MBRF20H100CT - MBRF20H200CT
孤立20.0安培。肖特基势垒整流器
Pb
RoHS指令
合规
ITO-220AB
特点
采用塑料材料进行保险商实验室
分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
o
260℃ / 10秒0.25“ （ 6.35mm）时，从案例
机械数据
案例： ITO - 220AB模压塑料
终端：纯锡电镀，无铅。每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5 - 磅。最大
重量0.08盎司， 2.24克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
o
评分在25℃环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
MBRF
类型编号
符号
20H100CT
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
100
最大RMS电压
V
RMS
70
最大直流阻断电压
V
DC
100
最大正向平均整流网络版
o
目前在T
C
=133 C
峰值重复正向电流（额定V
R
,
o
方波，为20KHz ）在Tc = 133
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单
半正弦波叠加额定
负荷（JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流
（注1 ）
最大正向电压在
o
（注2 ）
I
F
= 10A ，TC = 25℃
o
I
F
= 10A ，TC = 125℃
o
I
F
= 20A ，TC = 25℃
o
I
F
= 20A ，TC = 125℃
最大瞬时反向电流
o
在额定阻断电压DC @ T = 25℃
o
@ T = 125℃
电压变动率（额定V
R
)
RMS的隔离电压（T = 1.0秒，相对湿度
o
≦30%,
T
A
=25 C)
（注4 ）
（注5 ）
（注6 ）
每腿（注3 ）典型热阻
MBRF
20H150CT
150
105
150
20
20
150
MBRF
20H200CT
200
140
200
单位
V
V
V
A
A
A
I
（AV）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
V
F
0.85
0.75
0.95
0.85
1.0
0.5
0.88
0.75
0.97
0.85
5.0
2.0
10,000
4500
3500
1500
3.5
o
A
V
I
R
dv / dt的
V
ISO
R
θJC
uA
mA
V /美
V
工作结温范围
-65到+175
T
J
存储温度范围
-65到+175
T
英镑
注意事项：
1. 2.0我们脉宽， F = 1.0千赫
2.脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
从结3.热阻时的每腿。
4.夹安装（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移量。
5.安装夹（案例），其中导线做重叠散热器。
6.将安装具有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≦
4.9 mm (0.19”)
版本： A07
C / W
o
C
o
C
额定值和特性曲线（ MBRF20H100CT - MBRF20H200CT ）
FIG.1-正向电流降额曲线
20
150
电阻或
感性负载
16
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流。 （ A）
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
平均正向电流。 （ A）
125
100
75
12
8
50
4
25
0
0
0
25
50
75
100
125
o
150
175
1
10
循环次数在60Hz
100
外壳温度。 （ C）
40
FIG.3-典型正向
特性每支架
5
FIG.4-典型的反向特性
每腿
10
1
Tj=125
0
C
TJ = 25℃
1
0
瞬时反向电流。 （MA ）
瞬时正向电流。 （ A）
Tj=125
0
C
0.1
Tj=75
0
C
0.01
0.1
0.001
Tj=25
0
C
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
0.01
0
0.0001
0.1
0.2
0.3 0.4
0.5
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压。 （V ）
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容每支架
5,000
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
FIG.6-典型的瞬态热阻抗
每腿
瞬态热阻抗。 （
O
C / W ）
100
结电容。 （PF ）
2,000
10.0
1,000
500
1
200
100
0.1
1.0
10
100
的反向电压。 （V ）
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间。 （秒）
10
100
版本： A07
MBR20H100CT ， MBRB20H100CT ， MBRF20H100CT
最大额定值
（每二极管腿）
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
) T
C
= 162°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫）T
C
= 160°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结温（注1 ）
储存温度
变化的电压率（额定V
R
)
控制雪崩能量（参见图11和图12的试验条件）
ESD额定值：机器型号= C
人体模型= 3B
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
T
J
T
英镑
dv / dt的
W
AVAL
价值
100
单位
V
10
20
250
+175
*65
到+175
10,000
200
＆ GT ; 400
> 8000
A
A
A
°C
°C
V / ms的
mJ
V
热特性
最大热阻
（ MBR20H100CT和MBRB20H100CT ）
(MBRF20H100CT)
结到外壳
结到环境
结到外壳
R
QJC
R
qJA
R
QJC
2.0
60
2.5
° C / W
电气特性
（每二极管腿）
最大正向电压（注2 ）
(I
F
= 10 A，T
C
= 25°C)
(I
F
= 10 A，T
C
= 125°C)
(I
F
= 20 A，T
C
= 25°C)
(I
F
= 20 A，T
C
= 125°C)
最大瞬时反向电流（注2 ）
（额定直流电压，T
C
= 125°C)
（额定直流电压，T
C
= 25°C)
v
F
V
0.77
0.64
0.88
0.73
mA
6.0
0.0045
i
R
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.生成必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
设备订货信息
设备订单号
MBR20H100CT
MBR20H100CTG
MBRF20H100CTG
MBRB20H100CTT4G
套餐类型
TO220
TO220
（无铅）
TO220FP
（无铅）
D
2
PAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MBR20H100CT ， MBRB20H100CT ， MBRF20H100CT
I
F
，正向电流（安培）
100
I
F
，正向电流（安培）
100
T
J
= 150°C
10
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
10
T
J
= 125°C
1
1
T
J
= 25°C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
，正向电压（伏）
V
F
，正向电压（伏）
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
1.0E01
I
R
，反向电流（ AMPS ）
1.0E02
1.0E03
T
J
= 125°C
T
J
= 150°C
I
R
，最大反向电流（安培）
1.0E01
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
1.0E02
1.0E03
1.0E04
1.0E05
1.0E06
1.0E04
1.0E05
1.0E06
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
1.0E07
20
40
60
80
1.0E07
1.0E08
0
20
40
60
80
100
1.0E08
0
100
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图3.典型的反向电流
图4.最大反向电流
I
F
，平均正向电流（安培）
P
FO
，平均功耗
（瓦特）
20
dc
15
方波
10
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
方
DC
5
0
100
110
120
130
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
I
O
，平均正向电流（安培）
图5.电流降额
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3
图6.前向功率耗散
MBR20H100CT ， MBRB20H100CT ， MBRF20H100CT
10000
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
1000
100
10
0
20
40
60
80
100
V
R
，反向电压（伏）
图7.电容
R（T ） ，瞬态热阻
100
D = 0.5
10
0.2
0.1
1
0.05
0.01
0.1
单脉冲
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
1000
图8.热响应结到环境的MBR20H100CT和MBRB20H100CT
R（T ） ，瞬态热阻
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P
（ PK）
t
1
t
2
0.1
0.01
单脉冲
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
占空比D = T
1
/t
2
100
1000
图9.热响应结对案例MBR20H100CT和MBRB20H100CT
http://onsemi.com
4
MBR20H100CT ， MBRB20H100CT ， MBRF20H100CT
R（T ） ，瞬态热阻
10
D = 0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.01
P
（ PK）
t
1
单脉冲
0.001
0.000001
t
2
0.1
0.01
占空比D = T
1
/t
2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
100
1000
图10.热响应结到外壳的MBRF20H100CT
+V
DD
I
L
10 mH的线圈
V
D
MERCURY
开关
I
D
I
L
I
D
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
BV
DUT
S
1
DUT
图11.测试电路
图12.电流电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图11是用来展示控制雪崩
此设备的能力。水银开关代替
一个电子开关，以模拟在嘈杂的环境
当正在打开开关。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
公式（ 1 ） ：
BV
DUT
1李2
W
[
AVAL
2 LPK BV
–V
DUT DD
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
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5
CREAT的艺术
MBRF20H100CT - MBRF20H200CT
10.0AMPS隔离肖特基势垒整流器
ITO-220AB
Pb
RoHS指令
合规
特点
UL认证文件＃ E- 326243
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
保护环的过压保护
高温焊接保证：
从案例260 ℃ / 10秒/ 0.25" （ 6.35毫米）
对包装后缀"G"绿色复合
代码&的日期代码前缀"G"
机械数据
案例： ITO - 220AB模压塑体
终端：纯锡电镀，无铅，焊
每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5英寸 - 磅，最大
重量： 1.75克
尺寸以英寸（毫米）
标记图
MBRF20HXXCT
G
Y
WW
=具体设备守则
=绿色复合
=年
=工作周
最大额定值和电气特性
等级25
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
类型编号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
C
=133℃
重复峰值浪涌电流（额定V
R
，广场
波，为20KHz ）在Tc = 133 ℃
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压（注2 ）
IF = 10A ，T
A
=25℃
IF = 10A ，T
A
=125℃
IF = 20A ，T
A
=25℃
IF = 20A ，T
A
=125℃
最大反向电流@额定V
R
电压变动率（额定V
R
)
RMS的隔离电压
（T = 1.0秒，相对湿度≦ 30 ％ ， TA = 25 ℃ ）
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
注1 ： 2.0uS脉冲宽度， F = 1.0KHz
注2 ：脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
T
A
=25
℃
T=125
℃
A
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
MBRF
20H100CT
100
70
100
MBRF
20H150CT
150
105
150
20
20
150
1
MBRF
20H200CT
200
140
200
单位
V
V
V
A
A
A
0.5
0.88
0.75
0.97
0.85
5
2
10000
4500 （注3）
3500 （注4 ）
1500 （注5）
3.5
- 65 + 175
- 65 + 175
O
A
0.85
V
F
0.75
0.95
0.85
I
R
dv / dt的
V
ISO
R
θJC
T
J
T
英镑
V
uA
mA
V /美
V
C / W
O
C
C
O
注3 ：线夹安装（案例），其中铅不与0.11"补偿不重叠散热器
注4 ：夹安装（案例），其中铅做的重叠散热器。
注5 ：螺丝安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≦4.9mm
(0.19")
版本： E11
额定值和特性曲线（ MBRF20H100CT THRU MBRF20H200CT ）
图1正向电流降额曲线
25
平均正向电流
(A)
20
15
10
5
0
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140 150 160 170 180
外壳温度（
o
C)
0
1
180
峰值正向浪涌
A
电流（A ）
150
120
90
60
30
图。 2最大非重复正向浪涌
当前
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
电阻或
INDUCTIVELOA
10
循环次数在60赫兹
100
图。 3典型正向CHARACTERISRICS
100
正向电流
(A)
瞬时反向电流
（MA ）
10
图。 4典型的反向特性
TA=125℃
1
10
TA=125℃
0.1
TA=75℃
1
TA=25℃
0.01
0.1
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
0.001
TA=25℃
0.0001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压
(%)
0.01
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
正向电压（ V）
1
1.1 1.2
图。 5典型结电容
1000
结电容（pF ）
A
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
TA=25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
瞬态热阻抗
(
℃
/W)
100
图。 6典型的瞬态热阻抗
10
1
0.1
0.01
0.1
1
T-脉冲持续时间（S ）
10
100
版本： E11
MBRF20H100CT - MBRF20H200CT
Pb
RoHS指令
合规
孤立20.0安培。肖特基势垒整流器
ITO-220AB
特点
采用塑料材料进行保险商实验室
分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
260
o
C / 10秒0.25“ （ 6.35mm）时，从案例
典型值
典型值
机械数据
案例： ITO - 220AB模压塑料
终端：纯锡电镀，无铅。每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5 - 磅。最大
重量0.08盎司， 2.24克
MBRF20HXXXCT
YWW
MBRF20HXXXCT
=
具体设备守则
Y
WW
=年
=工作周
最大额定值和电气特性
o
评分在25℃环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
MBRF
类型编号
符号
20H100CT
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
100
最大RMS电压
V
RMS
70
最大直流阻断电压
V
DC
100
最大正向平均整流网络版
o
目前在T
C
=133 C
峰值重复正向电流（额定V
R
,
o
方波，为20KHz ）在Tc = 133
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单
半正弦波叠加额定
负荷（JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流
（注1 ）
最大正向电压在
o
（注2 ）
I
F
= 10A ，TC = 25℃
o
I
F
= 10A ，TC = 125℃
o
I
F
= 20A ，TC = 25℃
o
I
F
= 20A ，TC = 125℃
最大瞬时反向电流
o
在额定阻断电压DC @ T = 25℃
o
@ T = 125℃
电压变动率（额定V
R
)
RMS的隔离电压（T = 1.0秒，相对湿度
o
≦30%,
T
A
=25 C)
（注4 ）
（注5 ）
（注6 ）
每腿（注3 ）典型热阻
MBRF
20H150CT
150
105
150
20
20
150
MBRF
20H200CT
200
140
200
单位
V
V
V
A
A
A
I
（AV）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
V
F
0.85
0.75
0.95
0.85
1.0
0.5
0.88
0.75
0.97
0.85
5.0
2.0
10,000
4500
3500
1500
3.5
o
A
V
I
R
dv / dt的
V
ISO
R
θJC
uA
mA
V /美
V
工作结温范围
T
J
-65到+175
存储温度范围
T
英镑
-65到+175
注意事项：
1. 2.0我们脉宽， F = 1.0千赫
2.脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
从结3.热阻时的每腿。
4.夹安装（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移量。
5.安装夹（案例），其中导线做重叠散热器。
6.将安装具有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≦
4.9 mm (0.19”)
版本：
C09
C / W
o
C
o
C
额定值和特性曲线（ MBRF20H100CT - MBRF20H200CT ）
FIG.1-正向电流降额曲线
20
150
电阻或
感性负载
16
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流。 （ A）
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
平均正向电流。 （ A）
125
100
75
12
8
50
4
25
0
0
0
25
50
75
100
125
o
150
175
1
10
循环次数在60Hz
100
外壳温度。 （ C）
40
FIG.3-典型正向
特性每支架
5
FIG.4-典型的反向特性
每腿
10
1
Tj=125
0
C
TJ = 25℃
1
0
瞬时反向电流。 （MA ）
瞬时正向电流。 （ A）
Tj=125
0
C
0.1
Tj=75
0
C
0.01
0.1
0.001
Tj=25
0
C
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
0.01
0
0.0001
0.1
0.2
0.3 0.4
0.5
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压。 （V ）
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容每支架
5,000
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
FIG.6-典型的瞬态热阻抗
每腿
瞬态热阻抗。 （
O
C / W ）
100
结电容。 （PF ）
2,000
10.0
1,000
500
1
200
100
0.1
1.0
10
100
的反向电压。 （V ）
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间。 （秒）
10
100
版本：
C09
MBR20H100CT ， MBRF20H100CT & MBRB20H100CT系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
双高压肖特基整流器
反向电压
90 100V
正向电流
20A
ITO-220AB
（ MBRF20H90CT ， MBRF20H100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO-220AB
（ MBR20H90CT ， MBR20H100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
针
2
3
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
销1
3脚
销2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
销1
3脚
销2
例
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
TO-263AB
（ MBRB20H90CT ， MBRB20H100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
尺寸以英寸
（毫米）
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.624 (15.85)
1
K
2
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
销1
销2
的K - 散热片
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.095 (2.41)
0.12
(3.05)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB
& TO- 262AA模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，由案（ TO- 220AB ，
ITO - 220AB & TO- 252AA ）在终端（ TO- 236AB ）
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于使用低电压，高频率逆变器，免费
续流和极性保护应用
文档编号88673
03-Sep-04
MBR20H100CT ， MBRF20H100CT & MBRB20H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
设备总
每腿
I
F（ AV ）
MBR20H90CT
90
90
90
20
10
250
1.0
MBR20H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
:
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
10A,
10A,
20A,
20A,
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
T
C
=
T
C
=
T
C
=
T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.77
0.64
0.88
0.73
4.5
6.0
单位
V
F
V
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
A
mA
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
2.0
MBRF
5.8
MBRB
2.0
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR20H90CT - MBR20H100CT
MBRF20H90CT - MBRF20H100CT
MBRB20H90CT - MBRB20H100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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文档编号88673
03-Sep-04
MBR20H100CT ， MBRF20H100CT & MBRB20H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
每腿特性曲线
20
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流降额曲线
300
250
200
150
8
100
4
MBRF
0
0
50
100
150
180
50
0
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流每支架
16
MBR
MBRB
12
1
10
100
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
R
- 瞬时反向电流（ μA ）
100
图。 4 - 典型的反向特性
每腿
10000
1000
100
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
T
J
= 175°C
10
T
J
= 125°C
T
J
=150°C
T
J
= 100°C
1.0
10
0.1
T
J
= 25°C
1.0
0.1
0.01
20
T
J
= 25°C
0.01
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
40
60
80
100
图。 5 - 典型结电容
每腿
10000
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
每腿
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
1000
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
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03-Sep-04
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MBR20H100CT ， MBRF20H100CT & MBRB20H100CT系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
双高压肖特基整流器
反向电压
90 100V
正向电流
20A
ITO-220AB
（ MBRF20H90CT ， MBRF20H100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO-220AB
（ MBR20H90CT ， MBR20H100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
针
2
3
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
销1
3脚
销2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
销1
3脚
销2
例
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
TO-263AB
（ MBRB20H90CT ， MBRB20H100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
尺寸以英寸
（毫米）
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.624 (15.85)
1
K
2
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
销1
销2
的K - 散热片
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.095 (2.41)
0.12
(3.05)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB
& TO- 262AA模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，由案（ TO- 220AB ，
ITO - 220AB & TO- 252AA ）在终端（ TO- 236AB ）
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于使用低电压，高频率逆变器，免费
续流和极性保护应用
文档编号88673
03-Sep-04
MBR20H100CT ， MBRF20H100CT & MBRB20H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
设备总
每腿
I
F（ AV ）
MBR20H90CT
90
90
90
20
10
250
1.0
MBR20H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
:
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
10A,
10A,
20A,
20A,
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
T
C
=
T
C
=
T
C
=
T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.77
0.64
0.88
0.73
4.5
6.0
单位
V
F
V
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
A
mA
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
2.0
MBRF
5.8
MBRB
2.0
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR20H90CT - MBR20H100CT
MBRF20H90CT - MBRF20H100CT
MBRB20H90CT - MBRB20H100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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2
文档编号88673
03-Sep-04
MBR20H100CT ， MBRF20H100CT & MBRB20H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
每腿特性曲线
20
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流降额曲线
300
250
200
150
8
100
4
MBRF
0
0
50
100
150
180
50
0
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流每支架
16
MBR
MBRB
12
1
10
100
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
R
- 瞬时反向电流（ μA ）
100
图。 4 - 典型的反向特性
每腿
10000
1000
100
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
T
J
= 175°C
10
T
J
= 125°C
T
J
=150°C
T
J
= 100°C
1.0
10
0.1
T
J
= 25°C
1.0
0.1
0.01
20
T
J
= 25°C
0.01
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
40
60
80
100
图。 5 - 典型结电容
每腿
10000
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
每腿
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
1000
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
文档编号88673
03-Sep-04
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3
MBR20H100CT ， MBRF20H100CT & MBRB20H100CT系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
双高压肖特基整流器
反向电压
90 100V
正向电流
20A
ITO-220AB
（ MBRF20H90CT ， MBRF20H100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO-220AB
（ MBR20H90CT ， MBR20H100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
针
2
3
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
销1
3脚
销2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
销1
3脚
销2
例
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
TO-263AB
（ MBRB20H90CT ， MBRB20H100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
尺寸以英寸
（毫米）
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.624 (15.85)
1
K
2
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
销1
销2
的K - 散热片
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.095 (2.41)
0.12
(3.05)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB
& TO- 262AA模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，由案（ TO- 220AB ，
ITO - 220AB & TO- 252AA ）在终端（ TO- 236AB ）
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于使用低电压，高频率逆变器，免费
续流和极性保护应用
文档编号88673
03-Sep-04
MBR20H100CT ， MBRF20H100CT & MBRB20H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
设备总
每腿
I
F（ AV ）
MBR20H90CT
90
90
90
20
10
250
1.0
MBR20H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+175
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
:
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
10A,
10A,
20A,
20A,
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
T
C
=
T
C
=
T
C
=
T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.77
0.64
0.88
0.73
4.5
6.0
单位
V
F
V
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
A
mA
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
2.0
MBRF
5.8
MBRB
2.0
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR20H90CT - MBR20H100CT
MBRF20H90CT - MBRF20H100CT
MBRB20H90CT - MBRB20H100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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2
文档编号88673
03-Sep-04
MBR20H100CT ， MBRF20H100CT & MBRB20H100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
每腿特性曲线
20
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流降额曲线
300
250
200
150
8
100
4
MBRF
0
0
50
100
150
180
50
0
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流每支架
16
MBR
MBRB
12
1
10
100
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性每支架
I
R
- 瞬时反向电流（ μA ）
100
图。 4 - 典型的反向特性
每腿
10000
1000
100
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
T
J
= 175°C
10
T
J
= 125°C
T
J
=150°C
T
J
= 100°C
1.0
10
0.1
T
J
= 25°C
1.0
0.1
0.01
20
T
J
= 25°C
0.01
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
40
60
80
100
图。 5 - 典型结电容
每腿
10000
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
每腿
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
1000
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
文档编号88673
03-Sep-04
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3
MBR20H100CT ， MBRB20H100CT ， MBRF20H100CT
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
) T
C
= 162°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫）T
C
= 160°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结温（注1 ）
储存温度
变化的电压率（额定V
R
)
控制雪崩能量（参见图11和图12的试验条件）
ESD额定值：机器型号= C
人体模型= 3B
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
T
J
T
英镑
dv / dt的
W
AVAL
价值
100
单位
V
10
20
250
+175
*65
到+175
10,000
200
＆ GT ; 400
> 8000
A
A
A
°C
°C
V / ms的
mJ
V
热特性
最大热阻
（ MBR20H100CT和MBRB20H100CT ）
(MBRF20H100CT)
结到外壳
结到环境
结到外壳
R
QJC
R
qJA
R
QJC
2.0
60
2.5
° C / W
电气特性
（每二极管腿）
最大正向电压（注2 ）
(I
F
= 10 A，T
C
= 25°C)
(I
F
= 10 A，T
C
= 125°C)
(I
F
= 20 A，T
C
= 25°C)
(I
F
= 20 A，T
C
= 125°C)
最大瞬时反向电流（注2 ）
（额定直流电压，T
C
= 125°C)
（额定直流电压，T
C
= 25°C)
v
F
V
0.77
0.64
0.88
0.73
mA
6.0
0.0045
i
R
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.生成必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
设备订货信息
设备订单号
MBR20H100CT
MBR20H100CTG
MBRF20H100CTG
MBRB20H100CTT4G
套餐类型
TO220
TO220
（无铅）
TO220FP
（无铅）
D
2
PAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
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2
MBR20H100CT ， MBRB20H100CT ， MBRF20H100CT
I
F
，正向电流（安培）
100
I
F
，正向电流（安培）
100
T
J
= 150°C
10
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
10
T
J
= 125°C
1
1
T
J
= 25°C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
，正向电压（伏）
V
F
，正向电压（伏）
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
1.0E01
I
R
，反向电流（ AMPS ）
1.0E02
1.0E03
T
J
= 125°C
T
J
= 150°C
I
R
，最大反向电流（安培）
1.0E01
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
1.0E02
1.0E03
1.0E04
1.0E04
1.0E05
1.0E06
T
J
= 25°C
1.0E05
1.0E06
T
J
= 25°C
1.0E07
1.0E08
0
20
40
60
80
1.0E07
1.0E08
0
20
40
60
80
100
100
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图3.典型的反向电流
图4.最大反向电流
I
F
，平均正向电流（安培）
P
FO
，平均功耗
（瓦特）
20
dc
15
方波
10
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
方
DC
5
0
100
110
120
130
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
I
O
，平均正向电流（安培）
图5.电流降额
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3
图6.前向功率耗散
MBR20H100CT ， MBRB20H100CT ， MBRF20H100CT
10000
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
1000
100
10
0
20
40
60
80
100
V
R
，反向电压（伏）
图7.电容
R（T ） ，瞬态热阻
100
D = 0.5
10
0.2
0.1
1
0.05
0.01
0.1
单脉冲
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
1000
图8.热响应结到环境的MBR20H100CT和MBRB20H100CT
R（T ） ，瞬态热阻
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P
（ PK）
t
1
t
2
0.1
0.01
单脉冲
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
占空比D = T
1
/t
2
100
1000
图9.热响应结对案例MBR20H100CT和MBRB20H100CT
www.kersemi.com
4
MBR20H100CT ， MBRB20H100CT ， MBRF20H100CT
R（T ） ，瞬态热阻
10
D = 0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.01
P
（ PK）
t
1
单脉冲
0.001
0.000001
t
2
0.1
0.01
占空比D = T
1
/t
2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
10
100
1000
图10.热响应结到外壳的MBRF20H100CT
+V
DD
I
L
10 mH的线圈
V
D
MERCURY
开关
I
D
I
L
I
D
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
BV
DUT
S
1
DUT
图11.测试电路
图12.电流电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图11是用来展示控制雪崩
此设备的能力。水银开关代替
一个电子开关，以模拟在嘈杂的环境
当正在打开开关。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
公式（ 1 ） ：
BV
DUT
1李2
W
[
AVAL
2 LPK BV
–V
DUT DD
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
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5
膜生物反应器（F ， B） 20H90CT & MBR （F ， B） 20H100CT
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
高阻隔技术改进高温性能
TO-220AB
ITO-220AB
MBR20H90CT
MBR20H100CT
销1
3脚
销2
例
2
1
3
1
MBRF20H90CT
MBRF20H100CT
销1
3脚
销2
2
3
TO-263AB
K
特点
Guardring过电压保护
更低的功率损耗，效率高
低正向压降
低漏电流
高正向浪涌能力
??高频工作
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB和
ITO - 220AB封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
在切换高频整流用
式电源，续流二极管，直流 - 直流
转换器或极性保护应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
2
1
MBRB20H90CT
MBRB20H100CT
销1
销2
K
散热器
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
T
J
马克斯。
10 A ×2
90 V, 100 V
250 A
4.5 A
0.64 V
175 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR20H90CT
90
90
90
20
10
250
1.0
10 000
- 65 + 175
1500
MBR20H100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
°C
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
文档编号： 88673
修订： 08- NOV- 07
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1
膜生物反应器（F ， B） 20H90CT & MBR （F ， B） 20H100CT
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 20 A
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
价值
0.77
0.64
0.88
0.73
4.5
6.0
单位
每个二极管的最大正向电压
(1)
V
F
V
每二极管的最大反向电流在工作峰值
反向电压
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
I
R
A
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.0
MBRF
5.8
MBRB
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
MBR20H100CT-E3/45
MBRF20H100CT-E3/45
MBRB20H100CT-E3/45
MBRB20H100CT-E3/81
MBR20H100CTHE3/45
(1)
MBRF20H100CTHE3/45
(1)
MBRB20H100CTHE3/45
(1)
MBRB20H100CTHE3/81
(1)
单位重量（g ）
1.85
1.99
1.35
1.35
1.85
1.99
1.35
1.35
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
管
带盘
管
管
管
带盘
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
20
负载电阻或电感
300
峰值正向浪涌电流（ A）
平均正向电流（ A）
16
MBR
MBRB
250
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
200
12
150
8
100
4
MBRF
50
0
0
0
50
100
150
180
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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威世通用半导体
100
10 000
T
J
= 175 °C
正向电流（A ）
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 100 °C
结电容（pF ）
1.0
1000
100
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.1
10
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
10 000
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
100
T
J
= 100 °C
10
100
1000
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
100
瞬时反向电流（ μA ）
10
1
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
20
40
60
80
0.1
0.01
0.1
1
10
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
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膜生物反应器（F ， B） 20H90CT & MBR （F ， B） 20H100CT
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
针
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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产品专为此类应用。
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
CREAT的艺术
MBRF20H100CT - MBRF20H200CT
20.0AMPS隔离肖特基势垒整流器
ITO-220AB
特点
UL认证文件＃ E- 326243
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
保护环的过压保护
高温焊接保证：
从案例260 ℃ / 10秒/ 0.25" （ 6.35毫米）
对包装后缀"G"绿色复合
代码&的日期代码前缀"G"
机械数据
案例： ITO - 220AB模压塑体
终端：纯锡电镀，无铅，焊
每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5英寸 - 磅，最大
重量： 1.75克
订购信息（例）
产品型号
包
填料
50 /管
包装CODE
C0
包装CODE
（绿色）
C0G
MBRF20H100CT ITO - 220AB
最大额定值和电气特性
等级25
℃
环境温度，除非另有规定。
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值重复浪涌电流
（额定V
R
，方波， 20kHz的）
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压（注2 ）
IF = 10A ，T
A
=25℃
IF = 10A ，T
A
=125℃
IF = 20A ，T
A
=25℃
IF = 20A ，T
A
=125℃
最大反向电流@额定V
R
电压变动率（额定V
R
)
RMS的隔离电压
（T = 1.0秒，相对湿度≦ 30 ％ ， TA = 25 ℃ ）
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
注1 ： 2.0uS脉冲宽度， F = 1.0KHz
注2 ：脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
T
A
=25
℃
T
A
=125
℃
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
MBRF
20H100CT
100
70
100
MBRF
20H150CT
150
105
150
20
20
150
1
MBRF
20H200CT
200
140
200
单位
V
V
V
A
A
A
0.5
0.88
0.75
0.97
0.85
5
2
10000
4500 （注3）
3500 （注4 ）
1500 （注5）
3.5
- 65 + 175
- 65 + 175
O
A
0.85
V
F
0.75
0.95
0.85
I
R
dv / dt的
V
ISO
R
θJC
T
J
T
英镑
V
uA
mA
V /美
V
C / W
O
O
C
C
注3 ：线夹安装（案例），其中铅不与0.11"补偿不重叠散热器
注4 ：夹安装（案例），其中铅做的重叠散热器。
注5 ：螺丝安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≦4.9mm
(0.19")
版本： F12
额定值和特性曲线（ MBRF20H100CT THRU MBRF20H200CT ）
图。 2最大非重复正向
浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流（ A）
180
150
120
90
60
30
0
1
10
循环次数在60赫兹
100
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
图1正向电流降额曲线
25
平均正向电流
(A)
20
15
10
5
0
50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180
外壳温度
(
o
C)
电阻或
INDUCTIVELOAD
带散热器
100
瞬时正向电流（ A）
图。 3典型的正向特性
每腿
10
瞬时反向电流（mA ）
图。 4典型的反向特性
每腿
TA=125℃
10
TA=125℃
1
TA=25℃
0.1
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
0.01
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
正向电压（ V）
1
1.1 1.2
1
0.1
TA=75℃
0.01
0.001
TA=25℃
0.0001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压
(%)
1000
900
结电容（pF ）
A
800
700
600
500
400
300
200
100
0.1
图。 5典型结电容
每腿
瞬态热阻抗
(℃/W)
TA=25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
图。 6典型的瞬态热阻抗
100
10
1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
T-脉冲持续时间（S ）
反向电压（ V）
版本： F12
订购信息
产品型号
包
散装填料
包装CODE
C0
包装CODE
（绿色）
C0G
MBRF20HxxCT
50 /管
ITO-220AB
注： "xx"是设备代码从"100"通"200" 。
尺寸
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
单位（mm ）
民
4.30
2.50
2.30
0.46
6.30
9.60
3.00
0.95
0.50
2.40
14.80
-
12.60
-
2.41
最大
4.70
3.16
2.96
0.76
6.90
10.30
3.40
1.45
0.90
3.20
15.50
4.10
13.80
1.80
2.67
单位（英寸）
民
0.169
0.098
0.091
0.018
0.248
0.378
0.118
0.037
0.020
0.094
0.583
-
0.496
-
0.095
最大
0.185
0.124
0.117
0.030
0.272
0.406
0.134
0.057
0.035
0.126
0.610
0.161
0.543
0.071
0.105
标记图
P / N
G
YWW
=具体设备守则
=绿色复合
=日期代码
QQ：2880707522 复制
