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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1025页 > MBRS1100T3
MBRS1100T3 ， MBRS190T3
首选设备
肖特基功率整流器
表面贴装功率封装
肖特基功率整流器采用采用肖特基势垒
原则上在一个大面积的金属到硅功率二极管。国家的最先进的
几何特征的外延建设与氧化和钝化
金属覆盖层接触。非常适用于低电压，高频率
整改，或续流和极性保护二极管，在
表面安装的应用程序，其中紧凑的尺寸和重量是至关重要的
到系统中。国家的最先进的，这些设备具有以下
产品特点：
特点
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
1.0安培
90 ， 100伏
无铅包可用
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高度稳定的氧化钝化结
高阻断电压 - 100伏
175 ° C工作结温
Guardring应力保护
SMB
CASE 403A
塑料
标记图
AYW
B1xG
B1
x
A
Y
W
G
=器件代码
= C的MBRS1100T3
9 MBRS190T3
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
机械特性
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运12毫米磁带和卷轴， 2500单位每卷
阴极极性带
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
DC阻断电压MBRS190T3
MBRS1100T3
平均正向电流整流
T
L
= 163°C
T
L
= 148°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结温（注1 ）
变化的电压率
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
1.0
2.0
I
FSM
50
A
价值
单位
V
90
100
A
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
T
J
dv / dt的
-65到+175
10
°C
V / ns的
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.产生的热必须小于由热传导率
结至环境： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年3月 - 修订版9
出版订单号：
MBRS1100T3/D
MBRS1100T3 ， MBRS190T3
热特性
等级
热电阻 - 结到铅（T
L
= 25°C)
符号
R
qJL
价值
22
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ） （我
F
= 1.0 A，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压， TJ = 25°C ）
（额定直流电压，T
J
= 100°C)
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
V
F
I
R
0.5
5.0
0.75
V
mA
订购信息
设备
MBRS1100T3
MBRS1100T3G
MBRS190T3
MBRS190T3G
记号
B1C
B1C
B19
B19
包
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MBRS1100T3 ， MBRS190T3
典型电气特性
I F ，正向电流（安培）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2 1.3
T
J
= 150°C
1K
400
200
100
40
20
10
4
2
1
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
I R ，反向电流（
μ
A)
T
J
= 150°C
125°C
100°C
100°C
25°C
25°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
v
F
，瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图2.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的电压的最高电压装置
分组。典型的反向电流为低电压的选择可以被估计
从这些曲线中若V
R
充足低于额定V
R
.
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
0.5
I F （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
3.2
T
J
= 100°C
2.0
DC
1.5
方
WAVE
DC
1.0
方
WAVE
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
145
150
155
160
165
170
175
180
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
T
C
，外壳温度（ ° C）
图3.功耗
图4.电流降额，案例，每腿
典型电气特性
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
注：典型电容
注意：
在0 V = 270 pF的
C，电容（pF ）
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
V
R
，反向电压（伏）
图5.典型电容
http://onsemi.com
3
MBRS1100T3 ， MBRS190T3
包装尺寸
SMB
塑料包装
CASE 403A -03
本期
H
E
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应测量WITHIN维P.
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
L1
民
1.90
0.05
1.96
0.15
3.30
4.06
5.21
0.76
MILLIMETERS
喃
最大
2.13
2.45
0.10
0.20
2.03
2.20
0.23
0.31
3.56
3.95
4.32
4.60
5.44
5.60
1.02
1.60
0.51 REF
民
0.075
0.002
0.077
0.006
0.130
0.160
0.205
0.030
英寸
喃
0.084
0.004
0.080
0.009
0.140
0.170
0.214
0.040
0.020 REF
最大
0.096
0.008
0.087
0.012
0.156
0.181
0.220
0.063
b
D
A
L
L1
c
A1
焊接足迹*
2.261
0.089
2.743
0.108
2.159
0.085
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
MBRS1100T3/D
MBRS1100T3 ， MBRS190T3
首选设备
肖特基功率整流器
表面贴装功率封装
肖特基功率整流器采用采用肖特基势垒
原则上在一个大面积的金属到硅功率二极管。国家的最先进的
几何特征的外延建设与氧化和钝化
金属覆盖层接触。非常适用于低电压，高频率
整改，或续流和极性保护二极管，在
表面安装的应用程序，其中紧凑的尺寸和重量是至关重要的
到系统中。国家的最先进的，这些设备具有以下
产品特点：
http://onsemi.com
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高度稳定的氧化钝化结
高阻断电压 - 100伏
150 ° C工作结温
Guardring应力保护
肖特基势垒
整流器器
1.0安培
90 ， 100伏
机械特性
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运12毫米磁带和卷轴， 2500单位每卷
阴极极性带
标记; MBRS190T3 ： B19
标记;
MBRS1100T3 ： B1C
SMB
CASE 403A
塑料
标记图
B1x
B1X =器件代码
x
= 9或C
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
DC阻断电压MBRS190T3
MBRS1100T3
平均正向电流整流
T
L
= 120°C
T
L
= 100°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载
条件下半波，单
相， 60赫兹）
工作结温
变化的电压率
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
1.0
2.0
I
FSM
50
A
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
价值
单位
V
90
100
A
订购信息
设备
MBRS1100T3
MBRS190T3
包
SMB
SMB
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
T
J
dv / dt的
-65到+150
10
°C
V / ns的
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年10月 - 修订版5
出版订单号：
MBRS1100T3/D
MBRS1100T3 ， MBRS190T3
热特性
等级
热阻 - 结到铅（T
L
= 25°C)
符号
R
θJL
价值
22
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压， TJ = 25°C ）
（额定直流电压，T
J
= 100°C)
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%.
V
F
I
R
0.5
5.0
0.75
伏
mA
典型电气特性
I F ，正向电流（安培）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2 1.3
T
J
= 150°C
1K
400
200
100
40
20
10
4
2
1
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
I R ，反向电流（
A)
T
J
= 150°C
125°C
100°C
100°C
25°C
25°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
v
F
，瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图2.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的电压的最高电压装置
分组。典型的反向电流为低电压的选择可以被估计
从这些曲线中若V
R
充足低于额定V
R
.
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
I F （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
方
WAVE
DC
T
J
= 100°C
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
为V
R
应用的
R
θJL
= 22 ° C / W
T
J
= 100°C
DC
方
WAVE
20
40
60
80
100
120
140
160
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
T
L
，焊接温度（ ° C）
图3.功耗
图4.电流降额，铅
http://onsemi.com
2
MBRS1100T3 ， MBRS190T3
典型电气特性
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
注：典型电容
注意：
在0 V = 270 pF的
C，电容（pF ）
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
V
R
，反向电压（伏）
图5.典型电容
使用SMB表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.089
2.261
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.108
2.743
0.085
2.159
英寸
mm
安装须知
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行5秒钟以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
冷却过程中
*进行焊接装置无需预热可引起
过度的热冲击和应力，这可能导致
损坏设备。
http://onsemi.com
3
MBRS1100T3 ， MBRS190T3
包装尺寸
S
A
SMB
塑料包装
CASE 403A -03
版本D
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应在实测
维P.
D
B
C
英寸
DIM MIN
最大
A
0.160
0.180
B
0.130
0.150
C
0.075
0.095
D
0.077
0.083
H
0.0020 0.0060
J
0.006
0.012
K
0.030
0.050
P
0.020 REF
S
0.205
0.220
MILLIMETERS
民
最大
4.06
4.57
3.30
3.81
1.90
2.41
1.96
2.11
0.051
0.152
0.15
0.30
0.76
1.27
0.51 REF
5.21
5.59
K
P
J
H
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，
包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的
直接或间接引起的，律师费，人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔
称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
北美文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
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传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
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传真响应行： 303-675-2167或800-344-3810免费电话美国/加拿大
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
欧洲：
最不发达国家的安森美半导体 - 欧洲支持
德国电话：
（ +1 ） 303-308-7140 （周一至周五下午2:30至下午7:00 CET）
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法国电话：
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ONlit-french@hibbertco.com
英语电话：
（ +1 ） 303-308-7142 （周一至周五下午12时00分至下午5:00 GMT ）
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欧洲免费接入* ： 00-800-4422-3781
*有来自德国，法国，意大利，英国，爱尔兰
中/南美洲：
西班牙电话：
303-308-7143 （周一至周五上午8:00至下午5:00 ）
电子邮件：
ONlit-spanish@hibbertco.com
免费电话，来自墨西哥：
拨打01-800-288-2872的访问 -
然后拨打866-297-9322
亚洲/太平洋网络C：
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电话：
303-675-2121 （周二至周五上午9时至下午1时00分，香港时间）
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来自香港和放大器;新加坡：
001–800–4422–3781
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4-32-1西五反田，品川区，东京，日本141-0031
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安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
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4
MBRS1100T3/D
摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
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通过MBRS1100T3 / D
肖特基功率整流器
表面贴装功率封装
肖特基功率整流器应用中使用的肖特基势垒原则
大面积的金属到硅功率二极管。国家的最先进的几何特征
外延建设与氧化物钝化和金属覆盖层接触。理想情况下
适用于低电压，高频率的整改，或续流和
极性保护二极管，表面贴装应用中，紧凑的尺寸
和重量都对系统的关键。国家的最先进的这些设备具有
特点如下：
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高度稳定的氧化钝化结
高阻断电压 - 100伏
150 ° C工作结温
Guardring应力保护
数据表
MBRS1100T3
摩托罗拉的首选设备
肖特基势垒
整流器器
1.0安培
100伏
机械特性
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端信息是
随手可焊
铅和安装表面焊接温度的目的： 260℃
马克斯。为10秒
运12毫米磁带和卷轴， 2500单位每卷
极性：缺口在塑体表示阴极引线
标记： B110
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
TL = 120C
TL = 100℃
符号
VRRM
VRWM
VR
IF （ AV ）
IFSM
TJ
dv / dt的
CASE 403A -03
价值
100
单位
伏
1.0
2.0
50
- 65 + 150
10
安培
安培
°C
V / ns的
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结温
变化的电压率
热特性
热阻 - 结到铅（ TL = 25 ° C）
R
θJL
22
° C / W
电气特性
最大正向电压（ 1 ）
（IF = 1.0 A， TJ = 25 ° C）
最大瞬时反向电流（ 1 ）
（额定直流电压， TJ = 25°C ）
（额定直流电压， TJ = 100 ° C）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
VF
iR
0.75
伏
mA
0.5
5.0
REV 2
整流器器
公司1996年
数据
摩托罗拉，
设备
1
MBRS1100T3
典型电气特性
I F ，正向电流（安培）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2 1.3
1.4
100°C
25°C
TJ = 150℃
1K
400
200
100
40
20
10
4
2
1
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
I R ，反向电流（
A)
TJ = 150℃
125°C
100°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
VF ，瞬时电压（伏）
VR ，反向电压（伏）
图1.典型正向电压
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
图2.典型的反向电流
I F （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
方
WAVE
DC
TJ = 100℃
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
额定Vr的应用
R
θJL
= 22 ° C / W
TJ = 100℃
DC
方
WAVE
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
TL ，焊接温度（ ° C）
图3.功耗
图4.电流降额，铅
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
注：典型电容
注意：
在0 V = 270 pF的
C，电容（pF ）
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
VR ，反向电压（伏）
图5.典型电容
2
整流设备数据
MBRS1100T3
使用SMB表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。的足迹对于半导体封装必须
正确的尺寸，以保证适当的焊料连接接口
电路板和封装之间。有了正确的垫
的几何形状，当受到一个程序包将自对准
焊料回流工艺。
0.089
2.261
0.108
2.743
0.085
2.159
英寸
mm
安装须知
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热和焊接之间的温度增量
应在100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行5秒钟以上。
当从预热到焊接，最大移
温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
整流设备数据
3
MBRS1100T3
包装尺寸
S
A
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应在实测
维P.
D
B
C
英寸
DIM MIN
最大
A
0.160
0.180
B
0.130
0.150
C
0.075
0.095
D
0.077
0.083
H
0.0020 0.0060
J
0.006
0.012
K
0.030
0.050
P
0.020 REF
S
0.205
0.220
MILLIMETERS
民
最大
4.06
4.57
3.30
3.81
1.90
2.41
1.96
2.11
0.051
0.152
0.15
0.30
0.76
1.27
0.51 REF
5.21
5.59
K
P
J
H
CASE 403A -03
问题B
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ，科罗拉多州丹佛市80217. 303-675-2140或1-800-441-2447
日本：
日本摩托罗拉有限公司： SPD ，战略规划办公室， 4-32-1 ，
西五反田，品川区，东京141 ，日本。 81-3-5487-8488
M传真 ：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
互联网：
http://motorola.com/sps
4
MBRS1100T3/D
整流设备数据
MBRS1100T3 ， MBRS190T3
首选设备
肖特基功率整流器
表面贴装功率封装
肖特基功率整流器采用采用肖特基势垒
原则上在一个大面积的金属到硅功率二极管。国家的最先进的
几何特征的外延建设与氧化和钝化
金属覆盖层接触。非常适用于低电压，高频率
整改，或续流和极性保护二极管，在
表面安装的应用程序，其中紧凑的尺寸和重量是至关重要的
到系统中。国家的最先进的，这些设备具有以下
产品特点：
http://onsemi.com
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高度稳定的氧化钝化结
高阻断电压 - 100伏
150 ° C工作结温
Guardring应力保护
肖特基势垒
整流器器
1.0安培
90 ， 100伏
机械特性
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运12毫米磁带和卷轴， 2500单位每卷
阴极极性带
标记; MBRS190T3 ： B19
标记;
MBRS1100T3 ： B1C
SMB
CASE 403A
塑料
标记图
B1x
B1X =器件代码
x
= 9或C
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
DC阻断电压MBRS190T3
MBRS1100T3
平均正向电流整流
T
L
= 120°C
T
L
= 100°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载
条件下半波，单
相， 60赫兹）
工作结温
变化的电压率
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
1.0
2.0
I
FSM
50
A
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
价值
单位
V
90
100
A
订购信息
设备
MBRS1100T3
MBRS190T3
包
SMB
SMB
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
T
J
dv / dt的
-65到+150
10
°C
V / ns的
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年10月 - 修订版5
出版订单号：
MBRS1100T3/D
MBRS1100T3 ， MBRS190T3
热特性
等级
热阻 - 结到铅（T
L
= 25°C)
符号
R
θJL
价值
22
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压， TJ = 25°C ）
（额定直流电压，T
J
= 100°C)
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%.
V
F
I
R
0.5
5.0
0.75
伏
mA
典型电气特性
I F ，正向电流（安培）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2 1.3
T
J
= 150°C
1K
400
200
100
40
20
10
4
2
1
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
I R ，反向电流（
A)
T
J
= 150°C
125°C
100°C
100°C
25°C
25°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
v
F
，瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图2.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的电压的最高电压装置
分组。典型的反向电流为低电压的选择可以被估计
从这些曲线中若V
R
充足低于额定V
R
.
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
I F （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
方
WAVE
DC
T
J
= 100°C
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
为V
R
应用的
R
θJL
= 22 ° C / W
T
J
= 100°C
DC
方
WAVE
20
40
60
80
100
120
140
160
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
T
L
，焊接温度（ ° C）
图3.功耗
图4.电流降额，铅
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2
MBRS1100T3 ， MBRS190T3
典型电气特性
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
注：典型电容
注意：
在0 V = 270 pF的
C，电容（pF ）
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
V
R
，反向电压（伏）
图5.典型电容
使用SMB表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.089
2.261
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.108
2.743
0.085
2.159
英寸
mm
安装须知
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行5秒钟以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
冷却过程中
*进行焊接装置无需预热可引起
过度的热冲击和应力，这可能导致
损坏设备。
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3
MBRS1100T3 ， MBRS190T3
包装尺寸
S
A
SMB
塑料包装
CASE 403A -03
版本D
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应在实测
维P.
D
B
C
英寸
DIM MIN
最大
A
0.160
0.180
B
0.130
0.150
C
0.075
0.095
D
0.077
0.083
H
0.0020 0.0060
J
0.006
0.012
K
0.030
0.050
P
0.020 REF
S
0.205
0.220
MILLIMETERS
民
最大
4.06
4.57
3.30
3.81
1.90
2.41
1.96
2.11
0.051
0.152
0.15
0.30
0.76
1.27
0.51 REF
5.21
5.59
K
P
J
H
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，
包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的
直接或间接引起的，律师费，人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔
称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
北美文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
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ONlit@hibbertco.com
传真响应行： 303-675-2167或800-344-3810免费电话美国/加拿大
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
欧洲：
最不发达国家的安森美半导体 - 欧洲支持
德国电话：
（ +1 ） 303-308-7140 （周一至周五下午2:30至下午7:00 CET）
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欧洲免费接入* ： 00-800-4422-3781
*有来自德国，法国，意大利，英国，爱尔兰
中/南美洲：
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303-675-2121 （周二至周五上午9时至下午1时00分，香港时间）
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001–800–4422–3781
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4
MBRS1100T3/D
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MIC5321-MFYD6
MBRD835LT4
MAX5018
M5-128/104-15AI
MC10H350PG
MCN51-30S3-PFA
M27C4001-10XB6
MI-Q52-IUY
MMA7360L
MI-P2KK-IYZ
MSP430F2131TDWR
MIC5310-SSYML
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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