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新产品
MBR30H90CT & MBR30H100CT
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
高阻隔技术改进高温性能
TO-220AB
ITO-220AB
MBR30H90CT
MBR30H100CT
销1
3脚
销2
2
1
3
MBRF30H90CT
MBRF30H100CT
销1
3脚
销2
1
2
3
TO-263AB
K
特点
Guardring过电压保护
更低的功率损耗,效率高
低正向压降
低漏电流
高正向浪涌能力
??高频工作
符合MSL等级1 ,符合per J - STD-020C标准, LF最大
245 ° C(用于TO- 263AB封装)峰
浸焊260 ° C, 40秒(对于TO- 220AB和
ITO - 220AB封装)
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
在切换高频整流用
式电源,续流二极管,直流 - 直流
转换器或极性保护应用程序。
机械数据
案例:
TO- 220AB , ITO - 220AB , TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级,符合JESD 201级
1A晶须测试, HE3后缀为高可靠性等级
( AEC Q101标准) ,符合JESD 201 2级
晶须测试
极性:
由于标
安装扭矩:
最大10磅
2
1
MBRB30H90CT
MBRB30H100CT
销1
销2
K
散热器
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
I
R
T
J
马克斯。
15 A ×2
90 V, 100 V
275 A
0.67 V
5.0 A
175 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流(图1)
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR30H90CT
90
90
90
30
15
275
1.0
10000
- 65 + 175
1500
MBR30H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
°C
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波叠加
每个二极管的额定载荷
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒, 1千赫
变化的电压率(额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压( ITO - 220AB只)
从终端到散热片T = 1分
文档编号: 88791
修订: 12 - NOV- 07
www.vishay.com
1
新产品
MBR30H90CT & MBR30H100CT
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大正向
每个二极管电压
(1)
每个二极管的最大反向电流
工作峰值反向电压
(1)
注意:
(1 )脉冲测试: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
测试条件
I
F
= 15 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
I
F
= 30 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
价值
0.82
0.67
0.93
0.80
5.0
6.0
单位
V
F
V
I
R
A
mA
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
MBR
1.9
MBRF
4.6
MBRB
1.9
单位
° C / W
订购信息
(例)
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
注意:
( 1 )汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
MBR30H100CT-E3/45
MBRF30H100CT-E3/45
MBRB30H100CT-E3/45
MBRB30H100CT-E3/81
MBR30H100CTHE3/45
(1)
MBRF30H100CTHE3/45
(1)
单位重量(g )
1.85
1.99
1.35
1.35
1.85
1.99
1.35
1.35
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
带盘
带盘
MBRB30H100CTHE3/45
(1)
MBRB30H100CTHE3/81
(1)
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
35
300
平均正向电流( A)
30
25
20
MBRF30H90CT - MBRF30H100CT
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
MBR30H90CT - MBR30H100CT
MBRB30H90CT - MBRB30H100CT
峰值正向浪涌电流( A)
250
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
200
150
100
50
0
1
10
100
外壳温度( ° C)
环,在60赫兹的
图1.正向降额曲线每二极管
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
文档编号: 88791
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2
新产品
MBR30H90CT & MBR30H100CT
威世通用半导体
100
10000
正向电流(A )
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
结电容(pF )
T
J
= 175 °C
1000
100
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
10000
T
J
= 175 °C
1000
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
10
100
瞬态热阻抗( ℃/ W)
瞬时反向电流( μA )
100
10
1
T
J
= 25 °C
1
0.1
0.01
20
40
60
80
100
0.1
0.01
0.1
1
10
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间( S)
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
文档编号: 88791
修订: 12 - NOV- 07
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新产品
MBR30H90CT & MBR30H100CT
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
TO-220AB
0.415 ( 10.54 ) MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 ( 1.93 ) REF 。
0.076 ( 1.93 ) REF 。
7 ° REF 。
0.140 ( 3.56 ) DIA 。
0.125 ( 3.17 ) DIA 。
0.135 ( 3.43 ) DIA 。
0.122 ( 3.08 ) DIA 。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 ( 3.81 )最低。
0.08 ( 2.032 ) MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 ( 8.38 )最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 ( 10.66 ) MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 ( 0 0.254 )
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
www.vishay.com
4
文档编号: 88791
修订: 12 - NOV- 07
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日前,Vishay
通告
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文档编号: 91000
修订: 08 -APR- 05
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MBRF30H100CTHE3/45
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881620402 复制

    电话:18922805453
    联系人:连
    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

    MBRF30H100CTHE3/45
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
MBRF30H100CTHE3/45
VISHAY/威世
2018+/2017
50000
ITO-220AB
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MBRF30H100CTHE3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
10000
ITO-220AB
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MBRF30H100CTHE3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
10000
ITO-220AB
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
MBRF30H100CTHE3/45
Vishay
2025+
26820
TO-220-3
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
MBRF30H100CTHE3/45
Vishay Semiconductors
㊣10/11+
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