VS- MBRD650CTPbF ， VS- MBRD660CTPbF
威世半导体
肖特基整流器， 2 ×3一
BASE
常见
阴极
4
特点
??流行的D- PAK大纲
??中心抽头配置
??小脚印，表面贴装
低正向压降
D- PAK （ TO- 252AA ）
2
常见
阴极
1
3
阳极
阳极
??高频工作
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
符合RoHS指令2002/95 / EC
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
D- PAK （ TO- 252AA ）
2x3A
50 V, 60 V
0.65 V
为15 mA 125°C
150 °C
共阴极
6兆焦耳
描述
在VS- MBRD650CTPbF ， VS- MBRD660CTPbF面
坐骑，中心抽头，肖特基整流器系列一直
设计用于要求低正向压降的应用程序和
小脚印在PC板。典型的应用是在
磁盘驱动器，开关电源，转换器，
续流二极管，电池充电和电池反接
保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
3 APK ，T
J
= 125°C （每站）
范围
特征
方波
值
6
50/60
490
0.65
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-MBRD650CTPbF
50
VS-MBRD660CTPbF
60
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均
正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参见图。 7
每腿非重复性雪崩能量
每腿重复雪崩电流
每腿
I
F（ AV ）
每个器件
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 12毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
50％的占空比在T
C
= 128 ℃，矩形波形
6
A
490
75
6
0.6
mJ
A
符号
测试条件
值
3.0
单位
文档编号： 94314
修订： 14 -JAN- 11
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
VS- MBRD650CTPbF ， VS- MBRD660CTPbF
威世半导体
肖特基整流器， 2 ×3一
电气规格
参数
符号
3A
每站最大正向压降
参见图。 1
V
调频（1）
6A
3A
6A
每站最大反向漏电流
SEE图。 2
每腿典型结电容
每腿典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
值
0.7
0.9
0.65
0.85
0.1
15
145
5.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz时） ，25°C
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到外壳
最大热电阻，
结到环境
大约重量
每腿
每个器件
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
直流操作
见图。 4
测试条件
值
- 40150
6
3
80
0.3
0.01
机箱样式D- PAK （类似TO- 252AA ）
g
盎司
° C / W
单位
°C
打标设备
记
(1)
MBRD650CT
MBRD660CT
dP
合计
1
------------ ------------- <
热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
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2
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VS- MBRD650CTPbF ， VS- MBRD660CTPbF
肖特基整流器， 2 ×3一
威世半导体
10
100
T
J
= 150 °C
I
R
- 反向电流（mA ）
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 25 °C
1
0.1
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
0.01
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.001
0
10
20
30
40
50
60
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
（每站）
1000
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压（每腿）
C
T
- 结电容（pF ）
100
T
J
= 25 °C
10
0
10
20
30
40
50
60
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压（每腿）
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
P
DM
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
t
1
t
2
单脉冲
（热电阻）
0.1
0.00001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性（每腿）
文档编号： 94314
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3
VS- MBRD650CTPbF ， VS- MBRD660CTPbF
威世半导体
160
肖特基整流器， 2 ×3一
允许外壳温度（ ℃）
3.0
DC
平均功耗（ W）
150
140
130
120
110
见注（ 1 ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
RMS限制
DC
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
100
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0 4.5
0
1
2
3
4
5
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（每腿）
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性（每腿）
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大非重复浪涌电流（每腿）
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
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4
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VS- MBRD650CTPbF ， VS- MBRD660CTPbF
肖特基整流器， 2 ×3一
威世半导体
订购信息表
器件代码
VS- MBR
1
1
2
3
4
5
6
7
-
-
-
-
-
-
-
2
D
3
6
4
60
5
CT
6
TR
7
PBF
8
威世半导体产品
肖特基MBR系列
D = TO- 252AA （ D- PAK ）
额定电流（ 6 = 6 A）
电压额定值
CT =中心抽头（双）
无=管（ 50件）
TR =磁带和卷轴
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
50 = 50 V
60 = 60 V
8
-
PBF =铅（Pb ） - 免费
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包装信息
www.vishay.com/doc?95016
www.vishay.com/doc?95059
www.vishay.com/doc?95033
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修订： 14 -JAN- 11
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5
公告PD- 21097转。 B 08/06
MBRD650CTPbF
MBRD660CTPbF
肖特基整流器器
6 AMP
I
F（ AV ）
= 6.0Amp
V
R
= 50-60V
主要额定值及特点
特征
I
F（ AV ）
矩形
波形
V
RRM
I
FSM
@ TP = 5
μs
正弦
V
F
T
J
@ 3 APK ，T
J
= 125°C
（每站）
范围
描述/功能
单位
A
V
A
V
该MBRD650CTPbF ， MBRD660CTPbF表面贴装，
中心抽头肖特基整流器系列已被设计为
要求低正向压降和小脚印应用
在PC板上。典型的应用是在磁盘驱动器，开关
电源，转换器，续流二极管，电池
充电和电池反向保护。
流行的D- PAK大纲
中心抽头配置
小脚印，表面贴装
低正向压降
高频率运行
保护环，增强耐用性和长期可靠性
无铅（ "PbF"后缀）
值
6
50 - 60
490
0.65
- 40150
°C
表壳款式
BASE
常见
阴极
4
2
常见
1阴极
3
阳极
阳极
D- PAK （ TO- 252AA ）
www.irf.com
1
MBRD650CTPbF ， MBRD660CTPbF
公告PD- 21097转。 B 08/06
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
MBRD650CTPbF
50
MBRD660CTPbF
60
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向（每腿）
电流*见图。五
I
FSM
E
AS
I
AR
（每设备）
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流*请参阅图。 7
非Repet 。票据背书担保。能量（每腿）
重复性雪崩电流
（每站）
价值
3.0
6
490
75
6
0.6
单位
A
条件
占空比为50％ @ T
C
= 128 ° C，矩形波的形式
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
A
mJ
A
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1安培， L = 12毫亨
在1当前线性衰减到零
微秒
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
（每腿） *见图。 1
(1)
价值
0.7
0.9
0.65
0.85
0.1
15
145
5.0
10000
单位
V
V
V
V
mA
mA
pF
nH
V / μs的
@
@
@
@
3A
6A
3A
6A
条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
I
RM
C
T
L
S
马克斯。反向漏电流
（每腿） *见图。 2
(1)
典型值。结电容（每腿）
典型的串联电感（每腿）
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
测铅铅从封装体5毫米
（额定V
R
)
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
dv / dt的最大值。变化的电压率
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。储存温度范围
结到外壳
到环境
wt
大约重量
机箱样式
器件标识
（ * ） dPtot
DTJ
＆ LT ;
1
Rth的第（j-一）
价值
-40至150
6
3
80
单位
°C
°C
条件
马克斯。结温范围（ * ） -40至150
R
thJC
马克斯。热阻（每腿）
（每设备）
R
thJA
马克斯。热阻结
° C / W DC操作
° C / W
*请参阅图。 4
0.3 （ 0.01 ）， G（盎司）。
D- PAK
MBRD660CT
类似TO- 252AA
热失控条件对自己的散热器二极管
2
www.irf.com
MBRD650CTPbF ， MBRD660CTPbF
公告PD- 21097转。 B 08/06
10
100
TJ = 150℃
反向电流（mA ）
10
1
125C
100C
75C
0.1
0.01
0.001
50C
25C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
TJ = 150℃
TJ = 125°C
0
10
20
30
40
50
60
1
TJ = 100℃
TJ = 25°C
结电容C
T
（PF ）
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压（每腿）
1000
TJ = 25°C
100
0.1
0.2
10
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
10
20
30
40
50
60
正向电压下降 - V
FM
(V)
图。 1 - 最大。正向压降特性
（每站）
热阻抗 - z
thJC
（ ° C / W）
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容
与反向电压（每腿）
10
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
P
DM
t
1
t2
1
单脉冲
（热电阻）
注意事项：
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X Z thJC + TC
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 4 - 最大。热抗Z
thJC
特性（每腿）
www.irf.com
3
MBRD650CTPbF ， MBRD660CTPbF
公告PD- 21097转。 B 08/06
160
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（瓦）
3
2.5
DC
150
DC
140
130
120
方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定Vr的应用
2
RMS限制
1.5
1
0.5
0
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
110
见说明（ 2 ）
100
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
平均正向电流 - I
F（ AV ）
0
1
2
3
4
F（ AV ）
5
(A)
(A)
平均正向电流 - I
图。 5 - 最大。允许外壳温度
与平均正向电流（每腿）
图。 6 - 正向功率损耗特性
（每站）
不重复浪涌电流 - 我
(A)
FSM
1000
100
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
10
10
100
1000
p
10000
（微秒）
方波脉冲持续时间 - 吨
图。 7 - 马克斯。不重复浪涌电流（每腿）
(2)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
= 80 ％额定V
R
4
www.irf.com
MBRD650CTPbF ， MBRD660CTPbF
公告PD- 21097转。 B 08/06
概要表
修改JEDEC外形TO- 252AA
尺寸以毫米（英寸）
最热资讯
这是一份MBRD660CT
国际
整流器器
批号8024
标志
组装WW 02 ， 2000
装配
批号
产品型号
MBRD660CT
日期代码
P = LEAD -FREE
0年= 2000
02周
X = SITE ID
www.irf.com
5
QQ：2880707522 复制
