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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1209页 > MBT3946DW1T1G
MBT3946DW1T1
双路通用
晶体管
该MBT3946DW1T1设备是一个剥离我们的流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT - 363-6
表面贴装封装。通过将两个分立器件于一体
封装，该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
h
FE
, 100300
低V
CE （ SAT ）
,
≤
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
器件标识： MBT3946DW1T1 = 46
无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
Q
1
Q
2
(4)
(5)
MBT3946DW1T1*
* Q1 PNP
Q2 NPN
(6)
6 5
4
最大额定值
等级
集电极发射极电压
（ NPN ）
（ PNP）
集电极基极电压
（ NPN ）
（ PNP）
发射极基极电压连续
（ NPN ）
（ PNP）
连续集电极电流 -
（ NPN ）
（ PNP）
静电放电
符号
V
首席执行官
40
40
V
CBO
60
40
V
EBO
6.0
5.0
I
C
200
200
ESD
HBM>16000,
MM>2000
V
46 =具体设备守则
d
=日期代码
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
-55到+150
单位
mW
MADC
46
d
VDC
VDC
价值
单位
VDC
1
2
3
SOT3636/SC88
CASE 419B
风格1
记号
图
热特性
特征
总包耗散（注1 ）
T
A
= 25°C
热阻
结到环境
结存储
温度范围
订购信息
° C / W
°C
设备
MBT3946DW1T1
包
SOT363
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
MBT3946DW1T1G SOT- 363
MBT3946DW1T2
SOT363
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
MBT3946DW1T2G SOT- 363
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年1月 - 第2版
出版订单号：
MBT3946DW1T1/D
MBT3946DW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注2 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
= -30伏直流，V
EB
= -3.0 V直流）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
= -30伏直流，V
EB
= -3.0 V直流）
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= -0.1 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -1.0 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -50 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
基地发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -20伏直流， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
CB
= -5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
EB
= -0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士;
占空比
≤
2.0%.
f
T
（ NPN ）
（ PNP）
C
敖包
（ NPN ）
（ PNP）
C
IBO
（ NPN ）
（ PNP）
8.0
10.0
4.0
4.5
pF
300
250
pF
兆赫
h
FE
（ NPN ）
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
V
CE （ SAT ）
（ NPN ）
V
BE （ SAT ）
（ NPN ）
0.65
0.65
0.85
0.95
0.85
0.95
0.2
0.3
0.25
0.4
VDC
300
300
VDC
V
（ BR ） CEO
（ NPN ）
（ PNP）
V
（ BR ） CBO
（ NPN ）
（ PNP）
V
（ BR ） EBO
（ NPN ）
（ PNP）
I
BL
（ NPN ）
（ PNP）
I
CEX
（ NPN ）
（ PNP）
50
50
50
50
NADC
6.0
5.0
NADC
60
40
VDC
40
40
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
（ PNP）
（ PNP）
（ PNP）
http://onsemi.com
2
MBT3946DW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入阻抗
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
小-Signal电流增益
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= 5.0伏，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -5.0伏，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0伏，V
BE
= - 0.5 V直流）
(V
CC
= -3.0伏，V
BE
= 0.5伏）
(I
C
= 10 MADC ，我
B1
= 1.0 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B1
= -1.0 MADC ）
(V
CC
= 3.0伏，我
C
= 10 MADC ）
(V
CC
= -3.0伏，我
C
= -10 MADC ）
(I
B1
= I
B2
= 1.0 MADC ）
(I
B1
= I
B2
= -1.0 MADC ）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
35
35
200
225
50
75
ns
ns
（ NPN ）
（ PNP）
h
re
（ NPN ）
（ PNP）
h
fe
（ NPN ）
（ PNP）
h
oe
（ NPN ）
（ PNP）
NF
（ NPN ）
（ PNP）
5.0
4.0
1.0
3.0
40
60
dB
100
100
400
400
毫姆欧
0.5
0.1
8.0
10
符号
h
ie
1.0
2.0
10
12
X 10
4
民
最大
单位
kW
http://onsemi.com
3
MBT3946DW1T1
（ NPN ）
+3 V
+10.9 V
10 k
0
0.5 V
＆ LT ; 1纳秒
C
s
< 4 PF *
9.1 V′
＆ LT ; 1纳秒
1N916
C
s
< 4 PF *
275
+3 V
+10.9 V
275
10 k
占空比= 2 ％
300纳秒
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
t
1
*测试夹具和连接器共有并联电容
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容（pF）
5.0
C
IBO
3.0
2.0
C
敖包
（ NPN ）
5000
3000
2000
Q， CHARGE （ PC）
1000
700
500
300
200
100
70
50
Q
T
Q
A
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
（ NPN ）
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
反向偏置电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.电容
图4.收费数据
http://onsemi.com
4
MBT3946DW1T1
（ NPN ）
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
40 V
15 V
10
2.0 V
50 70 100
200
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
时间（纳秒）
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启-On时间
500
300
200
吨S，存储时间（纳秒）
′
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
t′
s
= t
s
1
/
8
t
f
I
B1
= I
B2
五六，下降时间（ NS ）
500
300
200
图6.上升时间
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.储存时间
图8.下降时间
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
12
10
NF ，噪声系数（dB ）
8
6
4
2
0
0.1
源电阻= 500
W
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 1.0
I
C
= 50
mA
14
F = 1.0千赫
12
10
8
6
4
2
20
40
100
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
（ NPN ）
10
20
40
100
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 50
mA
（ NPN ）
10
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（千欧）
图9.噪声系数
http://onsemi.com
5
图10.噪声系数
MBT3946DW1T1G
双路通用
晶体管
该MBT3946DW1T1G设备是一个剥离我们的流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT - 363-6
表面贴装封装。通过将两个分立器件于一体
封装，该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
h
FE
, 100300
低V
CE （ SAT ）
,
≤
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
Q
1
Q
2
(4)
(5)
MBT3946DW1T1*
* Q1 PNP
Q2 NPN
(6)
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
符号
V
首席执行官
价值
40
40
60
40
6.0
5.0
200
200
单位
VDC
1
SOT3636/SC88
CASE 419B
风格1
集热器
： BASE
电压
V
CBO
VDC
标记图
VDC
辐射源
： BASE
电压
V
EBO
集电极电流
连续
I
C
MADC
46 M
G
G
静电放电
ESD
HBM等级2
MM B类
热特性
特征
总包耗散（注1 ）
T
A
= 25°C
热阻，
结到环境
结温和存储温度
范围
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
55
+150
单位
mW
° C / W
°C
46 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MBT3946DW1T1G
MBT3946DW1T2G
包
SC88
（无铅）
SC88
（无铅）
航运
3000 /
磁带&卷轴
3000 /
磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年10月
启5
1
出版订单号：
MBT3946DW1T1/D
MBT3946DW1T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（注2 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
(I
C
=
1.0
MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
(I
C
=
10
MADC ，
I
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
(I
E
=
10
MADC ，
I
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
=
30
VDC ，V
EB
=
3.0
VDC ）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
=
30
VDC ，V
EB
=
3.0
VDC ）
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
=
0.1
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
1.0
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
10
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
50
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
100
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
=
10
MADC ，我
B
=
1.0
MADC ）
(I
C
=
50
MADC ，我
B
=
5.0
MADC ）
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
=
10
MADC ，我
B
=
1.0
MADC ）
(I
C
=
50
MADC ，我
B
=
5.0
MADC ）
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
(I
C
=
10
MADC ，V
CE
=
20
VDC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
CB
=
5.0
VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
EB
=
0.5
VDC ，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
小
“信号
电流增益
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士;
占空比
≤
2.0%.
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
f
T
300
250
1.0
2.0
0.5
0.1
100
100
4.0
4.5
8.0
10.0
10
12
8.0
10
400
400
兆赫
（ NPN ）
h
FE
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
0.65
0.65
300
300
0.2
0.3
0.25
0.4
0.85
0.95
0.85
0.95
VDC
VDC
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
V
（ BR ） CEO
40
40
60
40
6.0
5.0
50
50
50
50
VDC
符号
民
最大
单位
V
（ BR ） CBO
VDC
V
（ BR ） EBO
VDC
I
BL
NADC
I
CEX
NADC
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
C
敖包
pF
C
IBO
pF
h
ie
kW
h
re
X 10
4
h
fe
http://onsemi.com
2
MBT3946DW1T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输出导纳
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= 5.0伏，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
(V
CE
=
5.0
VDC ，我
C
=
100
MADC ，
R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0伏，V
BE
=
0.5伏）
(V
CC
=
3.0
VDC ，V
BE
= 0.5伏）
(I
C
= 10 MADC ，我
B1
= 1.0 MADC ）
(I
C
=
10
MADC ，我
B1
=
1.0
MADC ）
(V
CC
= 3.0伏，我
C
= 10 MADC ）
(V
CC
=
3.0
VDC ，我
C
=
10
MADC ）
(I
B1
= I
B2
= 1.0 MADC ）
(I
B1
= I
B2
=
1.0
MADC ）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
35
35
200
225
50
75
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
符号
h
oe
民
1.0
3.0
最大
40
60
5.0
4.0
单位
毫姆欧
NF
dB
ns
ns
（ NPN ）
占空比= 2 ％
300纳秒
+3 V
+10.9 V
10 k
0
- 0.5 V
＆ LT ; 1纳秒
C
s
< 4 PF *
- 9.1 V′
*测试夹具和连接器共有并联电容
＆ LT ; 1纳秒
1N916
C
s
< 4 PF *
275
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
t
1
+3 V
+10.9 V
275
10 k
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容（pF）
5.0
C
IBO
3.0
2.0
C
敖包
（ NPN ）
5000
3000
2000
Q， CHARGE （ PC）
1000
700
500
300
200
100
70
50
Q
T
Q
A
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
（ NPN ）
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
反向偏置电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.电容
图4.收费数据
http://onsemi.com
3
MBT3946DW1T1G
（ NPN ）
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
40 V
15 V
10
2.0 V
50 70 100
200
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
时间（纳秒）
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.打开
ΔON
时间
500
300
200
吨S，存储时间（纳秒）
′
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
t′
s
= t
s
-
1
/
8
t
f
I
B1
= I
B2
五六，下降时间（ NS ）
500
300
200
图6.上升时间
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.储存时间
图8.下降时间
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
12
10
NF ，噪声系数（dB ）
8
6
4
2
0
0.1
源电阻= 500
W
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 1.0
I
C
= 50
mA
14
F = 1.0千赫
12
10
8
6
4
2
20
40
100
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
（ NPN ）
10
20
40
100
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 50
mA
（ NPN ）
10
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（千欧）
图9.噪声系数
http://onsemi.com
4
图10.噪声系数
MBT3946DW1T1G
（ NPN ）
h参数值
(V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C)
300
（ NPN ）
^ h FE ，电流增益
200
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
100
50
（ NPN ）
20
10
5
100
70
50
2
1
30
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0
10
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0
10
图11.电流增益
20
即输入阻抗（千欧）
10
5.0
（ NPN ）
h
re
电压反馈RATIO （ ×10
-4
)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图12.输出导纳
（ NPN ）
2.0
1.0
0.5
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0
10
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0
10
图13.输入阻抗
图14.电压反馈比例
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5
MBT3946DW1T1
双路通用
晶体管
该MBT3946DW1T1设备是一个剥离我们的流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT - 363-6
表面贴装封装。通过将两个分立器件于一体
封装，该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
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(3)
(2)
(1)
h
FE
, 100300
低V
CE （ SAT ）
,
≤
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
器件标识： MBT3946DW1T1 = 46
无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
Q
1
Q
2
(4)
(5)
MBT3946DW1T1*
* Q1 PNP
Q2 NPN
(6)
6 5
4
最大额定值
等级
集电极发射极电压
（ NPN ）
（ PNP）
集电极基极电压
（ NPN ）
（ PNP）
发射极基极电压连续
（ NPN ）
（ PNP）
连续集电极电流 -
（ NPN ）
（ PNP）
静电放电
符号
V
首席执行官
40
40
V
CBO
60
40
V
EBO
6.0
5.0
I
C
200
200
ESD
HBM>16000,
MM>2000
V
46 =具体设备守则
d
=日期代码
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
-55到+150
单位
mW
MADC
46
d
VDC
VDC
价值
单位
VDC
1
2
3
SOT3636/SC88
CASE 419B
风格1
记号
图
热特性
特征
总包耗散（注1 ）
T
A
= 25°C
热阻
结到环境
结存储
温度范围
订购信息
° C / W
°C
设备
MBT3946DW1T1
包
SOT363
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
MBT3946DW1T1G SOT- 363
MBT3946DW1T2
SOT363
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
MBT3946DW1T2G SOT- 363
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年1月 - 第2版
出版订单号：
MBT3946DW1T1/D
MBT3946DW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注2 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
= -30伏直流，V
EB
= -3.0 V直流）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
= -30伏直流，V
EB
= -3.0 V直流）
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= -0.1 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -1.0 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -50 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
基地发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -20伏直流， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
CB
= -5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
EB
= -0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士;
占空比
≤
2.0%.
f
T
（ NPN ）
（ PNP）
C
敖包
（ NPN ）
（ PNP）
C
IBO
（ NPN ）
（ PNP）
8.0
10.0
4.0
4.5
pF
300
250
pF
兆赫
h
FE
（ NPN ）
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
V
CE （ SAT ）
（ NPN ）
V
BE （ SAT ）
（ NPN ）
0.65
0.65
0.85
0.95
0.85
0.95
0.2
0.3
0.25
0.4
VDC
300
300
VDC
V
（ BR ） CEO
（ NPN ）
（ PNP）
V
（ BR ） CBO
（ NPN ）
（ PNP）
V
（ BR ） EBO
（ NPN ）
（ PNP）
I
BL
（ NPN ）
（ PNP）
I
CEX
（ NPN ）
（ PNP）
50
50
50
50
NADC
6.0
5.0
NADC
60
40
VDC
40
40
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
（ PNP）
（ PNP）
（ PNP）
http://onsemi.com
2
MBT3946DW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入阻抗
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
小-Signal电流增益
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= 5.0伏，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -5.0伏，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0伏，V
BE
= - 0.5 V直流）
(V
CC
= -3.0伏，V
BE
= 0.5伏）
(I
C
= 10 MADC ，我
B1
= 1.0 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B1
= -1.0 MADC ）
(V
CC
= 3.0伏，我
C
= 10 MADC ）
(V
CC
= -3.0伏，我
C
= -10 MADC ）
(I
B1
= I
B2
= 1.0 MADC ）
(I
B1
= I
B2
= -1.0 MADC ）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
35
35
200
225
50
75
ns
ns
（ NPN ）
（ PNP）
h
re
（ NPN ）
（ PNP）
h
fe
（ NPN ）
（ PNP）
h
oe
（ NPN ）
（ PNP）
NF
（ NPN ）
（ PNP）
5.0
4.0
1.0
3.0
40
60
dB
100
100
400
400
毫姆欧
0.5
0.1
8.0
10
符号
h
ie
1.0
2.0
10
12
X 10
4
民
最大
单位
kW
http://onsemi.com
3
MBT3946DW1T1
（ NPN ）
+3 V
+10.9 V
10 k
0
0.5 V
＆ LT ; 1纳秒
C
s
< 4 PF *
9.1 V′
＆ LT ; 1纳秒
1N916
C
s
< 4 PF *
275
+3 V
+10.9 V
275
10 k
占空比= 2 ％
300纳秒
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
t
1
*测试夹具和连接器共有并联电容
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容（pF）
5.0
C
IBO
3.0
2.0
C
敖包
（ NPN ）
5000
3000
2000
Q， CHARGE （ PC）
1000
700
500
300
200
100
70
50
Q
T
Q
A
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
（ NPN ）
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
反向偏置电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.电容
图4.收费数据
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4
MBT3946DW1T1
（ NPN ）
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
40 V
15 V
10
2.0 V
50 70 100
200
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
时间（纳秒）
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启-On时间
500
300
200
吨S，存储时间（纳秒）
′
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
t′
s
= t
s
1
/
8
t
f
I
B1
= I
B2
五六，下降时间（ NS ）
500
300
200
图6.上升时间
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.储存时间
图8.下降时间
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
12
10
NF ，噪声系数（dB ）
8
6
4
2
0
0.1
源电阻= 500
W
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 1.0
I
C
= 50
mA
14
F = 1.0千赫
12
10
8
6
4
2
20
40
100
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
（ NPN ）
10
20
40
100
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 50
mA
（ NPN ）
10
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（千欧）
图9.噪声系数
http://onsemi.com
5
图10.噪声系数
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