肖特基势垒整流器器
电压： 30 100V的
CURRENT ： 10.0
器件符合RoHS
特点
- 金属硅整流，多数载流子导电的。
-Guard环瞬态保护。
- 低功耗，高效率。
- 高电流能力。
- 高浪涌能力。
在低电压 - 对于使用高频率逆变器，
续流和极性保护应用程序。
0.157(4.00)
0.118(3.00)
0.118(3.00)
0.102(2.60)
COMCHIP
SMD二极管专家
MBRF1030CT -G直通。 MBRF10100CT -G
ITO-220AB
0.406(10.30)
0.386( 9.80)
0.138(3.50)
0.122(3.10)
0.189(4.80)
0.173(4.40)
0.118(3.00)
0.102(2.60)
0.622(15.80)
0.583(14.80)
机械数据
-Case ： ITO - 220AB ，注塑
- 环氧： UL 94 -V0率阻燃。
-Polarity ：随着标明阀体上。
-Mounting位置：任意
- 重量： 2.24克
0.059(1.50)
0.043(1.10)
0.031(0.80)
0.020(0.50)
0.071
最大
(1.80)
0.551(14.00)
0.511(13.00)
0.105(2.67)
0.095(2.41)
0.028(0.70)
0.020(0.50)
0.114(2.90)
0.098(2.50)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载电流20％ 。
参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
电流（参见图1 ）
峰值正向Surage电流，
8.3ms单半正弦波
超级强加在额定负荷（ JEDEC的方法）
IF = 5A @ T
J
= 25°C
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
MBRF
MBRF
MBRF
MBRF
MBRF
MBRF
MBRF
1030CT -G 1040CT -G 1045CT -G 1050CT -G 1060CT -G 1080CT -G 10100CT -G
30
21
30
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
10
60
42
60
80
56
80
100
70
100
单位
V
V
V
A
120
0.70
0.57
0.80
0.70
0.1
15
170
3.0
-55到+150
-55到+175
220
300
3.0
0.80
0.65
0.90
0.75
0.85
0.75
0.95
0.85
A
峰值正向电压
（注1 ）
IF = 5A @ T
J
=125°C
IF = 10A @ T
J
= 25°C
IF = 10A @ T
J
=125°C
V
F
V
反向电流最大DC
@ T
J
= 25°C
在速率DC阻断电压
@ T
J
= 125°C
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
I
R
C
J
R
θJC
T
J
T
英镑
mA
pF
° C / W
°C
°C
注意事项：
1. 300US脉冲宽度， 2 ％的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.热阻结到外壳。
QW-BB052
REV ：一
第1页
COMCHIP科技有限公司。
肖特基势垒整流器器
COMCHIP
SMD二极管专家
额定值和特性曲线（ MBRF1030CT -G直通。 MBRF10100CT -G ）
图1 - 正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流（ A）
10.0
图2 - 最大非重复浪涌电流
300
250
200
150
100
50
0
脉宽8.3ms的
单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
8.0
6.0
4.0
单相半波
60Hz的电阻或
感性负载
2.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
20
100
外壳温度（ ° C）
循环次数在60Hz
图3 - 典型的逆向工程＆特点
1000
100
图4 - 典型正向特性
瞬时反向电流（毫安）
100
瞬时正向电流（ A）
MBRF1030CT-G~MBRF1060CT-G
MBRF1080CT-G~MBRF10100CT-G
MBRF1030CT-G~
MBRF1045CT-G
10
10
TJ=125°C
MBRF1050CT-G~
MBRF1060CT-G
MBRF1080CT-G~
MBRF10100CT-G
1.0
TJ=75°C
1.0
0.1
TJ=25°C
TJ=25°C
脉宽300US
2 ％的占空比
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
瞬时正向电压（V）的
图5 - 典型结电容
10000
T
J=
25 ℃， F = 1MHz的
电容（PF ）
1000
MBRF1050CT-G~
MBRF1060CT-G
MBRF1080CT-G~
MBRF10100CT-G
MBRF1030CT-G~
MBRF1045CT-G
100
0.1
1
10
100
反向电压， （V）的
REV ：一
QW-BB052
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COMCHIP科技有限公司。
MBRF1030CT -G直通。 MBRF10100CT -G
电压： 30 100V的
CURRENT ： 10.0
器件符合RoHS
特点
- 金属硅整流，多数载流子导电的。
-Guard环瞬态保护。
- 低功耗，高效率。
- 高电流能力。
- 高浪涌能力。
在低电压 - 对于使用高频率逆变器，
续流和极性保护应用程序。
0.157(4.00)
0.118(3.00)
0.622(15.80)
0.583(14.80)
0.118(3.00)
0.102(2.60)
ITO-220AB
0.406(10.30)
0.386( 9.80)
0.138(3.50)
0.122(3.10)
0.189(4.80)
0.173(4.40)
0.118(3.00)
0.102(2.60)
机械数据
-Case ： ITO - 220AB ，注塑
- 环氧： UL 94 -V0率阻燃。
-Polarity ：随着标明阀体上。
-Mounting位置：任意
- 重量： 2.24克
0.059(1.50)
0.043(1.10)
0.031(0.80)
0.020(0.50)
0.071
最大
(1.80)
0.551(14.00)
0.511(13.00)
0.105(2.67)
0.095(2.41)
0.028(0.70)
0.020(0.50)
0.114(2.90)
0.098(2.50)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载电流20％ 。
参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
电流（参见图1 ）
峰值正向Surage电流，
8.3ms单半正弦波
超级强加在额定负荷（ JEDEC的方法）
IF = 5A @ T
J
= 25°C
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
MBRF
MBRF
MBRF
MBRF
MBRF
MBRF
MBRF
1030CT -G 1040CT -G 1045CT -G 1050CT -G 1060CT -G 1080CT -G 10100CT -G
30
21
30
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
10
60
42
60
80
56
80
100
70
100
单位
V
V
V
A
120
0.70
0.57
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0.70
0.1
15
170
3.0
-55到+150
-55到+175
220
300
3.0
0.80
0.65
0.90
0.75
0.85
0.75
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0.85
A
峰值正向电压
（注1 ）
IF = 5A @ T
J
=125°C
IF = 10A @ T
J
= 25°C
IF = 10A @ T
J
=125°C
V
F
V
反向电流最大DC
@ T
J
= 25°C
在速率DC阻断电压
@ T
J
= 125°C
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
I
R
C
J
R
θJC
T
J
T
英镑
mA
pF
° C / W
°C
°C
注意事项：
1. 300US脉冲宽度， 2 ％的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.热阻结到外壳。
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肖特基势垒整流器器
图1 - 正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流（ A）
10.0
图2 - 最大非重复浪涌电流
300
250
200
150
100
50
0
脉宽8.3ms的
单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
8.0
6.0
4.0
单相半波
60Hz的电阻或
感性负载
2.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
20
100
外壳温度（ ° C）
循环次数在60Hz
图3 - 典型的逆向工程＆特点
1000
100
图4 - 典型正向特性
瞬时反向电流（毫安）
100
瞬时正向电流（ A）
MBRF1030CT-G~MBRF1060CT-G
MBRF1080CT-G~MBRF10100CT-G
MBRF1030CT-G~
MBRF1045CT-G
10
10
TJ=125°C
MBRF1050CT-G~
MBRF1060CT-G
MBRF1080CT-G~
MBRF10100CT-G
1.0
TJ=75°C
1.0
0.1
TJ=25°C
TJ=25°C
脉宽300US
2 ％的占空比
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
瞬时正向电压（V）的
图5 - 典型结电容
10000
T
J=
25 ℃， F = 1MHz的
电容（PF ）
1000
MBRF1050CT-G~
MBRF1060CT-G
MBRF1080CT-G~
MBRF10100CT-G
MBRF1030CT-G~
MBRF1045CT-G
100
0.1
1
10
100
反向电压， （V）的
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