MBRS320T3 ， MBRS330T3 ，
MBRS340T3
表面贴装
肖特基功率整流器
这些装置采用了肖特基原理在大面积
金属与硅功率二极管。国家的最先进的几何特征
外延建设与氧化物钝化和金属覆盖
接触。非常适用于低电压，高频率的整改，或
续流和极性保护二极管，表面贴装
应用紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
特点
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肖特基势垒
整流器
3.0安培
20 ，30，40伏
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高度稳定的氧化钝化结
极低的正向电压降
（ 0.5 V最大@ 3.0 A，T
J
= 25°C)
优秀的承受能力反向雪崩能量瞬变
保护环应力保护
设备通过ISO 7637脉冲＃ 1
无铅包可用
SMC
CASE 403
塑料
标记图
机械特性
案例：环氧树脂，模压，环氧符合UL 94 V- 0
重量： 217毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
AYWW
B3xG
G
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：缺口在塑体表示阴极引线
器件符合MSL 1的要求
ESD额定值：机器型号，C > 400 V
人体模型， 3B > 8000 V
B3X =器件代码
x
= 2， 3或4个
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MBRS320T3
MBRS320T3G
MBRS330T3
MBRS330T3G
MBRS340T3
MBRS340T3G
包
SMC
SMC
（无铅）
SMC
SMC
（无铅）
SMC
SMC
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年11月
9牧师
1
出版订单号：
MBRS340T3/D
MBRS320T3 ， MBRS330T3 ， MBRS340T3
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60赫兹）
工作结温
ISO 7637脉冲＃ 1
（100V ， 10W ）
ESD额定值：机器型号= C
ESD额定值：
人体模型= 3B
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
MBRS320T3
20
MBRS330T3
30
MBRS340T3
40
单位
V
3.0 @ T
L
= 110°C
4.0 @ T
L
= 105°C
80
A
A
T
J
65 150
5000
>400
>8000
°C
脉冲
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
热特性
热阻，结到铅
R
qJL
V
F
i
R
11
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 3.0 A，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 100°C)
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
V
0.50
mA
2.0
20
典型电气特性
10
I
F
，正向电流（ AMPS ）
I
F
，正向电流（ AMPS ）
10
1
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
1
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
T
J
=
65°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
0.1
0.0
T
J
=
65°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
0.1
0.0
V
F
，最大正向电压（ V）
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
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2
MBRS320T3 ， MBRS330T3 ， MBRS340T3
典型电气特性
（续）
1.E01
I
R
，反向电流（ AMPS ）
1.E -02牛逼
J
= 125°C
1.E03
T
J
= 100°C
1.E04
I
R
，最大反向电流（安培）
1.E01
1.E02
T
J
= 125°C
1.E03
1.E04
1.E05
1.E06
T
J
= 100°C
1.E05
1.E06
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
R
，反向电压（V）的
V
R
，反向电压（V）的
图3.典型的反向电流
图4.最大反向电流
I
O
，平均正向电流（安培）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
90
100
dc
FREQ = 20千赫
R
qJL
= 11 ° C / W
P
FO
，平均功耗（ W）
5
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
PK
/I
O
= 5
I
PK
/I
O
=
p
方
WAVE
dc
方波
110
120
130
140
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T
L
，焊接温度（ ° C）
I
O
，平均正向电流（ A）
图5.电流降额
图6.前向功率耗散
700
600
C，电容（pF ）
500
400
300
200
100
0
0
典型电容在0 V = 658 pF的
T
J
= 25°C
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（V）的
图7.典型电容
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3
MBRS320T3 ， MBRS330T3 ， MBRS340T3
包装尺寸
SMC
CASE 403-03
问题E
H
E
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应测量WITHIN维P.
4. 403-01 THRU -02过时了，新标准403-03 。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
L1
民
1.90
0.05
2.92
0.15
5.59
6.60
7.75
0.76
MILLIMETERS
喃
最大
2.13
2.41
0.10
0.15
3.00
3.07
0.23
0.30
5.84
6.10
6.86
7.11
7.94
8.13
1.02
1.27
0.51 REF
民
0.075
0.002
0.115
0.006
0.220
0.260
0.305
0.030
英寸
喃
0.084
0.004
0.118
0.009
0.230
0.270
0.313
0.040
0.020 REF
最大
0.095
0.006
0.121
0.012
0.240
0.280
0.320
0.050
b
D
A
L
L1
c
A1
焊接足迹*
4.343
0.171
3.810
0.150
2.794
0.110
尺度4:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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