MBRS130T3
首选设备
表面贴装
肖特基功率整流器
本装置采用的肖特基原理在大面积
金属与硅功率二极管。国家的最先进的几何特征
外延建设与氧化物钝化和金属覆盖
接触。非常适用于低电压,高频率的整改,或
续流和极性保护二极管表面贴装
应用紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
特点
http://onsemi.com
小型紧凑型表面贴装封装,带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高度稳定的氧化钝化结
非常低正向压降( 0.6伏特最大值@ 1.0 A,T
J
= 25°C)
优秀的承受能力反向雪崩能量瞬变
Guardring应力保护
无铅封装可用
肖特基势垒
整流器器
1.0安培
30伏特
SMB
CASE 403A
塑料
机械特性
案例:环氧树脂,模压
重量: 95毫克(大约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
运12毫米磁带和卷轴, 2500单位每卷
阴极极性带
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(T
L
= 115°C)
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下
半波,单相, 60赫兹)
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FSM
价值
30
单位
V
标记图
AYWW
B13G
G
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
1.0
40
A
A
设备
MBRS130T3
MBRS130T3G
包
SMB
SMB
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
T
J
-65到+125
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
热特性
等级
热阻,结到铅
(T
L
= 25°C)
符号
R
qJL
价值
12
单位
° C / W
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年8月 - 启示录7
出版订单号:
MBRS130T3/D
MBRS130T3
电气特性
等级
最大正向电压(注1 )
(i
F
= 1.0 A,T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流(注1 )
(额定直流电压,T
J
= 25°C)
(额定直流电压,T
J
= 100°C)
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比
≤
2.0%.
I F ,正向电流(安培)
100
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
符号
V
F
i
R
1.0
10
价值
0.6
单位
V
mA
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.1
I R ,反向电流(毫安)
T
C
= 100°C
T
J
= 125°C
100°C
75°C
25°C
T
C
= 25°C
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
v
F
,正向电压(伏)
V
R
,反向电压(伏)
图1.典型正向电压
200
180
160
C,电容(pF )
140
120
100
80
60
40
20
0
0
4
8
12
16
20
24
28
图2.典型的反向电流
注:典型电容
在0 V = 160 pF的
32
36
40
V
R
,反向电压(伏)
图3.典型电容
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
30
40
50
60
70
80
90 100
T
C
,外壳温度( ° C)
110
120
130
DC
方波
PF ( AV ) ,平均功耗(瓦)
I F ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
5
T
J
= 125°C
4
5
电容
负载
2
1
0
I
PK
I
AV
= 20
方
WAVE
π
DC
施加额定电压
R
QJC
= 12 ° C / W
T
J
= 125°C
3
10
0
1
2
3
4
5
图4.电流降额(案例)
http://onsemi.com
2
I
F( AV )
,平均正向电流(安培)
图5.功耗
MBRS130T3
包装尺寸
SMB
CASE 403A -03
本期
H
E
E
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. D尺寸应测量WITHIN维P.
MILLIMETERS
喃
最大
2.13
2.45
0.10
0.20
2.03
2.20
0.23
0.31
3.56
3.95
4.32
4.60
5.44
5.60
1.02
1.60
0.51 REF
英寸
喃
0.084
0.004
0.080
0.009
0.140
0.170
0.214
0.040
0.020 REF
b
D
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
L1
民
1.90
0.05
1.96
0.15
3.30
4.06
5.21
0.76
民
0.075
0.002
0.077
0.006
0.130
0.160
0.205
0.030
最大
0.096
0.008
0.087
0.012
0.156
0.181
0.220
0.063
A
L
L1
c
A1
焊接足迹*
2.261
0.089
2.743
0.108
2.159
0.085
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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