【MBT35200MT1高电流表面山PNP硅开关晶体管在负荷管理便携式应用最大额定值(TA= 25°C】,IC型号MBT35200MT1_05,MBT35200MT1_05 PDF资料,MBT35200MT1_05经销商,ic,电子元器件-51电子网

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MBT35200MT1

高电流表面

山PNP硅

开关晶体管

在负荷管理

便携式应用

最大额定值

(T

A

= 25°C)

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

集电极电流 - 峰值

静电放电

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

I

CM

ESD

最大

35

55

5.0

2.0

5.0

单位

VDC

VDC

VDC

ADC

A

3

BASE

4

辐射源

集热器

1, 2, 5, 6

http://onsemi.com

35伏

2.0安培

PNP晶体管

HBM 3级

MM C级

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

热阻，

结到铅＃ 1

器件总功耗

（单脉冲< 10秒。）

结存储

温度范围

符号

P

D

（注1 ）

最大

625

5.0

R

qJA

（注1 ）

P

D

（注2 ）

200

1.0

8.0

R

qJA

（注2 ）

R

qJL

P

Dsingle

（注2和3 ）

T

J

, T

英镑

120

80

1.75

-55

+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

W

毫瓦/°C的

° C / W

° C / W

W

°C

记号

图

1

CASE 318G

TSOP6

类型6

1

G4

M

G

G

M

=日期代码

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

MBT35200MT1

MBT35200MT1G

包

TSOP6

TSOP6

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

3.参考：图9

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年6月 - 第2版

出版订单号：

MBT35200MT1/D

MBT35200MT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型

最大

单位

开关特性

集电极发射极击穿电压

(I

C

= -10 MADC ，我

B

= 0)

集电极基极击穿电压

(I

C

= -0.1 MADC ，我

E

= 0)

发射-Base击穿电压

(I

E

= -0.1 MADC ，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= -35伏直流，我

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流

(V

CES

= -35伏直流）

发射Cuto FF电流

(V

EB

= -4.0 V直流）

V

（ BR ） CEO

35

V

（ BR ） CBO

55

V

（ BR ） EBO

5.0

I

CBO

I

CES

I

EBO

0.01

0.1

0.03

0.1

MADC

0.03

0.1

MADC

7.0

MADC

65

VDC

45

VDC

VDC

基本特征

直流电流增益

(1)

(I

C

= -1.0 A，V

CE

= 1.5 V)

(I

C

= -1.5 A，V

CE

= 1.5 V)

(I

C

= -2.0 A，V

CE

= 3.0 V)

集电极发射极饱和电压（注1 ）

(I

C

= -0.8 A，I

B

= 0.008 A)

(I

C

= -1.2 A，I

B

= 0.012 A)

(I

C

= -2.0 A，I

B

= 0.02 A)

基地发射极饱和电压（注1 ）

(I

C

= -1.2 A，I

B

= 0.012 A)

基地发射极导通电压（注1 ）

(I

C

= -2.0 A，V

CE

= 3.0 V)

截止频率

(I

C

= -100毫安，V

CE

= -5.0 V，F = 100兆赫）

输入电容（V

EB

= -0.5 V，F = 1.0兆赫）

输出电容（V

CB

= -3.0 V，F = 1.0兆赫）

开启时间（V

CC

= -10 V，I

B1

= -100毫安，我

C

= -1 A，R

L

= 3

W)

关断时间（V

CC

= -10 V，I

B1

= I

B2

= -100毫安，我

C

= 1 ，R

L

= 3

W)

1.脉冲条件：脉冲宽度= 300

毫秒，

占空比

≤

2%

h

FE

100

100

100

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

f

T

100

CIBO

科博

t

on

t

关闭

600

85

35

225

650

100

pF

pF

nS

nS

0.81

0.875

兆赫

0.68

0.85

V

0.125

0.175

0.260

0.15

0.20

0.31

V

200

200

200

400

V

http://onsemi.com

2

MBT35200MT1

VCE （SAT），集电极 - 发射极饱和

电压（伏）

VCE （SAT），集电极 - 发射极饱和

电压（伏）

0.25

I

C

/I

B

= 50

0.20

100°C

0.15

25°C

0.10

0.05

0

55°C

0.1

I

C

/I

B

= 100

50

10

0.01

0.001

0.001

0.01

0.1

1.0

0.001

0.01

0.1

1.0

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

图1.集电极发射极饱和电压

与集电极电流

图2.集电极发射极饱和电压

与集电极电流

的hFE ， DC电流增益（标准化）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

VBE （星期六），基极发射极饱和

电压（伏）

100°C

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

55°C

25°C

100°C

25°C

55°C

0.001

0.01

0.1

1.0

0.001

0.01

0.1

1.0

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

图3.直流电流增益随

集电极电流

V BE （上），基极发射极导通电压（伏）

1.1

IBO ，输入电容（pF ）

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.001

0.01

0.1

1.0

100°C

25°C

55°C

750

700

650

600

550

500

450

400

350

300

0

图4.基极发射极饱和电压

与集电极电流

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

V

EB

，发射极基极电压（伏）

图5.基极发射极导通电压

与集电极电流

图6.输入电容

http://onsemi.com

3

MBT35200MT1

225

科博，输出电容（pF ）

IC ，集电极电流（ AMPS ）

200

175

150

125

100

75

50

25

0

0

5.0

10

15

20

25

30

35

0.01

0.1

10

1秒100毫秒10毫秒

1毫秒

100

ms

1.0

DC

0.1

单脉冲AT＆T

AMB

= 25°C

10

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

100

V

CB

，集电极基极电压（伏）

图7.输出电容

图8.安全工作区

R（T ），归一化瞬态热

阻力

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

0.01

单脉冲

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

吨，时间（秒）

1.0

10

100

1000

0.001

图9.归热响应

http://onsemi.com

4

MBT35200MT1

包装尺寸

TSOP6

CASE 318G -02

ISSUE P

D

6

5

1

2

4

3

H

E

E

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3.最大引线厚度包括对引线

涂层厚度。最低LEAD

厚度为最小厚度

基础材料。

4.尺寸A和B不包括

塑模毛边，突出物，或门

毛刺。

MILLIMETERS

喃

最大

1.00

1.10

0.06

0.10

0.38

0.50

0.18

0.26

3.00

3.10

1.50

1.70

0.95

1.05

0.40

0.60

2.75

3.00

10°

英寸

喃

0.039

0.002

0.014

0.007

0.118

0.059

0.037

0.016

0.108

b

e

q

0.05 (0.002)

A1

A

L

c

暗淡

A

A1

b

c

D

E

e

L

H

E

q

民

0.90

0.01

0.25

0.10

2.90

1.30

0.85

0.20

2.50

0°

民

0.035

0.001

0.010

0.004

0.114

0.051

0.034

0.008

0.099

0°

最大

0.043

0.004

0.020

0.010

0.122

0.067

0.041

0.024

0.118

10°

类型6 ：

PIN 1.集热器

2.收集

3. BASE

4.发射器

5.集热器

6.集热器

焊接足迹*

2.4

0.094

1.9

0.075

0.95

0.037

0.95

0.037

0.7

0.028

1.0

0.039

SCALE 10 ： 1

mm

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

http://onsemi.com

5

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