MBR20H150CT ， MBRF20H150CT & SB20H150CT - 1
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
低漏电流5.0 μA
TO-220AB
ITO-220AB
特点
Guardring过电压保护
低功耗，高效率
低正向压降
??高频工作
1
2
3
1
2
3
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用，续流和
极性保护应用。
MBR20H150CT
TO-262AA
MBRF20H150CT
1
2
3
SB20H150CT-1
销1
3脚
销2
例
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
安装扭矩：
最大10磅
极性：
由于标
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
2 ×10
150 V
200 A
0.75 V
175 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
E
RSM
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR20H150CT
150
150
150
20
10
200
1.0
10
11.25
10 000
- 65 + 175
1500
单位
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / μs的
°C
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波叠加
每个二极管的额定载荷
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
每个二极管的峰值非重复性反向浪涌能量（ 8/20微秒波形）
每个二极管非重复性雪崩能量在25 ° C，I
AS
= 1.5 ， L = 10毫亨
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压端子（ ITO - 220AB只）到散热片T = 1分
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MBR20H150CT ， MBRF20H150CT & SB20H150CT - 1
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
每二极管
(1)
测试条件
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 20 A
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
价值
0.90
0.75
0.99
0.86
5.0
1.0
单位
V
F
V
最大反向电流每二极管
在工作峰值反向电压
(1)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
I
R
A
mA
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.2
MBRF
4.2
MBRB
2.2
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-262AA
首选的P / N
MBR20H150CT-E3/45
MBRF20H150CT-E3/45
SB20H150CT-1E3/45
单位重量（g ）
2.06
2.20
1.58
封装代码
45
45
45
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
配送方式
管
管
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
30
260
240
峰值正向浪涌电流（ A）
平均正向电流（ A）
25
MBR ， MBRB
20
MBRF
15
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向降额曲线（总）
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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威世通用半导体
100
10 000
正向电流（A ）
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 75 °C
1
T
J
= 25 °C
结电容（pF ）
1000
100
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
10
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
10 000
100
1000
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（ μA ）
100
10
MBRF
10
1
T
J
= 75 °C
1
MBR ， MBRB
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
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威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.343 (8.70)
典型值。
0.150 (3.80)
0.139 (3.54)
DIA 。
0.114 (2.90)
0.106 (2.70)
0.154 (3.90)
0.138 (3.50)
0.331 (8.40)
典型值。
0.638 (16.20)
0.598 (15.20)
0.634 (16.10)
0.618 (15.70)
1.161 (29.48)
1.106 (28.08)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
ITO-220AB
0.408 (10.36)
0.392 (9.96)
1.29 (3.28)
DIA 。
1.21 (3.08)
0.138 (3.50)
0.122 (3.10)
0.270 (6.88)
0.255 (6.48)
0.193 (4.90)
0.177 (4.50)
0.108 (2.74)
0.092 (2.34)
0.067 (1.70)
典型值。
针
1 2 3
0.118 (3.00)
典型值。
0.630 (16.00)
0.614 (15.60)
1
针
2
0.264 (6.70)
0.248 (6.50)
0.320 (8.12)
0.304 (7.72)
0.633 (16.07)
0.601 (15.67)
3
0.117 (2.96)
0.101 (2.56)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.100 (2.54)
典型值。
0.064 (1.62)
0.056 (1.42)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.396 (10.05)
0.372 (9.45)
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.039 (1.00)
0.024 (0.60)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.058 （ 1.47 ）最大。
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
TO-262AA
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.055 (1.40)
0.039 (1.00)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
K
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
1
针
2
0.425 (10.80)
0.393 (10.00)
3
0.488 (12.4)
0.472 (12.00)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.405 (10.28)
0.389 (9.88)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.062 (1.57)
0.054 (1.37)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
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