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MBRS140LT3
表面贴装
肖特基功率整流器
SMB功率表面贴装封装
该器件采用肖特基原则在
金属与硅功率整流器。特点外延与建设
氧化物钝化和金属覆盖层接触。适用于低
电压,高频开关电源;续流
二极管和极性保护二极管。
特点
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肖特基势垒
整流器器
1.0安培 - 40伏
紧凑的封装与J-弯信息的理想选择自动处理
高度稳定的氧化钝化结
Guardring过电压保护
低正向压降
无铅包装是否可用
SMB
CASE 403A
塑料
机械特性:
案例:模压环氧树脂
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
重量: 95毫克(大约)
阴极极性带
铅和安装表面焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
, T
C
= 110°C)
峰值重复正向电流(额定
V
R
,方波, 100千赫,T
C
= 110°C)
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下
半波,单相, 60赫兹)
存储/工作温度
工作结温
变化的电压率
(额定V
R
, T
J
= 25°C)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FRM
I
FSM
价值
40
单位
V
标记图
AYWW
B14LG
G
1.0
2.0
40
A
A
A
B14L
=具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
-55到+150
-55到+125
10,000
°C
°C
V / ms的
设备
MBRS140LT3
MBRS140LT3G
SMB
SMB
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
T
英镑
, T
C
T
J
dv / dt的
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年10月 - 第3版
出版订单号:
MBRS140LT3/D
MBRS140LT3
热特性
特征
热阻,结到铅(注1 )
热阻,结到环境(注2 )
1.安装有最低建议焊盘尺寸, PC板FR4 。
2.1英寸的方形焊盘尺寸( 1 ×0.5英寸为每根引线)上FR4板。
符号
R
qJL
R
qJA
最大
24
80
单位
° C / W
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压(注3 )
见图2
最大瞬时反向电流(注3 )
参见图4
3.脉冲测试:脉冲宽度
250
女士,
占空比
2.0%.
(V
R
= 40 V)
(V
R
= 20 V)
I
R
(i
F
= 1.0 A)
(i
F
= 2.0 A)
符号
v
F
T
J
= 25°C
0.5
0.6
T
J
= 25°C
0.4
0.02
T
J
= 125°C
0.425
0.58
T
J
= 100°C
10
5.0
mA
单位
V
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2
MBRS140LT3
I F ,正向电流(安培)
IF ,正向电流(安培)
100
100
10
10
1.0
T
J
= 125°C
100°C
1.0
T
J
= 125°C
100°C
25°C
25°C
40
°C
0.1
0.1
0.3
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
V
F
,最大正向电压(伏)
0.5
0.7
0.9
v
F
,正向电压(伏)
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
IR ,最大反向电流(安培)
100E3
IR ,反向电流( AMPS )
10E3
T
J
= 125°C
100°C
100E3
T
J
= 125°C
10E3
1.0E3
25°C
100°C
1.0E3
100E6
10E6
25°C
1.0E6
0
10
20
30
100E6
10E6
1.0E6
40
0
10
20
30
40
V
R
,反向电压(伏)
V
R
,反向电压(伏)
图3.典型的反向电流
图4.最大反向电流
dc
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
45
65
85
105
125
T
L
,焊接温度( ° C)
方波
IPK / IO =
p
IPK / IO = 5.0
IPK / IO = 10
IPK / IO = 20
FREQ = 20千赫
PFO ,平均功耗(瓦)
IO ,平均正向电流(安培)
1.6
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
O
,平均正向电流(安培)
IPK / IO =
p
IPK / IO = 5.0
IPK / IO = 10
IPK / IO = 20
方波
dc
图5.电流降额
图6.前向功率耗散
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3
MBRS140LT3
TJ ,降级运行温度(
°
C)
1000
T
J
= 25°C
C,电容(pF )
125
115
105
95
85
75
65
24°C/W
44°C/W
63°C/W
80°C/W
R
TJA
= 94 ° C / W
100
10
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
V
R
,反向电压(伏)
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
V
R
,采用直流反接电压(伏)
图7.电容
图8.典型工作温度降额*
- [R T,瞬态热阻(标准化)
*反向功耗和热失控的可能性,必须在任何重新操作此设备时,应考虑
诗句电压条件下。的T计算
J
因此,必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
T
J
可以由下式计算:
T
J
= T
JMAX
- R(T) ( Pf的+ Pr的),其中
R(T )=在给定条件下的热阻抗,
PF =正向功耗,
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许的牛逼
J
由于仅直流条件下反向偏压并且被计算为T
J
= T
JMAX
- R(T ) PR,
其中,r (t)的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
50%
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
1.0E+00
1.0E01
1.0E02
1.0E03
R
TJL (T )
= R
TJL * R(T )
1.0E04
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T,时间(S )
1.0
10
100
1000
- [R T,瞬态热阻(标准化)
图9.热响应,结到铅
50%
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
1.0E+00
1.0E01
1.0E02
1.0E03
R
TJL (T )
= R
TJL * R(T )
1.0E04
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T,时间(S )
1.0
10
100
1000
图10.热响应,结到环境
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4
MBRS140LT3
包装尺寸
SMB
塑料包装
CASE 403A -03
本期
H
E
E
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. D尺寸应测量WITHIN维P.
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
L1
1.90
0.05
1.96
0.15
3.30
4.06
5.21
0.76
MILLIMETERS
最大
2.13
2.45
0.10
0.20
2.03
2.20
0.23
0.31
3.56
3.95
4.32
4.60
5.44
5.60
1.02
1.60
0.51 REF
0.075
0.002
0.077
0.006
0.130
0.160
0.205
0.030
英寸
0.084
0.004
0.080
0.009
0.140
0.170
0.214
0.040
0.020 REF
最大
0.096
0.008
0.087
0.012
0.156
0.181
0.220
0.063
b
D
A
L
L1
c
A1
焊接足迹*
2.261
0.089
2.743
0.108
2.159
0.085
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
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