【数据表MOS集成电路MC-4564EC72664 m字72 - BIT同步动态RAM模块登记注册类型】,IC型号MC-4564EC726PFB-A80,MC-4564EC726PFB-A80 PDF资料,MC-4564EC726PFB-A80经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS集成电路

MC-4564EC726

64 m字72 - BIT同步动态RAM模块

登记注册类型

描述

在MC- 4564EC726是67108864字由72比特同步其中36件动态RAM模块

128M， SDRAM ：

PD45128441组装。

这些模块提供高密度和大量内存在小的空间，而不利用surface-

安装技术的印刷电路板。

去耦电容安装在电源线上的噪声降低。

特点

67,108,864字由72位企业（环保型）

时钟频率和访问时间从CLK

产品型号

/ CAS延时

时钟频率

（ MAX 。）

MC-4564EC726EFB-A80

CL = 3

CL = 2

MC-4564EC726EFB-A10

CL = 3

CL = 2

125兆赫

100兆赫

77兆赫

125兆赫

100兆赫

77兆赫

从CLK访问时间

（ MAX 。）

6纳秒

7纳秒

6纳秒

7纳秒

PC100注册DIMM

修订版1.2标准

模块类型

MC-4564EC726PFB-A80

CL = 3

CL = 2

MC-4564EC726PFB-A10

CL = 3

CL = 2

完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿

脉冲接口

可以断言随机列地址在每个周期中

由BA0和BA1控制四内部银行（ Bank选择）

可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）

可编程的缠绕顺序（顺序/交织）

可编程/ CAS延迟（ 2,3）

自动预充电和预充电控制

CBR （自动）刷新和自刷新

所有的DQ有10个

串联电阻的10％

采用3.3 V单

0.3 V电源

LVTTL兼容

4096刷新周期/ 64毫秒

突发终止突发停止命令和预充电命令

168针的双列直插内存模块（引脚间距= 1.27毫米）

登记注册类型

串行PD

单片堆叠技术

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件M14460EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2000年2月NS CP （ K）

日本印刷

商标

表示主要修改点。

1999

MC-4564EC726

订购信息

产品型号

时钟频率

（ MAX 。）

125兆赫

100兆赫

125兆赫

100兆赫

包

安装设备

MC-4564EC726EFB-A80

MC-4564EC726EFB-A10

168针的双列直插式内存模块36件

PD45128441G5 （修订版E）

（插座式）

边缘连接器：镀金

43.18毫米高度

（10.16毫米（ 400）， TSOP （II））

36件

PD45128441G5 （修订版P）

（10.16毫米（ 400）， TSOP （II））

MC-4564EC726PFB-A80

MC-4564EC726PFB-A10

数据表M14460EJ2V0DS00

MC-4564EC726

引脚配置

168针的双列直插内存模块插槽类型（边缘连接器：镀金）

100

101

102

103

104

105

106

107

108

109

110

111

112

113

114

115

116

117

118

119

120

121

122

123

124

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

VCC

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

DQ45

VCC

DQ46

DQ47

CB4

CB5

VCC

/ CAS

DQMB4

DQMB5

/CS1

/ RAS

BA0 （ A13 ）

A11

VCC

CLK1

CKE0

/CS3

DQMB6

DQMB7

VCC

CB6

CB7

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

VCC

DQ52

雷杰

DQ53

DQ54

DQ55

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

VCC

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

CLK3

SA0

SA1

SA2

VCC

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

VCC

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

VCC

DQ14

DQ15

CB0

CB1

VCC

/ WE

DQMB0

DQMB1

/CS0

A10

BA1(A12)

VCC

CLK0

/CS2

DQMB2

DQMB3

VCC

CB2

CB3

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

VCC

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

VCC

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

CLK2

SDA

SCL

VCC

/ xxx表示低电平有效的信号。

A0 - A11

：地址输入

[行： A0 - A11 ，色谱柱： A0 - A9 ， A11 ]

BA0 （ A13 ）， BA1 （ A12 ）

： SDRAM存储区选择

125

126

127

128

129

130

131

132

133

134

135

136

137

138

139

140

141

142

143

144

145

146

147

148

149

150

151

152

153

154

155

156

157

158

159

160

161

162

163

164

165

166

167

168

DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7 ：数据输入/输出

CLK0 - CLK3

CKE0

/ CS0 - / CS3

/ RAS

/ CAS

/ WE

DQMB0 - DQMB7

SA0 - SA2

SDA

SCL

雷杰

：时钟输入

：时钟使能输入

：写保护

：片选输入

：行地址选通

：列地址选通

：写使能

： DQ面膜能

：地址输入用于EEPROM

：串行数据的I / O PD

：时钟输入的PD

：电源

：地面

：注册/缓冲启用

：无连接

数据表M14460EJ2V0DS00

MC-4564EC726

框图

/RCS1

/RCS0

RDQMB0

DQ 3

DQ 2

DQ 1

DQ 0

DQ 7

DQ 6

DQ 5

DQ 4

RDQMB1

DQ11

DQ10

DQ 9

DQ 8

DQ15

DQ14

DQ13

DQ12

CB 3

CB 2

CB 1

CB 0

/RCS3

/RCS2

RDQMB2

DQ19

DQ18

DQ17

DQ16

DQ23

DQ22

DQ21

DQ20

RDQMB3

DQ27

DQ26

DQ25

DQ24

DQ31

DQ30

DQ29

DQ28

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

RDQMB6

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

DQ52

DQ53

DQ54

DQ55

RDQMB7

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

DQM

/ CS

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

DQM

/ CS

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

RDQMB4

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

RDQMB5

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

CB 4

CB 5

CB 6

CB 7

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

DQM

/ CS

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

DQM

/ CS

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 0

I / O 1

I / O 2

I / O 3

DQM

/ CS

DQM

/ CS

(1/2)

D18

D27

D19

D10

D28

D20

D11

D29

D21

D12

D30

D22

D13

D31

D23

D14

D32

D24

D15

D33

D25

D16

D34

D26

D17

D35

CLK0

PLL

CLK ： D0， D18 ，D9， D27

CLK ： D1， D19 ，D10， D28

CLK ： D2 ， D20 ， D11 ， D29

CLK ：D3 ，D21， D12， D30的

CLK ： D4 ， D22 ， D13 ， D31

CLK ： D5， D23 ，D14， D32

CLK ： D6 ， D24 ， D15 ， D33

CLK ： D7 ， D25 ， D16 ， D34

CLK ： D8 ， D26 ， D17 ， D35

CLK ： Register1-寄存器3

SCL

CLK1 - CLK3

12 pF的

串行PD

SDA

D0 - D35 ，寄存器1 - 寄存器3 ， PLL

47 k

SA0 SA1 SA2

数据表M14460EJ2V0DS00

MC-4564EC726

框图

10 k

(2/2)

R1A1 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2A1 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1A3 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2A3 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1A5 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2A5 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1A7 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2A7 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1A9 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2A9 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1RAS ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2RAS ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1CAS ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2CAS ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1BA0 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

RCS1

RDQMB4

RDQMB5

/ RAS

/ CAS

BA0

/CS1

DQMB4

DQMB5

/ LE

雷杰

注册1

A10

/ WE

BA0

/CS0

DQMB0

DQMB1

/ LE

注册2

R1A0 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2A0 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1A2 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2A2 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1A4 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2A4 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1A6 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2A6 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1A8 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2A8 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1A10 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2A10 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1WE ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2WE ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R2BA0 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

RCS0

RDQMB4

RDQMB5

A11

R1A11 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2A11 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

BA1

CKE0

寄存器3

/CS2

/CS3

DQMB2

DQMB3

DQMB6

DQMB7

R1BA1 ： D0 - D4 ， D9 ， D12 ， D18 ， D22 ， D27 -D30

R2BA1 ： D5 ， D8 ， D13 ， D17 ， D23 ， D26 ， D31 - D35

R1CKE0 ： D0 - D2 ， D9 ， D10 ， D18 ， D20 ， D27 - D28

R2CKE0 ： D5 - D6 ， D14 ， D15 ， D23 ， D24 ， D32 - D33

R3CKE0 ： D3 - D4 ， D11 ， D13 ， D21 ， D22 ， D29 - D31

R4CKE0 ： D7 ， D8 ， D16 ， D17 ， D23 ， D24 ， D34 - D35

RCS2

RCS3

RDQMB2

RDQMB3

RDQMB6

RDQMB7

/ LE

备注1 。

的DQ的所有电阻器的值是10

D0 – D35:

PD45128441 （ 8M字

4位

4银行）

雷杰

≤

：缓冲模式

雷杰

≥

：注册方式

PLL ： HD74CDC2510B

数据表M14460EJ2V0DS00