MBRM120E
表面贴装
肖特基功率整流器
POWERMITE
功率表面贴装封装
肖特基POWERMITE采用肖特基原则
用阻挡金属和外延结构产生最佳
正向压降，反向电流的折衷。先进
封装技术提供了一个高效率的微观缩影，
节省空间的表面贴装整流。凭借其独特的散热器设计，
该POWERMITE具有相同的热性能的同时， SMA
正在占位面积小50 ％ ，并提供了最低的国家之一
高度轮廓，
＆ LT ;
1.1毫米的行业。因为它的尺寸小，它是
非常适合在便携式电池供电的产品，例如蜂窝使用
和无绳电话，充电器，笔记本电脑，打印机，个人数字助理
和PCMCIA卡。典型的应用是交流/直流和直流 - 直流
转换器，电池反接保护，以及多电源的“ O型圈”
电压和任何其它应用中的性能和尺寸都
关键的。
产品特点：
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
1.0安培
20伏
阴极
POWERMITE
CASE 457
塑料
阳极
薄型 - 1.1 mm最大高度
体积小 - 中8.45平方毫米占位面积
低VF ，从而提高效率并延长电池寿命
提供12毫米磁带和卷轴
与模具上直接散热通道的低热阻
暴露阴极散热器
POWERMITE是JEDEC注册为DO- 216AA
案例：模压环氧树脂
环氧符合UL94V- 0 1/8 “
重量： 62毫克（大约）
器件标识： BCV
铅和安装表面焊接温度的目的。
260 ° C最大10秒
设备
标记图
机械特性：
M
BCV
BCV
M
=器件代码
=日期代码
订购信息
最大额定值
请参阅表上的下页
包
航运
3000 /磁带&卷轴
MBRM120ET1 POWERMITE
MBRM120ET3 POWERMITE 12000元/磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 修订版0
出版订单号：
MBRM120E/D
MBRM120E
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均整流正向电流（额定VR ， TC = 130 ° C）
重复峰值正向电流
（额定VR ，方波， 20千赫， TC = 135 ° C）
非重复性峰值浪涌电流
（非重复峰值浪涌电流，半波，单相， 60赫兹）
储存温度
工作结温
变化的电压率（额定VR ， TJ = 25 ° C）
符号
VRRM
VRWM
VR
IO
IFRM
IFSM
TSTG
TJ
dv / dt的
价值
20
单位
V
1.0
2.0
50
-65到150
-65到150
10,000
A
A
A
°C
°C
V / ms的
热特性
热电阻 - 结到铅（正极） （注1 ）
热电阻 - 结到标签（阴极） （注1 ）
热电阻 - 结到环境（注1 ）
Rtjl
Rtjtab
RTJA
35
23
277
° C / W
1.安装有最低建议焊盘尺寸，印刷电路板FR4 ，参见图9和图10 。
电气特性
最大正向电压（注2 ） ，参见图2
（IF = 0.1 A）
（IF = 1.0 ）
（IF = 2.0 A）
最大瞬时反向电流（注2 ） ，参见图4
（ VR = 20V）
（ VR = 10V ）
（ VR = 5.0 V）
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
s,
占空比
≤
2%.
IR
VF
TJ = 25°C
0.455
0.530
0.595
TJ = 25°C
10
1.0
0.5
TJ = 100℃
0.360
0.455
0.540
TJ = 100℃
1600
500
300
mA
V
http://onsemi.com
2
MBRM120E
IO ，平均正向电流（安培）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
45
65
85
105
方波
IPK / IO =
p
IPK / IO = 5
IPK / IO = 10
IPK / IO = 20
dc
PFO ，平均耗散（瓦）
FREQ = 20千赫
0.7
0.6
IPK / IO =
p
0.5
IPK / IO = 5
0.4
IPK / IO = 10
0.3
IPK / IO = 20
0.2
0.1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
方
WAVE
dc
125
145
165
1.4
1.6
TL ，焊接温度（ ° C）
IO ，平均正向电流（安培）
图5.电流降额
图6.前向功率耗散
1000
TJ ，降额工作温度
(_C)
150
Rtja = 33.72 ° C / W
C，电容（pF ）
TJ = 25°C
51°C/W
69°C/W
83.53°C/W
96°C/W
148
100
146
10
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
20
VR ，反向电压（伏）
144
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
20
VR ，采用直流反接电压（伏）
图7.电容
图8.典型工作温度降额*
*反向功耗和热失控的可能性，必须在任何重新操作此设备时，应考虑
诗句电压条件下。 TJ的计算，因此必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
TJ可以由下式计算：
TJ = TJMAX - R（T ） （PF + PR） ，其中
R（T ）=在给定条件下的热阻抗，
PF =正向功耗，
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许TJ由于只有直流条件下的反向偏置，计算为TJ = TJMAX - R（T ） PR，
其中，r （t）的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
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MBRM120E
表面贴装
肖特基功率整流器
POWERMITE
功率表面贴装封装
肖特基POWERMITE采用肖特基原则
用阻挡金属和外延结构产生最佳
正向压降，反向电流的折衷。先进
封装技术提供了一个高效率的微观缩影，
节省空间的表面贴装整流。凭借其独特的散热器设计，
该POWERMITE具有相同的热性能的同时， SMA
正在占位面积小50 ％ ，并提供了最低的国家之一
高度轮廓，
＆ LT ;
1.1毫米的行业。因为它的尺寸小，它是
非常适合在便携式电池供电的产品，例如蜂窝使用
和无绳电话，充电器，笔记本电脑，打印机，个人数字助理
和PCMCIA卡。典型的应用是交流/直流和直流 - 直流
转换器，电池反接保护，以及多电源的“ O型圈”
电压和任何其它应用中的性能和尺寸都
关键的。
产品特点：
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
1.0安培
20伏
阴极
POWERMITE
CASE 457
塑料
阳极
薄型 - 1.1 mm最大高度
体积小 - 中8.45平方毫米占位面积
低VF ，从而提高效率并延长电池寿命
提供12毫米磁带和卷轴
与模具上直接散热通道的低热阻
暴露阴极散热器
POWERMITE是JEDEC注册为DO- 216AA
案例：模压环氧树脂
环氧符合UL94V- 0 1/8 “
重量： 62毫克（大约）
器件标识： BCV
铅和安装表面焊接温度的目的。
260 ° C最大10秒
设备
标记图
机械特性：
M
BCV
BCV
M
=器件代码
=日期代码
订购信息
最大额定值
请参阅表上的下页
包
航运
3000 /磁带&卷轴
MBRM120ET1 POWERMITE
MBRM120ET3 POWERMITE 12000元/磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 修订版0
出版订单号：
MBRM120E/D
MBRM120E
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均整流正向电流（额定VR ， TC = 130 ° C）
重复峰值正向电流
（额定VR ，方波， 20千赫， TC = 135 ° C）
非重复性峰值浪涌电流
（非重复峰值浪涌电流，半波，单相， 60赫兹）
储存温度
工作结温
变化的电压率（额定VR ， TJ = 25 ° C）
符号
VRRM
VRWM
VR
IO
IFRM
IFSM
TSTG
TJ
dv / dt的
价值
20
单位
V
1.0
2.0
50
-65到150
-65到150
10,000
A
A
A
°C
°C
V / ms的
热特性
热电阻 - 结到铅（正极） （注1 ）
热电阻 - 结到标签（阴极） （注1 ）
热电阻 - 结到环境（注1 ）
Rtjl
Rtjtab
RTJA
35
23
277
° C / W
1.安装有最低建议焊盘尺寸，印刷电路板FR4 ，参见图9和图10 。
电气特性
最大正向电压（注2 ） ，参见图2
（IF = 0.1 A）
（IF = 1.0 ）
（IF = 2.0 A）
最大瞬时反向电流（注2 ） ，参见图4
（ VR = 20V）
（ VR = 10V ）
（ VR = 5.0 V）
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
s,
占空比
≤
2%.
IR
VF
TJ = 25°C
0.455
0.530
0.595
TJ = 25°C
10
1.0
0.5
TJ = 100℃
0.360
0.455
0.540
TJ = 100℃
1600
500
300
mA
V
http://onsemi.com
2
MBRM120E
IO ，平均正向电流（安培）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
45
65
85
105
方波
IPK / IO =
p
IPK / IO = 5
IPK / IO = 10
IPK / IO = 20
dc
PFO ，平均耗散（瓦）
FREQ = 20千赫
0.7
0.6
IPK / IO =
p
0.5
IPK / IO = 5
0.4
IPK / IO = 10
0.3
IPK / IO = 20
0.2
0.1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
方
WAVE
dc
125
145
165
1.4
1.6
TL ，焊接温度（ ° C）
IO ，平均正向电流（安培）
图5.电流降额
图6.前向功率耗散
1000
TJ ，降额工作温度
(_C)
150
Rtja = 33.72 ° C / W
C，电容（pF ）
TJ = 25°C
51°C/W
69°C/W
83.53°C/W
96°C/W
148
100
146
10
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
20
VR ，反向电压（伏）
144
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
20
VR ，采用直流反接电压（伏）
图7.电容
图8.典型工作温度降额*
*反向功耗和热失控的可能性，必须在任何重新操作此设备时，应考虑
诗句电压条件下。 TJ的计算，因此必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
TJ可以由下式计算：
TJ = TJMAX - R（T ） （PF + PR） ，其中
R（T ）=在给定条件下的热阻抗，
PF =正向功耗，
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许TJ由于只有直流条件下的反向偏置，计算为TJ = TJMAX - R（T ） PR，
其中，r （t）的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
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