MBRD3..PbF系列
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 3.0一个
特点
??流行的D- PAK大纲
BASE
阴极
4, 2
??小脚印，表面贴装
低正向压降
??高频工作
可用的
RoHS指令*
柔顺
D- PAK
1
阳极
3
阳极
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
铅（Pb ） -free （ “的PbF ”后缀）
设计和合格的AEC Q101等级
描述
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
3.0 A
20至40伏特
该MBRD320PbF ， MBRD330PbF ， MBRD340PbF面
安装肖特基整流的设计应用
要求低正向压降和小脚印在PC上
板。典型的应用是在磁盘驱动器，开关
电源，转换器，续流二极管，电池
充电和电池反向保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
3 APK ，T
J
= 125 °C
特征
方波
值
3.0
20至40
490
0.49
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
MBRD320PbF
20
MBRD330PbF
30
MBRD340PbF
40
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 16毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
测试条件
50％的占空比在T
L
= 133℃ ，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
3.0
490
75
8.0
1.0
mJ
A
A
单位
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 94313
修订： 06 - 08
如有技术问题，请联系：二极管的高科技@ VISHAY， COM
www.vishay.com
1
MBRD3..PbF系列
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 3.0一个
电气规格
参数
符号
3A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
6A
3A
6A
最大反向漏电流
SEE图。 2
典型结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
典型值。
0.48
0.58
0.41
0.55
0.02
10.7
189
5.0
-
马克斯。
0.6
0.7
0.49
0.625
0.2
20
-
-
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温范围
最大存储温度范围
最大热电阻，
结到外壳
最大热电阻，
结到环境
大约重量
符号
T
J (1)
T
英镑
R
thJC
R
thJA
直流操作
见图。 4
测试条件
值
- 40150
- 40 175
6.0
° C / W
80
0.3
0.01
MBRD320
打标设备
机箱样式D- PAK （类似TO- 252AA ）
MBRD330
MBRD340
记
(1)
单位
°C
g
盎司
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系：二极管的高科技@ VISHAY， COM
文档编号： 94313
修订： 06 - 08
MBRD3..PbF系列
肖特基整流器， 3.0一个
日前，Vishay高功率产品
100
I
F
- 正向电流（A ）
100
I
R
- 反向电流（mA ）
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
10
1
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0.01
T
J
= 25 °C
0.1
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
P
DM
1
t
1
单脉冲
（热电阻）
0.1
0.00001
0.0001
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
0.001
0.01
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 94313
修订： 06 - 08
如有技术问题，请联系：二极管的高科技@ VISHAY， COM
www.vishay.com
3
MBRD3..PbF系列
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 3.0一个
160
150
2.5
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（ W）
RMS限制
2.0
DC
140
130
120
110
100
DC
1.5
1.0
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
见注（ 1 ）
0.5
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系：二极管的高科技@ VISHAY， COM
文档编号： 94313
修订： 06 - 08
MBRD3..PbF系列
肖特基整流器， 3.0一个
日前，Vishay高功率产品
订购信息表
器件代码
MBR
1
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
D
2
3
3
40
4
TR
5
PBF
6
肖特基MBR系列
D = TO- 252AA （ D- PAK ）
额定电流（ 3 = 3 A）
电压额定值
无=管（ 50件）
TR =磁带和卷轴
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
20 = 20 V
30
=
30
V
40 = 40 V
6
-
无=标准生产
PBF =铅（Pb ） - 免费
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包装信息
http://www.vishay.com/doc?95016
http://www.vishay.com/doc?95059
http://www.vishay.com/doc?95033
文档编号： 94313
修订： 06 - 08
如有技术问题，请联系：二极管的高科技@ VISHAY， COM
www.vishay.com
5
VS- MBRD320PbF ， VS- MBRD330PbF ， VS- MBRD340PbF
威世半导体
肖特基整流器， 3.0一个
BASE
阴极
4, 2
特点
??流行的D- PAK大纲
??小脚印，表面贴装
低正向压降
D- PAK （ TO- 252AA ）
1
阳极
3
阳极
??高频工作
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
符合RoHS指令2002/95 / EC
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
D- PAK （ TO- 252AA ）
3.0 A
20 V, 30 V, 40 V
0.49 V
20毫安在125°C
150 °C
单芯片
8兆焦耳
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
描述
在VS- MBRD320PbF ， VS- MBRD330PbF ， VS- MBRD340PbF
表面贴装肖特基整流器已被设计为
要求低正向压降和小脚印应用
在PC板上。典型的应用是在磁盘驱动器，
开关电源，转换器，续流二极管，
电池充电和电池反向保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
3 APK ，T
J
= 125 °C
特征
方波
值
3.0
20至40
490
0.49
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-MBRD320PbF
20
VS-MBRD330PbF
30
VS-MBRD340PbF
40
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 16毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
测试条件
50％的占空比在T
L
= 133℃ ，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
3.0
490
75
8.0
1.0
mJ
A
A
单位
文档编号： 94313
修订： 14 -JAN- 11
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
VS- MBRD320PbF ， VS- MBRD330PbF ， VS- MBRD340PbF
威世半导体
肖特基整流器， 3.0一个
电气规格
参数
符号
3A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
6A
3A
6A
最大反向漏电流
SEE图。 2
典型结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
典型值。
0.48
0.58
0.41
0.55
0.02
10.7
189
5.0
-
马克斯。
0.6
0.7
0.49
0.625
0.2
20
-
-
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz时） ，25°C
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温范围
最大存储温度范围
最大热电阻，
结到外壳
最大热电阻，
结到环境
大约重量
符号
T
J (1)
T
英镑
R
thJC
R
thJA
直流操作
见图。 4
测试条件
值
- 40150
- 40 175
6.0
° C / W
80
0.3
0.01
MBRD320
打标设备
机箱样式D- PAK （类似TO- 252AA ）
MBRD330
MBRD340
记
(1)
单位
°C
g
盎司
dP
合计
1
------------ ------------- <
热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
文档编号： 94313
修订： 14 -JAN- 11
VS- MBRD320PbF ， VS- MBRD330PbF ， VS- MBRD340PbF
肖特基整流器， 3.0一个
威世半导体
I
F
- 正向电流（A ）
100
100
I
R
- 反向电流（mA ）
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
10
1
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0.01
T
J
= 25 °C
0.1
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
P
DM
1
t
1
单脉冲
（热电阻）
0.1
0.00001
0.0001
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
0.001
0.01
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 94313
修订： 14 -JAN- 11
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3
VS- MBRD320PbF ， VS- MBRD330PbF ， VS- MBRD340PbF
威世半导体
160
150
肖特基整流器， 3.0一个
允许外壳温度（ ℃）
2.5
平均功耗（ W）
RMS限制
2.0
DC
140
130
120
110
100
DC
1.5
1.0
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
见注（ 1 ）
0.5
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
www.vishay.com
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您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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VS- MBRD320PbF ， VS- MBRD330PbF ， VS- MBRD340PbF
肖特基整流器， 3.0一个
威世半导体
订购信息表
器件代码
VS- MBR
1
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
2
D
3
3
4
40
5
TR
6
PBF
7
威世半导体产品
肖特基MBR系列
D = TO- 252AA （ D- PAK ）
额定电流（ 3 = 3 A）
电压额定值
无=管（ 50件）
TR =磁带和卷轴
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
20 = 20 V
30 = 30 V
40 = 40 V
7
-
PBF =铅（Pb ） - 免费
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