数据表
MOS集成电路
MC-4532CC726
32M - WORD 72 - BIT同步动态RAM模块
无缓冲型
描述
在MC- 4532CC726是33554432字由72比特同步其中18件动态RAM模块
128M SDRAM ：
PD45128841组装。
该模块提供了高密度和大批量的内存在小的空间，而不利用surface-
安装技术的印刷电路板。
去耦电容安装在电源线上的噪声降低。
特点
33554432字由72位企业（环保型）
时钟频率和访问时间从CLK
产品型号
MC-4532CC726EF-A80
/ CAS延时
CL = 3
CL = 2
MC-4532CC726EF-A10
CL = 3
CL = 2
时钟频率
（ MAX 。 ）
125兆赫
100兆赫
100兆赫
77兆赫
125兆赫
100兆赫
100兆赫
77兆赫
从CLK访问时间
（ MAX 。 ）
6纳秒
6纳秒
6纳秒
7纳秒
6纳秒
6纳秒
6纳秒
7纳秒
5
5
MC-4532CC726PF-A80
CL = 3
CL = 2
MC-4532CC726PF-A10
CL = 3
CL = 2
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
由BA0和BA1控制四内部银行（ Bank选择）
可编程的突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8和全页
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程/ CAS延迟（ 2,3）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
所有的DQ有10个
±10
％串联电阻
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL兼容
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
168针的双列直插内存模块（引脚间距= 1.27毫米）
无缓冲型
串行PD
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件M13680EJ5V0DS00 （第5版）
发布日期2000年1月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1998
MC-4532CC726
订购信息
产品型号
时钟频率
兆赫（ MAX 。 ）
MC-4532CC726EF-A80
MC-4532CC726EF-A10
125兆赫
100兆赫
125兆赫
100兆赫
168针的双列直插式内存模块
（插座式）
边缘连接器：镀金
34.93毫米高度
18件中
PD45128841G5 （修订版E）
（10.16毫米（ 400）， TSOP （II） ）
18件中
PD45128841G5 （修订版P）
（10.16毫米（ 400）， TSOP （II） ）
包
安装设备
5
5
MC-4532CC726PF-A80
MC-4532CC726PF-A10
2
数据表M13680EJ5V0DS00
MC-4532CC726
5
引脚配置
168针的双列直插内存模块插槽类型（边缘连接器：镀金）
/ xxx表示低电平有效的信号。
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
VCC
DQ46
DQ47
CB4
CB5
V
SS
NC
NC
VCC
/ CAS
DQMB4
DQMB5
/CS1
/ RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0 （ A13 ）
A11
VCC
CLK1
NC
V
SS
CKE0
/CS3
DQMB6
DQMB7
NC
VCC
NC
NC
CB6
CB7
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VCC
DQ52
NC
NC
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
VCC
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
CB0
CB1
V
SS
NC
NC
VCC
/ WE
DQMB0
DQMB1
/CS0
NC
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1 （ A12 ）
VCC
VCC
CLK0
V
SS
NC
/CS2
DQMB2
DQMB3
NC
VCC
NC
NC
CB2
CB3
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
NC
NC
CKE1
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
A0 - A11
：地址输入
[行： A0 - A11 ，色谱柱： A0 - A9 ]
BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ）
： SDRAM存储区选择
DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7
：数据输入/输出
CLK0 - CLK3
CKE0 ， CKE1
/ CS0 - / CS3
/ RAS
/ CAS
/ WE
SA0 - SA2
SDA
SCL
V
CC
V
SS
WP
NC
：时钟输入
：时钟使能输入
：片选输入
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：地址输入的EEPR M
：串行数据的I / O PD
：时钟输入的PD
：电源
：地面
：写保护
：无连接
DQMB0 - DQMB7 ： DQ面膜启用
数据表M13680EJ5V0DS00
3
MC-4532CC726
5
框图
/ WE
/CS0
DQMB0
/CS1
/CS2
DQMB2
/CS3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQMB1
DQ 7
DQM / CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D0
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 0
DQM / CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D9
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQMB3
DQ 7
DQM / CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D3
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 0
DQM / CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D12
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQ 7
DQM / CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D1
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 0
DQM / CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D10
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQMB5
/ WE
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQMB6
DQ 4
DQM / CS
DQ 7
DQ 6
DQ 5
D4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 3
DQM / CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
D13
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
CB 0
CB 1
CB 2
CB 3
CB 4
CB 5
CB 6
CB 7
DQMB4
DQ 4
DQM / CS
DQ 7
DQ 0
DQ 2
D2
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 1
/ WE
DQ 3
DQM / CS
DQ 0
DQ 7
DQ 5
D11
DQ 1
DQ 2
DQ 4
DQ 6
/ WE
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQMB7
DQ 7
DQM / CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D7
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 0
DQM / CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D16
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQMB5
DQ 4
DQM / CS
DQ 7
DQ 6
DQ 5
D5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 3
DQM / CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
D14
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 7
DQM / CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D8
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 0
DQM / CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D17
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQ 5
DQM / CS
DQ 7
DQ 6
DQ 4
D6
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 2
DQM / CS
DQ 0
DQ 1
DQ 3
D15
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
串行PD
SDA
SCL
A0
A1
A2
CLK0
CLK ：D0 ，D1，D2 ，D5，D6
CLK2
CLK ： D3，D4， D7，D8
3.3 pF的
WP
47 k
CLK1
CLK ： D9 ，D10， D11 ，D14， D15
SA0 SA1 SA2
CLK3
CLK ： D12， D13， D16 ， D17
3.3 pF的
A0 - A11
BA0
BA1
V
CC
V
SS
A0 - A11 ： D0 - D17
A13 ： D0 - D17
/ RAS
A12 ： D0 - D17
/ CAS
C
D0 - D17
CKE0
D0 - D17
CKE ： D0 - D8
/ CAS ： D0 - D17
/ RAS ： D0 - D17
CKE1
10 k
CKE ： D9 -D17
备注1 。
所有电阻的值是10
除了CKE1和WP 。
2.
D0 - D17:
PD45128841 （4M字×8位× 4组）
4
数据表M13680EJ5V0DS00
MC-4532CC726
电气规格
所有电压都参考V
SS
（GND）。
上电后，等待超过100
s和然后，执行上电顺序和CBR （自动）之前，适当的刷新
实现设备的操作。
绝对最大额定值
参数
在电源引脚相对于GND电压
在相对于GND引脚的输入电压
短路输出电流
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
CC
V
T
I
O
P
D
T
A
T
英镑
条件
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
50
18
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作环境温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
条件
分钟。
3.0
2.0
0.3
0
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
CC
+
0.3
+0.8
70
单位
V
V
V
°C
电容（T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
符号
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
数据输入/输出电容
C
I / O
测试条件
A0 - A11 ， BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ）
/ RAS ， / CAS ， / WE
CLK0 - CLK3
CKE0 ， CKE1
/ CS0 - / CS3
DQMB0 - DQMB7
DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7
分钟。
63
24
34
17
10
11
典型值。
马克斯。
102
40
56
33
21
19
pF
单位
pF
数据表M13680EJ5V0DS00
5
数据表
MOS集成电路
MC-4532CC726
32M - WORD 72 - BIT同步动态RAM模块
无缓冲型
EO
描述
特点
产品型号
MC-4532CC726EF-A80
MC-4532CC726EF-A10
MC-4532CC726PF-A80
MC-4532CC726PF-A10
MC-4532CC726XF-A80
MC-4532CC726XF-A10
在MC- 4532CC726EF ， MC- 4532CC726PF和MC- 4532CC726XF是33554432字由72位同步
该模块提供了高密度和大批量的内存在小的空间，而不利用surface-
动态内存模块上的这18件128M SDRAM ：
PD45128841组装。
安装技术的印刷电路板。
去耦电容安装在电源线上的噪声降低。
33554432字由72位企业（环保型）
时钟频率和访问时间从CLK
/ CAS延时
时钟频率
（ MAX 。 ）
CL = 3
CL = 2
125兆赫
100兆赫
从CLK访问时间
（ MAX 。 ）
6纳秒
6纳秒
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
由BA0和BA1控制四内部银行（ Bank选择）
可编程的突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8和全页
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程/ CAS延迟（ 2,3）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
所有的DQ有10个
±10
％串联电阻
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
一号文件E0053N10 （第1版）
（上一页第M13680EJ6V0DS00 ）
发布日期2001年1月CP （ K）
日本印刷
L
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查
供应及其他信息。
本产品成为了EOL于2002年9月。
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
u
od
Pr
CL = 3
100兆赫
77兆赫
6纳秒
7纳秒
CL = 2
CL = 3
125兆赫
6纳秒
6纳秒
CL = 2
100兆赫
CL = 3
100兆赫
77兆赫
6纳秒
7纳秒
CL = 2
CL = 3
125兆赫
6纳秒
6纳秒
CL = 2
100兆赫
CL = 3
100兆赫
77兆赫
6纳秒
7纳秒
CL = 2
ct
MC-4532CC726
LVTTL兼容
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
168针的双列直插内存模块（引脚间距= 1.27毫米）
无缓冲型
串行PD
订购信息
产品型号
时钟频率
兆赫（ MAX 。 ）
125兆赫
100兆赫
125兆赫
100兆赫
125兆赫
100兆赫
168针的双列直插式内存模块
（插座式）
边缘连接器：镀金
34.93毫米高度
18件中
PD45128841G5 （修订版E）
（10.16毫米（ 400）， TSOP （II） ）
18件中
PD45128841G5 （修订版P）
（10.16毫米（ 400）， TSOP （II） ）
18件中
PD45128841G5 （修订版X）
（10.16毫米（ 400）， TSOP （II） ）
包
安装设备
EO
MC-4532CC726EF-A80
MC-4532CC726EF-A10
MC-4532CC726PF-A80
MC-4532CC726PF-A10
MC-4532CC726XF-A80
MC-4532CC726XF-A10
L
u
od
Pr
ct
数据表E0053N10
2
MC-4532CC726
引脚配置
168针的双列直插内存模块插槽类型（边缘连接器：镀金）
/ xxx表示低电平有效的信号。
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
VCC
DQ46
DQ47
CB4
CB5
V
SS
NC
NC
VCC
/ CAS
DQMB4
DQMB5
/CS1
/ RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0 （ A13 ）
A11
VCC
CLK1
NC
V
SS
CKE0
/CS3
DQMB6
DQMB7
NC
VCC
NC
NC
CB6
CB7
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VCC
DQ52
NC
NC
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
VCC
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
CB0
CB1
V
SS
NC
NC
VCC
/ WE
DQMB0
DQMB1
/CS0
NC
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1 （ A12 ）
VCC
VCC
CLK0
V
SS
NC
/CS2
DQMB2
DQMB3
NC
VCC
NC
NC
CB2
CB3
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
NC
NC
CKE1
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
EO
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
L
u
od
Pr
A0 - A11
[行： A0 - A11 ，色谱柱： A0 - A9 ]
BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ）
DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7
CLK0 - CLK3
CKE0 ， CKE1
/ CS0 - / CS3
/ RAS
/ WE
/ CAS
：时钟输入
：写使能
SA0 - SA2
SDA
SCL
V
CC
V
SS
WP
NC
：地面
：写保护
数据表E0053N10
：地址输入
： SDRAM存储区选择
：数据输入/输出
：时钟使能输入
：片选输入
：行地址选通
：列地址选通
DQMB0 - DQMB7 ： DQ面膜启用
:
地址输入用于EEPROM
：串行数据的I / O PD
：时钟输入的PD
：电源
：无连接
ct
3
MC-4532CC726
框图
/ WE
/CS0
DQMB0
/CS1
/CS2
DQMB2
/CS3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQMB1
DQ 7
DQM / CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D0
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 0
DQM / CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D9
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQMB3
DQ 7
DQM / CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D3
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 0
DQM / CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D12
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
EO
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
CB 0
CB 1
CB 2
CB 3
CB 4
CB 5
CB 6
CB 7
DQMB4
DQ 7
DQM / CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D1
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 0
DQM / CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D10
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQMB5
/ WE
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQMB6
DQ 4
DQM / CS
DQ 7
DQ 6
DQ 5
D4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 3
DQM / CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
D13
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
DQ 4
DQM / CS
DQ 7
DQ 0
DQ 2
D2
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 1
/ WE
DQ 3
DQM / CS
DQ 0
DQ 7
DQ 5
D11
DQ 1
DQ 2
DQ 4
DQ 6
/ WE
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQMB7
DQ 7
DQM / CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D7
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 0
DQM / CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D16
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
L
DQ 4
DQM / CS
DQ 7
DQ 6
DQ 5
D5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQMB5
DQ 3
DQM / CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
D14
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 7
DQM / CS
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D8
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/ WE
DQ 0
DQM / CS
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D17
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
u
od
Pr
/ WE
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQ 5
DQM / CS
DQ 7
DQ 6
DQ 4
D6
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 2
DQM / CS
DQ 0
DQ 1
DQ 3
D15
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/ WE
串行PD
SCL
A0
A1
SDA
CLK0
CLK ：D0 ，D1，D2 ，D5，D6
CLK2
CLK ： D3，D4， D7，D8
3.3 pF的
A2
WP
47 k
SA0 SA1 SA2
CLK1
CLK ： D9 ，D10， D11 ，D14， D15
CLK3
CLK ： D12， D13， D16 ， D17
3.3 pF的
ct
10 k
CKE ： D9 -D17
A0 - A11
BA0
BA1
V
CC
V
SS
A0 - A11 ： D0 - D17
A13 ： D0 - D17
/ RAS
A12 ： D0 - D17
/ CAS
C
D0 - D17
CKE0
D0 - D17
CKE ： D0 - D8
/ CAS ： D0 - D17
/ RAS ： D0 - D17
CKE1
备注1 。
所有电阻的值是10
除了CKE1和WP 。
2.
D0 - D17:
PD45128841 （4M字×8位× 4组）
4
数据表E0053N10
MC-4532CC726
电气规格
所有电压都参考V
SS
（GND）。
上电后，等待超过100
s和然后，执行上电顺序和CBR （自动）之前，适当的刷新
实现设备的操作。
绝对最大额定值
参数
在电源引脚相对于GND电压
在相对于GND引脚的输入电压
短路输出电流
功耗
符号
V
CC
V
T
I
O
P
D
T
A
T
英镑
条件
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
50
18
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
EO
储存温度
工作环境温度
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作环境温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
条件
分钟。
3.0
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
单位
V
V
V
°C
电容（T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
数据输入/输出电容
L
u
od
Pr
2.0
0.3
0
+0.8
70
符号
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
测试条件
分钟。
60
典型值。
马克斯。
102
40
A0 - A11 ， BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ）
/ RAS ， / CAS ， / WE
CLK0 - CLK3
CKE0 ， CKE1
/ CS0 - / CS3
20
30
56
15
5
33
DQMB0 - DQMB7
21
C
I / O
DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7
7
19
数据表E0053N10
V
CC
+
0.3
单位
pF
pF
ct
5
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