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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2964页 > MBT3906DW1T1G
MBT3906DW1T1G
双路通用
晶体管
该MBT3906DW1T1G设备是一个剥离我们的流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT -363
6引线表面贴装封装。通过将两个分立器件
一个封装，该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
h
FE
, 100300
低V
CE （ SAT ）
,
≤
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
Q
1
Q
2
(4)
(5)
(6)
1
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
连续
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
ESD
价值
40
40
5.0
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
SOT363/SC88
CASE 419B
风格1
标记图
6
A2 M
G
G
1
A2 =器件代码
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
HBM等级2
MM B类
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热特性
特征
总包耗散（注1 ）
T
A
= 25°C
热阻，
结到环境
结存储
温度范围
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
55
+150
单位
mW
订购信息
° C / W
°C
设备
包
航运
3000 /
磁带&卷轴
MBT3906DW1T1G SOT- 363
（无铅）
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年10月
第3版
1
出版订单号：
MBT3906DW1T1/D
MBT3906DW1T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（注2 ）
集热器
： BASE
击穿电压
辐射源
： BASE
击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
40
40
5.0
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
=
0.1
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
1.0
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
10
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
50
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
100
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
=
10
MADC ，我
B
=
1.0
MADC ）
(I
C
=
50
MADC ，我
B
=
5.0
MADC ）
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
=
10
MADC ，我
B
=
1.0
MADC ）
(I
C
=
50
MADC ，我
B
=
5.0
MADC ）
h
FE
60
80
100
60
30
0.65
300
VDC
0.25
0.4
VDC
0.85
0.95
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
输出电容
输入电容
输入阻抗
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
小
“信号
电流增益
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
=
5.0
VDC ，我
C
=
100
MADC ，
R
S
= 1.0 k
W,
F = 1.0千赫）
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
250
2.0
0.1
100
3.0
4.5
10.0
12
10
400
60
4.0
兆赫
pF
pF
kW
X 10
4
毫姆欧
dB
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
=
3.0
VDC ，V
BE
= 0.5伏）
(I
C
=
10
MADC ，我
B1
=
1.0
MADC ）
(V
CC
=
3.0
VDC ，我
C
=
10
MADC ）
(I
B1
= I
B2
=
1.0
MADC ）
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
225
75
ns
ns
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士;
占空比
≤
2.0%.
http://onsemi.com
2
MBT3906DW1T1G
3V
+9.1 V
275
＆ LT ; 1纳秒
+0.5 V
10 k
0
C
s
< 4 PF *
10.6 V
300纳秒
占空比= 2 ％
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
*测试夹具和连接器共有并联电容
t
1
10.9 V
1N916
C
s
< 4 PF *
10 k
＆ LT ; 1纳秒
275
3V
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容（pF）
Q， CHARGE （ PC）
5.0
C
敖包
C
IBO
3.0
2.0
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
Q
T
Q
A
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向偏置（伏）
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
200
图3.电容
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
图4.收费数据
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
五六，下降时间（ NS ）
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
时间（纳秒）
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
15 V
40 V
2.0 V
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.打开
ΔON
时间
图6.下降时间
http://onsemi.com
3
MBT3906DW1T1G
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
=
5.0伏，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
5.0
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 2.0
I
C
= 50
mA
12
F = 1.0千赫
10
I
C
- 0.5毫安
8
6
4
2
0
I
C
= 50
mA
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
4.0
3.0
2.0
源电阻= 2.0
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
男，频率（KHz ）
20
40
100
1.0
0
0.1
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0
4.0
10
20
R
g
，源电阻（千欧）
40
100
图7 。
网络连接gure 8 。
h参数值
(V
CE
=
10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C)
300
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
100
70
50
30
20
^ h FE ， DC电流增益
200
100
70
50
10
7
30
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
图9.电流增益
20
即输入阻抗（千欧）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
h
re
电压反馈RATIO （ ×10
-4
)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图10.输出导纳
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
图11.输入阻抗
图12.电压反馈比例
http://onsemi.com
4
MBT3906DW1T1G
典型静态特性
^ h FE ， DC电流增益（标准化）
2.0
T
J
= +125°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
- 55°C
+25°C
V
CE
= 1.0 V
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
20
30
50
70
100
200
图13.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
I
B
，基极电流（毫安）
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
图14.集电极饱和区
T
J
= 25°C
0.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
q
V，温度系数（MV /
°
C)
1.0
1.0
0.5
0
- 0.5
+ 25 ° C至+ 125°C
- 1.0
- 55 °C至+ 25°C
- 1.5
- 2.0
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
+ 25 ° C至+ 125°C
0.6
- 55 °C至+ 25°C
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
0
1.0
2.0
50
5.0
10
20
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
0
20
40
60
80 100 120 140
I
C
，集电极电流（毫安）
160
180 200
图15为“ON”电压
图16.温度系数
http://onsemi.com
5
MBT3906DW1T1
双路通用
晶体管
该MBT3906DW1T1设备是一个剥离我们的流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT -363
6引线表面贴装封装。通过将两个分立器件
一个封装，该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
h
FE
, 100300
低V
CE （ SAT ）
,
≤
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
无铅包装是否可用
Q
1
Q
2
(4)
(5)
(6)
1
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
ESD
价值
40
40
5.0
200
HBM>16000,
MM>2000
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
V
6
A2
d
1
SOT363/SC88
CASE 419B
风格1
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
热特性
特征
总包耗散（注1 ）
T
A
= 25°C
热阻，
结到环境
结存储
温度范围
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
-55到+150
单位
mW
A2 =器件代码
d
=日期代码
订购信息
° C / W
°C
设备
MBT3906DW1T1
MBT3906DW1T1G
包
SOT363
SOT363
（无铅）
航运
3000个/卷
3000个/卷
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年1月 - 第1版
出版订单号：
MBT3906DW1T1/D
MBT3906DW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极发射极击穿电压（注2 ）
集电极基极击穿电压
发射-Base击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
40
40
5.0
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= -0.1 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -1.0 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -50 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
基地发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
h
FE
60
80
100
60
30
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
0.65
0.85
0.95
0.25
0.4
VDC
300
VDC
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
输出电容
输入电容
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士;
占空比
≤
2.0%.
f
T
C
敖包
C
IBO
250
4.5
10.0
兆赫
pF
pF
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入阻抗
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
小-Signal电流增益
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= -5.0伏，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0 k
W,
F = 1.0千赫）
符号
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
民
2.0
0.1
100
3.0
最大
12
10
400
60
4.0
单位
k
W
X 10
4
毫姆欧
dB
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= -3.0伏，V
BE
= 0.5伏）
(I
C
= -10 MADC ，我
B1
= -1.0 MADC ）
(V
CC
= -3.0伏，我
C
= -10 MADC ）
(I
B1
= I
B2
= -1.0 MADC ）
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
225
75
ns
ns
http://onsemi.com
2
MBT3906DW1T1
3V
+9.1 V
275
＆ LT ; 1纳秒
+0.5 V
10 k
0
C
s
< 4 PF *
10.6 V
300纳秒
占空比= 2 ％
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
*测试夹具和连接器共有并联电容
t
1
10.9 V
1N916
C
s
< 4 PF *
10 k
＆ LT ; 1纳秒
275
3V
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容（pF）
Q， CHARGE （ PC）
5.0
C
敖包
C
IBO
3.0
2.0
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
Q
T
Q
A
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向偏置（伏）
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
200
图3.电容
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
图4.收费数据
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
五六，下降时间（ NS ）
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
时间（纳秒）
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
15 V
40 V
2.0 V
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启-On时间
图6.下降时间
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3
MBT3906DW1T1
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= - 5.0伏直流电，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
5.0
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 2.0
I
C
= 50
mA
12
F = 1.0千赫
10
I
C
- 0.5毫安
8
6
4
2
0
I
C
= 50
mA
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
4.0
3.0
2.0
源电阻= 2.0
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
男，频率（KHz ）
20
40
100
1.0
0
0.1
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0
4.0
10
20
R
g
，源电阻（千欧）
40
100
图7 。
网络连接gure 8 。
h参数值
(V
CE
= - 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C)
300
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
100
70
50
30
20
^ h FE ， DC电流增益
200
100
70
50
10
7
30
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
图9.电流增益
20
即输入阻抗（千欧）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
h
re
电压反馈RATIO （ ×10
4
)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图10.输出导纳
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
图11.输入阻抗
图12.电压反馈比例
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4
MBT3906DW1T1
典型静态特性
^ h FE ， DC电流增益（标准化）
2.0
T
J
= +125°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
+25°C
55
°C
V
CE
= 1.0 V
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
20
30
50
70
100
200
图13.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
I
B
，基极电流（毫安）
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
图14.集电极饱和区
T
J
= 25°C
0.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
q
V，温度系数（MV /
°
C)
1.0
1.0
0.5
0
0.5
+ 25 ° C至+ 125°C
1.0
1.5
2.0
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
55
°C
至+ 25°C
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
+ 25 ° C至+ 125°C
55
°C
至+ 25°C
0.6
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
0
1.0
2.0
50
5.0
10
20
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
0
20
40
60
80 100 120 140
I
C
，集电极电流（毫安）
160
180 200
图15为“ON”电压
图16.温度系数
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