。
2.5
2.5
马克斯。
2.7
2.7
0.51
×
V
DD
Q
V
REF
+ 0.04
V
DD
+ 0.3
V
REF
0.15
V
DD
Q + 0.6
0.5
×
V
DD
Q+0.2
70
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
电容（T
A
= 25
°
C，F = 100兆赫）
参数
输入电容
符号
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
数据输入/输出电容
C
I/O1
测试条件
A0 - A11 ， BA0 ， BA1 ， / RAS ，
/ CAS ， / WE
CK0 - CK2 ， / CK0 - / CK2
CKE0
/S0, /S1
DM （ 0 - 8 ） / DQS （ 9 - 17 ） ，
DQS0 - DQS8
C
I/O2
DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7
待定
待定
分钟。
待定
待定
待定
待定
待定
典型值。
马克斯。
待定
待定
待定
待定
待定
pF
单位
pF
初步数据表E0033N10
5
QQ：2881677436 复制
