MBRS120T3
首选设备
表面贴装
肖特基功率整流器
本装置采用的肖特基原理在大面积
金属与硅功率二极管。国家的最先进的几何特征
外延建设与氧化物钝化和金属覆盖
接触。非常适用于低电压,高频率的整改,或
续流和极性保护二极管表面贴装
应用紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
特点
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肖特基势垒
整流器器
1.0安培, 20伏
小型紧凑型表面贴装封装,带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高度稳定的氧化钝化结
非常低正向压降( 0.55伏特最大值@ 1.0 A,T
J
= 25°C)
优秀的承受能力反向雪崩能量瞬变
保护环应力保护
无铅包装是否可用
SMB
CASE 403A
塑料
机械特性
案例:环氧树脂,模压
重量: 95毫克(大约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
阴极极性带
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(T
L
= 115°C)
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下
半波,单相, 60赫兹)
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FSM
价值
20
单位
V
标记图
AYWW
B12G
G
1.0
40
A
A
B12
=具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
包
SMB
SMB
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
T
J
-65到+125
°C
MBRS120T3
MBRS120T3G
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年8月 - 修订版6
出版订单号:
MBRS120T3/D
MBRS120T3
200
180
C,电容(pF )
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
注:典型电容
在0 V = 160 pF的
V
R
,反向电压(伏)
图3.典型电容
PF ( AV ) ,平均功耗(瓦)
I F ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
30
40
50
60
70
80
90 100
T
C
,外壳温度( ° C)
110
120
130
方波
DC
施加额定电压
R
θJC
= 12 ° C / W
T
J
= 125°C
5
T
J
= 125°C
4
3
2
1
0
5
电容
负载
I
PK
I
AV
= 20
10
方
WAVE
π
DC
0
1
2
3
4
5
I
F( AV )
,平均正向电流(安培)
图4.电流降额(案例)
图5.功耗
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3
MBRS120T3
包装尺寸
SMB
塑料包装
CASE 403A -03
问题E
H
E
E
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. D尺寸应测量WITHIN维P.
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
L1
民
1.90
0.05
1.96
0.15
3.30
4.06
5.21
0.76
MILLIMETERS
喃
最大
2.13
2.41
0.10
0.15
2.03
2.11
0.23
0.30
3.56
3.81
4.32
4.57
5.44
5.59
1.02
1.27
0.51 REF
民
0.075
0.002
0.077
0.006
0.130
0.160
0.205
0.030
英寸
喃
0.084
0.004
0.080
0.009
0.140
0.170
0.214
0.040
0.020 REF
最大
0.095
0.006
0.083
0.012
0.150
0.180
0.220
0.050
b
D
A
L
L1
c
A1
焊接足迹*
2.261
0.089
2.743
0.108
2.159
0.085
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
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