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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2740页 > MBRD5H100T4G
MBRD5H100T4G
SWITCHMODE
肖特基功率整流器
表面贴装功率封装
该系列电源整流器采用肖特基势垒
原则上在一个大的金属与硅功率二极管。国家的最先进的
几何特征的外延建设与氧化和钝化
金属覆盖层接触。非常适合用在低电压,高
高频开关电源,续流二极管和
极性保护二极管。
特点
http://onsemi.com
Guardring应力保护
低正向电压
175 ° C工作结温
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
短散热器制造标签
不剪绒!
这是一个Pb - Free设备
肖特基势垒
整流器器
5安培, 100伏特
1
4
3
机械特性:
(引脚1 :无连接)
案例:环氧树脂,模压,环氧符合UL 94 V- 0
重量:0.4克数(大约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
器件符合MSL1要求
ESD额定值:机器型号,C ( >400 V)
人体模型, 3B ( >8000 V)
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
) T
C
= 171°C
重复峰值正向电流
(额定V
R
,方波, 20千赫)
T
C
= 171°C
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下
半波,单相, 60赫兹)
工作结存储
温度范围(注1 )
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FRM
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
100
单位
V
记号
4
1 2
DPAK
CASE 369C
YWW
B
5100G
3
Y
WW
B5100
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
5
10
A
A
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
105
A
65
到+175
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.产生的热必须小于由热传导率
结至环境: DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
半导体元件工业有限责任公司, 2010
, 2010年7月
第3版
1
出版订单号:
MBRD5H100/D
MBRD5H100T4G
热特性
特征
热阻,
结到外壳(注2 )
结到环境(注2 )
2.当使用最小建议焊盘尺寸在FR - 4电路板安装。
符号
R
QJC
R
qJA
价值
1.6
95.8
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压(注3 )
(I
F
= 5 A,T
J
= 25°C)
(I
F
= 5 A,T
J
= 125°C)
最大瞬时反向电流(注3 )
(额定直流电压,T
J
= 125°C)
(额定直流电压,T
J
= 25°C)
3.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比
2.0%
符号
V
F
价值
0.71
0.60
4.5
3.5
mA
mA
单位
V
I
R
订购信息
设备
MBRD5H100T4G
DPAK
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MBRD5H100T4G
IF ,正向电流(A)
IF ,正向电流(A)
100
100
10
10
1
150°C
25°C
1
150°C
25°C
0.1
0.1
125°C
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.1
0.1
125°C
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
VF ,正向电压( V)
VF ,正向电压( V)
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
10
IR ,反向电流(毫安)
1
0.1
0.01
0.001
150°C
IR ,反向电流(毫安)
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
25°C
150°C
125°C
125°C
25°C
0.0001
0.00001
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
VR ,反向电压(V )
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
VR ,反向电压(V )
图3.典型的反向电流
图4.最大反向电流
1200
I F ( AV ) ,平均正向电流( A)
1000
C,电容(pF )
800
600
400
200
0
0
20
40
60
80
100
VR ,反向电压(V )
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
145
150
155
160
165
170
175
180
dc
R
QJC
= 1.6
° C / W
T
C
,外壳温度( ° C)
图5.典型电容
http://onsemi.com
3
图6.电流降额,案例
MBRD5H100T4G
R
qJA
= 95.8
° C / W
4
dc
3
方波
P F( AV ) ,平均功耗( W)
I F ( AV ) ,平均正向电流( A)
5
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
I
F( AV )
,平均正向电流( A)
dc
方波
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
T
A
,环境温度( ° C)
图7.电流降额,环境
图8.前向功率耗散
100
50 % (占空比)
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
10
R( T) ( C / W )
1.0
0.1
0.01
单脉冲
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
脉冲时间( S)
0.1
1.0
10
100
1000
图9.热响应,结到外壳
http://onsemi.com
4
MBRD5H100T4G
包装尺寸
DPAK (SINGLE GAUGE )
CASE 369C -01
版本D
A
B
C
A
c2
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:英寸。
3.热PAD轮廓可选WITHIN
尺寸B3 ,L3和Z。
4.尺寸D和E不包括塑模
闪存,突起,或毛刺。模具
闪存,突起,或毛刺SHALL
不得超过0.006英寸每边。
5.尺寸D和E是在确定的
塑料机身最外层极端。
6.基准A和B是AT DATUM DETERMINED
平面H.
暗淡
A
A1
b
b2
b3
c
c2
D
E
e
H
L
L1
L2
L3
L4
Z
英寸
最大
0.086 0.094
0.000 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.180 0.215
0.018 0.024
0.018 0.024
0.235 0.245
0.250 0.265
0.090 BSC
0.370 0.410
0.055 0.070
0.108 REF
0.020 BSC
0.035 0.050
0.040
0.155
MILLIMETERS
最大
2.18
2.38
0.00
0.13
0.63
0.89
0.76
1.14
4.57
5.46
0.46
0.61
0.46
0.61
5.97
6.22
6.35
6.73
2.29 BSC
9.40 10.41
1.40
1.78
2.74 REF
0.51 BSC
0.89
1.27
1.01
3.93
E
b3
L3
1
4
D
2
3
Z
细节A
H
L4
b2
e
b
0.005 (0.13)
M
c
C
L2
飞机
H
C
L
L1
细节A
座位
飞机
A1
旋转90 CW
5
焊接足迹*
6.20
0.244
3.00
0.118
2.58
0.102
5.80
0.228
1.60
0.063
6.17
0.243
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利的任何许可
权,也没有他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他
应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。
如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,
联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害的任何索赔
或与此类意外或未经授权使用相关的死亡,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是
机会均等/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
MBRD5H100/D
MBRD5H100T4G
SWITCHMODEt
肖特基功率整流器
表面贴装功率封装
该系列电源整流器采用肖特基势垒
原则上在一个大的金属与硅功率二极管。国家的最先进的
几何特征的外延建设与氧化和钝化
金属覆盖层接触。非常适合用在低电压,高
高频开关电源,续流二极管和
极性保护二极管。
特点
http://onsemi.com
Guardring应力保护
低正向电压
175 ° C工作结温
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
短散热器制造标签 - 未剪绒!
这是一个Pb - Free设备
肖特基势垒
整流器器
5安培, 100伏特
1
4
3
机械特性:
(引脚1 :无连接)
案例:环氧树脂,模压,环氧符合UL 94 V- 0
重量:0.4克数(大约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
器件符合MSL1要求
ESD额定值:机器型号,C ( >400 V)
人体模型, 3B ( >8000 V)
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
) T
C
= 171°C
重复峰值正向电流
(额定V
R
,方波, 20千赫)
T
C
= 171°C
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下
半波,单相, 60赫兹)
工作结存储
温度范围(注1 )
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FRM
价值
100
单位
V
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
记号
YWW
B
5100G
Y
WW
B5100
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
5
10
A
A
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
I
FSM
105
A
T
J
, T
英镑
- 65 +175
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.产生的热必须小于由热传导率
结至环境: DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年12月 - 第2版
出版订单号:
MBRD5H100/D
MBRD5H100T4G
热特性
特征
热阻,
- 结到外壳(注2 )
- 结到环境(注2 )
2.当使用最小建议焊盘尺寸在FR - 4电路板安装。
符号
R
QJC
R
qJA
价值
1.6
95.8
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压(注3 )
(I
F
= 5 A,T
J
= 25°C)
(I
F
= 5 A,T
J
= 125°C)
最大瞬时反向电流(注3 )
(额定直流电压,T
J
= 125°C)
(额定直流电压,T
J
= 25°C)
3.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比
2.0%
符号
V
F
0.71
0.60
I
R
4.5
3.5
mA
mA
价值
单位
V
订购信息
设备
MBRD5H100T4G
DPAK
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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2
MBRD5H100T4G
IF ,正向电流(A)
IF ,正向电流(A)
100
100
10
10
1
150°C
25°C
1
150°C
25°C
0.1
0.1
125°C
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.1
0.1
125°C
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
VF ,正向电压( V)
VF ,正向电压( V)
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
10
IR ,反向电流(毫安)
1
0.1
0.01
0.001
150°C
IR ,反向电流(毫安)
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
25°C
150°C
125°C
125°C
25°C
0.0001
0.00001
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
VR ,反向电压(V )
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
VR ,反向电压(V )
图3.典型的反向电流
图4.最大反向电流
1200
I F ( AV ) ,平均正向电流( A)
1000
C,电容(pF )
800
600
400
200
0
0
20
40
60
80
100
VR ,反向电压(V )
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
145
150
155
160
165
170
175
180
dc
R
QJC
= 1.6
° C / W
T
C
,外壳温度( ° C)
图5.典型电容
图6.电流降额,案例
http://onsemi.com
3
MBRD5H100T4G
R
qJA
= 95.8
° C / W
4
dc
3
方波
2
P F( AV ) ,平均功耗( W)
I F ( AV ) ,平均正向电流( A)
5
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
I
F( AV )
,平均正向电流( A)
dc
方波
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
T
A
,环境温度( ° C)
图7.电流降额,环境
图8.前向功率耗散
100
50 % (占空比)
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
10
R( T) ( C / W )
1.0
0.1
0.01
单脉冲
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
脉冲时间( S)
0.1
1.0
10
100
1000
图9.热响应,结到外壳
http://onsemi.com
4
MBRD5H100T4G
包装尺寸
DPAK (SINGLE言)
CASE 369C
发行
注意事项:
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
英寸
最大
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.102 0.114
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020
---
0.035 0.050
0.155
---
MILLIMETERS
最大
5.97
6.22
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.46
0.58
0.94
1.14
4.58 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
2.60
2.89
2.29 BSC
4.57
5.45
0.63
1.01
0.51
---
0.89
1.27
3.93
---
-T-
B
V
R
4
座位
飞机
C
E
A
S
1
2
3
Z
U
K
F
L
D
G
2 PL
J
H
0.13 (0.005)
T
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
M
焊接足迹*
6.20
0.244
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
3.0
0.118
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
SWITCHMODE是半导体元件工业, LLC的商标。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
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这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
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5
MBRD5H100/D
MBRD5H100T4G
SWITCHMODEt
肖特基功率整流器
表面贴装功率封装
该系列电源整流器采用肖特基势垒
原则上在一个大的金属与硅功率二极管。国家的最先进的
几何特征的外延建设与氧化和钝化
金属覆盖层接触。非常适合用在低电压,高
高频开关电源,续流二极管和
极性保护二极管。
特点
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Guardring应力保护
低正向电压
175 ° C工作结温
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
短散热器制造标签 - 未剪绒!
这是一个Pb - Free设备
肖特基势垒
整流器器
5安培, 100伏特
1
4
3
机械特性:
(引脚1 :无连接)
案例:环氧树脂,模压,环氧符合UL 94 V- 0
重量:0.4克数(大约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
器件符合MSL1要求
ESD额定值:机器型号,C ( >400 V)
人体模型, 3B ( >8000 V)
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
) T
C
= 146°C
重复峰值正向电流
(额定V
R
,方波, 20千赫)
T
C
= 146°C
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下
半波,单相, 60赫兹)
工作结存储
温度范围(注1 )
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FRM
价值
100
单位
V
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
记号
YWW
B
5100G
Y
WW
B5100
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
5
10
A
A
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
I
FSM
105
A
T
J
, T
英镑
- 65 +175
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.产生的热必须小于由热传导率
结至环境: DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年9月 - 第1版
出版订单号:
MBRD5H100/D
MBRD5H100T4G
热特性
特征
热阻,
- 结到外壳(注2 )
- 结到环境(注2 )
2.当使用最小建议焊盘尺寸在FR - 4电路板安装。
符号
R
QJC
R
qJA
价值
1.6
95.8
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压(注3 )
(I
F
= 5 A,T
J
= 25°C)
(I
F
= 5 A,T
J
= 125°C)
最大瞬时反向电流(注3 )
(额定直流电压,T
J
= 125°C)
(额定直流电压,T
J
= 25°C)
3.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比
2.0%
符号
V
F
0.71
0.60
I
R
4.5
3.5
mA
mA
价值
单位
V
订购信息
设备
MBRD5H100T4G
DPAK
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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2
MBRD5H100T4G
IF ,正向电流(A)
IF ,正向电流(A)
100
100
10
10
1
150°C
25°C
1
150°C
25°C
0.1
0.1
125°C
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.1
0.1
125°C
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
VF ,正向电压( V)
VF ,正向电压( V)
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
10
IR ,反向电流(毫安)
1
0.1
0.01
0.001
150°C
IR ,反向电流(毫安)
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
25°C
150°C
125°C
125°C
25°C
0.0001
0.00001
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
VR ,反向电压(V )
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
VR ,反向电压(V )
图3.典型的反向电流
图4.最大反向电流
1200
I F ( AV ) ,平均正向电流( A)
1000
C,电容(pF )
800
600
400
200
0
0
20
40
60
80
100
VR ,反向电压(V )
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
145
150
155
160
165
170
175
180
dc
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
T
C
,外壳温度( ° C)
图5.典型电容
图6.电流降额,案例,每腿
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3
MBRD5H100T4G
P F( AV ) ,平均功耗( W)
I F ( AV ) ,平均正向电流( A)
5
4
dc
3
方波
2
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
I
F( AV )
,平均正向电流( A)
dc
方波
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
T
A
,环境温度( ° C)
图7.电流降额,环境,每腿
图8.前向功率耗散
100
50 % (占空比)
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
10
R( T) ( C / W )
1.0
0.1
0.01
单脉冲
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
脉冲时间( S)
0.1
1.0
10
100
1000
图9.热响应,结到外壳
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4
MBRD5H100T4G
包装尺寸
DPAK (SINGLE言)
CASE 369C
发行
注意事项:
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
英寸
最大
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.102 0.114
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020
---
0.035 0.050
0.155
---
MILLIMETERS
最大
5.97
6.22
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.46
0.58
0.94
1.14
4.58 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
2.60
2.89
2.29 BSC
4.57
5.45
0.63
1.01
0.51
---
0.89
1.27
3.93
---
-T-
B
V
R
4
座位
飞机
C
E
A
S
1
2
3
Z
U
K
F
L
D
G
2 PL
J
H
0.13 (0.005)
T
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
M
焊接足迹*
6.20
0.244
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
3.0
0.118
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
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联系人:李先生
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5000
NA
全新原装欢迎咨询
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9675
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联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
MBRD5H100T4G
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22+
10000
TO-252
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
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MBRD5H100T4G
ON/安森美
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6815
TO-252
专注进口原装,公司现货出售
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