数据表
MOS集成电路
MC- 4516CD64ES ， 4516CD64PS
16 M- WORD 64位
同步动态内存模块（ SO DIMM ）
EO
描述
特点
产品型号
MC-4516CD64ES-A10B
MC-4516CD64PS-A10B
在MC- 4516CD64ES和MC- 4516CD64PS是16777216字由64位同步动态RAM模块
这些模块提供高密度和大量内存在小的空间，而不利用surface-
（小外形DIMM）在其8条128M， SDRAM ：
PD45128163组装。
安装技术的印刷电路板。
去耦电容安装在电源线上的噪声降低。
16777216字由64位组织
时钟频率和访问时间从CLK
/ CAS延时
CL = 3
时钟频率（最大）
100兆赫
67兆赫
从CLK访问时间（最大）
7纳秒
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程/ CAS延迟（ 2,3）
由BA0控制四路内部银行， BA1 （库选择）
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL兼容
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
无缓冲型
串行PD
144引脚小外形双列直插内存模块（引脚间距= 0.8mm）的
一号文件E0065N10 （第1版）
（上一页第M13612EJ5V0DS00 ）
发布日期2001年1月CP （ K）
日本印刷
L
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查
供应及其他信息。
本产品成为了EOL于2002年9月。
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
u
od
Pr
CL = 2
8纳秒
7纳秒
CL = 3
100兆赫
67兆赫
CL = 2
8纳秒
ct
订购信息
产品型号
时钟频率
兆赫（ MAX 。 ）
MC-4516CD64ES-A10B
100兆赫
144引脚小外形DIMM
（插座式）
MC-4516CD64PS-A10B
边缘连接器：镀金
26.67毫米高度
8条
PD45128163G5 （修订版E）
（ 10.16毫米（400）， TSOP （II） ）
8条
PD45128163G5 （修订版P）
（ 10.16毫米（400）， TSOP （II） ）
包
安装设备
EO
L
u
od
Pr
ct
2
数据表E0065N10
引脚配置
144针的双列直插内存模块插槽类型（边缘连接器：镀金）
/ xxx表示低电平有效的信号。
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
VSS
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
VCC
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
VSS
DQMB4
DQMB5
VCC
A3
A4
A5
VSS
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
VCC
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
VSS
NC
NC
VSS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
V
CC
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
VSS
DQMB0
DQMB1
V
CC
A0
A1
A2
VSS
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
V
CC
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
VSS
NC
NC
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
EO
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
L
CLK0
CKE0
VCC
VCC
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE1
/CS0
NC
/CS1
NC
NC
CLK1
VSS
VSS
NC
NC
NC
NC
V
CC
VCC
DQ 16
DQ 48
DQ 17
DQ 49
DQ 18
DQ 50
DQ 19
DQ 51
VSS
VSS
DQ 20
DQ 52
DQ 21
DQ 53
DQ 22
DQ 54
DQ 23
DQ 55
VCC
VCC
A6
A7
A8
BA0 （ A13 ）
VSS
VSS
A9
BA1 （ A12 ）
A10
A11
VCC
VCC
DQMB2
DQMB6
DQMB3
DQMB7
VSS
VSS
DQ 24
DQ 56
DQ 25
DQ 57
DQ 26
DQ 58
DQ 27
DQ 59
V
CC
VCC
DQ 28
DQ 60
DQ 29
DQ 61
DQ 30
DQ 62
DQ 31
DQ 63
VSS
VSS
SDA
SCL
V
CC
VCC
u
od
Pr
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
A0 - A11
：地址输入
[行： A0 - A11 ，色谱柱： A0 - A8 ]
DQ0 - DQ63
BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ） ： SDRAM存储区选择
：数据输入/输出
：时钟输入
：时钟使能输入
：片选输入
CLK0 ， CLK1
/ CS0 ， / CS1
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE0 ， CKE1
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
： DQ面膜能
：时钟输入的PD
DQMB0 - DQMB7
SDA
SCL
V
CC
：串行数据的I / O PD
：电源
：地面
ct
：无连接
3
V
SS
NC
数据表E0065N10
框图
CKE1
CKE0
/CS1
/CS0
DQMB0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
UDQM
/ CS CKE
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
D0
LDQM
/ CS CKE
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
UDQM
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
D4
DQMB4
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQMB5
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
UDQM
/ CS CKE
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
LDQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
D2
LDQM
/ CS CKE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
UDQM
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
D6
EO
DQ 7
DQMB1
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 15
DQMB2
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQMB3
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQ 9
DQ 8
SCL
A0 - A11
BA0
BA1
LDQM
备注
D0 - D7:
PD45128163 （ 2M字×16位× 4组）
4
数据表E0065N10
L
UDQM
/ CS CKE
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
D1
LDQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
串行PD
A0
A1
A2
LDQM
/ CS CKE
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQMB6
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
UDQM
/ CS CKE
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
LDQM
/ CS CKE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
A0 - A11 ： D0 - D7
A13 ： D0 - D7
A12 ： D0 - D7
u
od
Pr
D5
DQ 55
D3
UDQM
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
DQMB7
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
LDQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 8
DQ 9
DQ 63
V
CC
D0 - D7
D0 - D7
C
SDA
V
SS
CLK0
10
CLK ： D0 ， D2
CLK ： D1，D3
/ RAS
/ CAS
/ WE
CLK1
10
CLK ： D4，D6
CLK ： D5 ， D7
/ RAS ： D0 - D7
/ CAS ： D0 - D7
/ WE ： D0 - D7
D7
UDQM
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
ct
电气规格
所有电压都参考V
SS
（GND）。
上电后，等待超过100
s和然后，执行上电顺序和CBR （自动）之前，适当的刷新
实现设备的操作。
绝对最大额定值
参数
在电源引脚相对于GND电压
在相对于GND引脚的输入电压
短路输出电流
功耗
符号
V
CC
V
T
I
O
P
D
T
A
T
英镑
条件
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
50
8
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
EO
储存温度
工作环境温度
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作环境温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
条件
分钟。
3.0
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
单位
V
V
V
°C
电容（T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
数据输入/输出电容
L
u
od
Pr
2.0
–0.3
0
70
符号
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
测试条件
分钟。
典型值。
A0 - A11 ， BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ）
/ RAS ， / CAS ， / WE
CLK0 ， CLK1
60
30
CKE0 ， CKE1
/ CS0 ， / CS1
30
30
DQMB0 DQMB7
DQ0 - DQ63
20
C
I / O
20
数据表E0065N10
V
CC
+ 0.3
+ 0.8
马克斯。
单位
pF
pF
ct
5
数据表
MOS集成电路
MC- 4516CD64ES ， 4516CD64PS
16 M- WORD 64位
同步动态内存模块（ SO DIMM ）
描述
在MC- 4516CD64ES和MC- 4516CD64PS是16777216字由64位同步动态RAM模块
（小外形DIMM）在其8条128M， SDRAM ：
PD45128163组装。
这些模块提供高密度和大量内存在小的空间，而不利用surface-
安装技术的印刷电路板。
去耦电容安装在电源线上的噪声降低。
特点
16777216字由64位组织
时钟频率和访问时间从CLK
产品型号
MC-4516CD64ES-A10B
/ CAS延时
CL = 3
CL = 2
时钟频率（最大）
100兆赫
67兆赫
100兆赫
67兆赫
从CLK访问时间（最大）
7纳秒
8纳秒
7纳秒
8纳秒
5
MC-4516CD64PS-A10B
CL = 3
CL = 2
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
由BA0控制四路内部银行， BA1 （库选择）
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程/ CAS延迟（ 2,3）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL兼容
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
144引脚小外形双列直插内存模块（引脚间距= 0.8mm）的
无缓冲型
串行PD
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件M13612EJ5V0DS00 （第5版）
发布日期2000年2月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1998
MC- 4516CD64ES ， 4516CD64PS
订购信息
产品型号
时钟频率
兆赫（ MAX 。 ）
MC-4516CD64ES-A10B
100兆赫
144引脚小外形DIMM
（插座式）
8条
PD45128163G5 （修订版E）
（ 10.16毫米（400）， TSOP （II） ）
8条
PD45128163G5 （修订版P）
（ 10.16毫米（400）， TSOP （II） ）
包
安装设备
5
MC-4516CD64PS-A10B
边缘连接器：镀金
26.67毫米高度
2
数据表M13612EJ5V0DS00
MC- 4516CD64ES ， 4516CD64PS
引脚配置
144针的双列直插内存模块插槽类型（边缘连接器：镀金）
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
VSS
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
VCC
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
VSS
DQMB4
DQMB5
VCC
A3
A4
A5
VSS
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
VCC
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
VSS
NC
NC
VSS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
V
CC
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
VSS
DQMB0
DQMB1
V
CC
A0
A1
A2
VSS
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
V
CC
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
VSS
NC
NC
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
/ xxx表示低电平有效的信号。
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
CLK0
CKE0
VCC
VCC
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE1
/CS0
NC
/CS1
NC
NC
CLK1
VSS
VSS
NC
NC
NC
NC
V
CC
VCC
DQ 16
DQ 48
DQ 17
DQ 49
DQ 18
DQ 50
DQ 19
DQ 51
VSS
VSS
DQ 20
DQ 52
DQ 21
DQ 53
DQ 22
DQ 54
DQ 23
DQ 55
VCC
VCC
A6
A7
A8
BA0 （ A13 ）
VSS
VSS
A9
BA1 （ A12 ）
A10
A11
VCC
VCC
DQMB2
DQMB6
DQMB3
DQMB7
VSS
VSS
DQ 24
DQ 56
DQ 25
DQ 57
DQ 26
DQ 58
DQ 27
DQ 59
V
CC
VCC
DQ 28
DQ 60
DQ 29
DQ 61
DQ 30
DQ 62
DQ 31
DQ 63
VSS
VSS
SDA
SCL
V
CC
VCC
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
A0 - A11
：地址输入
[行： A0 - A11 ，色谱柱： A0 - A8 ]
BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ） ： SDRAM存储区选择
DQ0 - DQ63
CLK0 ， CLK1
CKE0 ， CKE1
/ CS0 ， / CS1
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQMB0 - DQMB7
SDA
SCL
V
CC
V
SS
NC
：数据输入/输出
：时钟输入
：时钟使能输入
：片选输入
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
： DQ面膜能
：串行数据的I / O PD
：时钟输入的PD
：电源
：地面
：无连接
数据表M13612EJ5V0DS00
3
MC- 4516CD64ES ， 4516CD64PS
框图
CKE1
CKE0
/CS1
/CS0
DQMB0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQMB1
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
UDQM
/ CS CKE
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
LDQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D0
LDQM
/ CS CKE
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
UDQM
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
D4
DQMB4
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQMB5
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
UDQM
/ CS CKE
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
LDQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
D2
LDQM
/ CS CKE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
UDQM
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
D6
DQMB2
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQMB3
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
UDQM
/ CS CKE
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
LDQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
D1
LDQM
/ CS CKE
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
UDQM
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
D5
DQMB6
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQMB7
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
UDQM
/ CS CKE
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
LDQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
D3
LDQM
/ CS CKE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
UDQM
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
D7
串行PD
SCL
A0
A1
A2
CLK0
10
SDA
V
CC
C
V
SS
CLK ： D0 ， D2
CLK ： D1，D3
/ RAS
D0 - D7
D0 - D7
CLK ： D4，D6
CLK ： D5 ， D7
CLK1
10
/ RAS ： D0 - D7
/ CAS ： D0 - D7
/ WE ： D0 - D7
A0 - A11
BA0
BA1
A0 - A11 ： D0 - D7
A13 ： D0 - D7
A12 ： D0 - D7
/ CAS
/ WE
备注
D0 - D7:
PD45128163 （ 2M字×16位× 4组）
4
数据表M13612EJ5V0DS00
MC- 4516CD64ES ， 4516CD64PS
电气规格
所有电压都参考V
SS
（GND）。
上电后，等待超过100
s和然后，执行上电顺序和CBR （自动）之前，适当的刷新
实现设备的操作。
绝对最大额定值
参数
在电源引脚相对于GND电压
在相对于GND引脚的输入电压
短路输出电流
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
CC
V
T
I
O
P
D
T
A
T
英镑
条件
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
50
8
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作环境温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
条件
分钟。
3.0
2.0
–0.3
0
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
+ 0.8
70
单位
V
V
V
°C
电容（T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
符号
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
数据输入/输出电容
C
I / O
测试条件
A0 - A11 ， BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ）
/ RAS ， / CAS ， / WE
CLK0 ， CLK1
CKE0 ， CKE1
/ CS0 ， / CS1
DQMB0 DQMB7
DQ0 - DQ63
分钟。
典型值。
马克斯。
60
30
30
30
20
20
pF
单位
pF
数据表M13612EJ5V0DS00
5
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