MBRBB7..PbF系列
公告PD- 21048转。一个06/06
电压额定值
参数
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
MBRB735PbF
35
MBRB745PbF
45
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
I
FSM
非重复性峰值浪涌电流
MBR ..
7.5
690
150
单位条件
A
A
@ T
C
= 131 ° C（额定V
R
)
以下任何额定载荷
5μs的正弦或3μs的矩形。脉象和额定
V
RRM
应用的
应用在额定负载条件下的浪涌半波单
60Hz的三相
mJ
A
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2安培，L = 3.5毫亨
在1当前线性衰减到零
微秒
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
E
AS
I
AR
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
7
2
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降（ 1 ）
MBR ..
0.84
0.57
0.72
单位条件
V
V
V
mA
mA
pF
nH
V/
μs
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
@ 15A
@ 7.5A
@ 15A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
额定直流电压
I
RM
C
T
L
S
马克斯。 Instantaneus反向电流
(1)
马克斯。结电容
典型的串联电感
0.1
15
400
8.0
10000
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
从测量终端的顶部安装平面
dv / dt的最大值。变化的电压率
（额定V
R
)
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
MBR ..
- 65 150
- 65 175
3.0
0.50
2 (0.07)
分钟。
马克斯。
6 (5)
12 (10)
单位条件
°C
°C
° C / W DC操作
° C / W安装表面，光滑，润滑
克（盎司）。
公斤 - 厘米
（磅力英寸）
案例D型
2
PAK
R
thJC
马克斯。热阻结
到案
R
乡镇卫生院
典型热阻，案例
散热器来
wt
T
大约重量
安装力矩
打标设备
MBRB7..
2
www.irf.com
MBRB7..PbF系列
公告PD- 21048转。一个06/06
100
100
反向电流 - I
R
（MA ）
10
1
0.1
0.01
T J = 150℃
125C
100C
75C
50C
25C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
0.001
0.0001
0
10
T = 150℃
J
T = 125°C
J
5
10 15 20 25 30 35 40 45
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压（每腿）
1000
结电容 - C
T
（P F）
中T = 25℃
J
中T = 25℃
J
1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
正向电压下降 - V
FM
(V)
2
100
0
10
20
30
40
50
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容
与反向电压（每腿）
图。 1 - 最大。正向压降特性
（每站）
10
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
P
DM
（ ° C / W）
热阻抗Z
thJC
1
0.1
t1
t2
0.01
单脉冲
（热电阻）
注意事项：
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 4 - 最大。热抗Z
thJC
特性（每腿）
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3
膜生物反应器（F ， B） 735通MBR （F ， B） 760
威世通用半导体
肖特基势垒整流器
TO-220AC
ITO-220AC
特点
Guardring过电压保护
更低的功率损耗，效率高
低正向压降
高正向浪涌能力
2
1
MBR7xx
销1
销2
2
MBRF7xx
销1
??高频工作
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AC和
ITO - 220AC封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
1
例
销2
TO-263AB
K
2
1
MBRB7xx
销1
销2
K
散热器
典型应用
适用于低电压，高频整流用
开关模式电源，续流二极管，
直流 - 直流转换器或极性保护应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AC ， ITO - 220AC ， TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
7.5 A
35 V至60 V
150 A
0.57 V, 0.65 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
在t重复峰值反向电流
p
= 2.0微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AC只）
从终端到散热片T = 1分
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
T
英镑
V
AC
1.0
10 000
- 65至+ 150
- 65 + 175
1500
MBR735
35
35
35
MBR745
45
45
45
7.5
150
0.5
MBR750
50
50
50
MBR760
60
60
60
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
°C
°C
V
文档编号： 88680
修订： 08- NOV- 07
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1
膜生物反应器（F ， B） 735通MBR （F ， B） 760
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 7.5 A
I
F
= 7.5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 15 A
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
MBR735
MBR745
MBR750
MBR760
单位
-
0.57
0.84
0.72
0.1
15
0.75
0.65
-
-
0.5
50
最大正向电压
(1)
V
F
V
最大反向电流DC
阻断电压
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
I
R
mA
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
从结热阻到外壳
符号
R
θJC
MBR
3.0
MBRF
5.0
MBRB
3.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
MBR745-E3/45
MBRF745-E3/45
MBRB745-E3/45
MBRB745-E3/81
MBR745HE3/45
(1)
MBRF745HE3/45
MBRB745HE3/45
(1)
(1)
单位重量（g ）
1.80
1.94
1.33
1.33
1.80
1.94
1.33
1.33
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/Tube
50/Tube
800/reel
50/tube
50/Tube
50/Tube
800/reel
配送方式
管
管
管
带盘
管
管
管
带盘
MBRB745HE3/81
(1)
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
负载电阻或电感
175
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
150
8
峰值正向浪涌电流（ A）
100
150
平均正向电流（ A）
125
6
100
4
75
2
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0
0
50
50
25
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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文档编号： 88680
修订： 08- NOV- 07
膜生物反应器（F ， B） 735通MBR （F ， B） 760
威世通用半导体
100
10 000
正向电流（A ）
10
T
J
= 125 °C
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
T
J
= 25 °C
结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1000
1
100
0.1
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0.01
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
10
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
100
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
1
T
J
= 125 °C
10
0.1
T
J
= 75 °C
0.01
T
J
= 25 °C
0
20
40
60
80
100
1
0.001
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的反向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
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修订： 08- NOV- 07
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膜生物反应器（F ， B） 735通MBR （F ， B） 760
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AC
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 （ 3.91 ） DIA 。
0.148 （ 3.74 ） DIA 。
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
例
ITO-220AC
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
针
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
1
2
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
7 ° REF 。
2
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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文档编号： 88680
修订： 08- NOV- 07
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
MBRB7 ..系列
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 7.5 A
特点
BASE
阴极
2
150 ° （C T）
J
手术
??高频工作
低正向压降
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
D
2
PAK
1
N / C
3
阳极
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
设计和合格的Q101级
描述
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
I
RM
7.5 A
35/45 V
为15 mA 125°C
该MBRB7 ..肖特基整流器系列进行了优化
用于低反向漏电流在高温下。该专利
屏障技术允许可靠运行高达150 ℃的
结温。典型的应用是在开关
电源，转换器，续流二极管和
电池反接保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
7.5 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
7.5
35/45
690
0.57
- 65 150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
MBRB735
35
MBRB745
45
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
非重复性峰值浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
AR
T
C
= 131 ° C，额定V
R
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
以下任何额定负载时
和额定V
RRM
应用的
测试条件
值单位
7.5
690
150
7
2
mJ
A
A
应用在额定负载条件下的浪涌半波单相60赫兹
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2 A，L = 3.5 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
文档编号： 93982
修订： 22 - 8 - 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
MBRB7 ..系列
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 7.5 A
电气规格
参数
符号
15 A
最大正向电压降
V
调频（1）
7.5 A
15 A
最大瞬时反向电流
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
值
0.84
0.57
0.72
0.1
15
400
8.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
额定直流电压
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
从测量终端的顶部安装平面
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温范围
最大存储温度范围
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
案件散热器
大约重量
最低
最大
案例D型
2
PAK
符号
T
J
T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
安装面，光滑，润滑
测试条件
值
- 65 150
- 65 175
3.0
° C / W
0.50
2
0.07
6 (5)
12 (10)
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
单位
°C
安装力矩
打标设备
MBRB745
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93982
修订： 22 - 8 - 08
MBRB7 ..系列
肖特基整流器， 7.5 A
日前，Vishay高功率产品
100
100
I
R
- 反向电流（mA ）
10
1
0.1
0.01
T
J
= 150 °C
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.001
0.0001
T
J
= 25 °C
1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
（每站）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压（每腿）
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
（每站）
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
0.1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
t
1
t
2
0.01
单脉冲
（热电阻）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性（每腿）
文档编号： 93982
修订： 22 - 8 - 08
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3
MBRB7 ..系列
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 7.5 A
150
7
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（ W）
6
5
4
3
2
1
0
140
DC
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
RMS限制
DC
130
方波（ D = 0.50 ）
为V
R
应用的
见注（ 1 ）
120
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大非重复浪涌电流（每腿）
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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4
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93982
修订： 22 - 8 - 08
MBRB7 ..系列
肖特基整流器， 7.5 A
日前，Vishay高功率产品
订购信息表
器件代码
MBR
1
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
B
2
7
3
45
4
TRL
5
-
6
必不可少的部件号
B =表面贴装
无= TO- 220
额定电流（ 7.5 A）
电压代码= V
RRM
无=管（ 50件）
TRL =带和卷轴（左为导向 - 程序D
2
百只）
TRR =带和卷轴（右导向 - 程序D
2
百只）
35
=
35
V
45 = 45 V
6
-
无=标准生产
PBF =铅（Pb ） - 免费
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包装信息
SPICE模型
http://www.vishay.com/doc?95046
http://www.vishay.com/doc?95054
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http://www.vishay.com/doc?95298
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5
MBRB735 THRU MBRB760
肖特基整流器器
反向电压 -
35至60伏特
TO-263AB
正向电流 -
7.5安培
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V- 0
金属硅交界处
多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向
电压降
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接按照
CECC 802 /回流焊保证
0.380 (9.65)
0.420 (10.67)
0.245 (6.22)
民
K
0.160 (4.06)
0.190 (4.83)
0.045 (1.14)
0.055 (1.40)
0.320 (8.13)
0.360 (9.14)
1
K
2
0.575 (14.60)
0.625 (15.88)
0.047 (1.19)
0.055 (1.40)
座位
板
-T-
0.090 (2.29)
0.110 (2.79)
0.018 (0.46)
0.025 (0.64)
0.027 (0.686)
0.037 (0.940)
0.080 (2.03)
0.110 (2.79)
0.095 (2.41)
0.100 (2.54)
机械数据
案例：
JEDEC TO- 263AB模压塑体
终端：
每MIL -STD- 750无铅焊，
方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
重量：
0.08盎司， 2.24克
销1
的K - 散热片
销2
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
MBRB735
MBRB745
MBRB750
MBRB760
单位
最大重复峰值反向电压
最大工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
（见图1）
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
（AV）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
35
35
35
45
45
45
7.5
15.0
150.0
1.0
-
0.57
0.84
0.72
0.1
15.0
10,000
3.0
50
50
50
60
60
60
伏
伏
伏
安培
安培
安培
重复峰值正向电流（方波， 20 KH
Z
)
在T
C
=105°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流
最大瞬时
在正向电压
（注2 ）
（注1 ）
0.5
0.75
0.65
-
-
0.5
50.0
1,000
-65到+150
-65到+175
安培
I
F
= 7.5A ，T
C
=25°C
I
F
= 7.5A ，T
C
=125°C
I
F
= 15A ，T
C
=25°C
I
F
= 15A ，T
C
=125°C
V
F
伏
最大瞬时反向电流
额定阻断电压DC
T
C
=25°C
T
C
=125°C
（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
最大热电阻，
（注3）
工作结温范围
存储温度范围
注意事项：
（1）在2.0μs ，脉冲宽度中，f = 1.0的KH
Z
（2 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
结点（3）的热阻，以区分
I
R
dv / dt的
R
θJC
T
J
T
英镑
mA
V / μs的
° C / W
°C
°C
4/98
额定值和特性曲线MBRB735 THRU MBRB760
图。 1 - 正向电流降额曲线
10
峰值正向浪涌电流，
安培
平均正向电流，
安培
负载电阻或电感
图。 2 - 最大非重复峰值正向
浪涌电流
175
150
125
100
75
50
25
1
10
周期数的AT 60 H
Z
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
8
6
4
2
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0
0
50
100
150
100
外壳温度
图。 4 - 典型的反向特性
图。 3 - 典型正向
特征
50
MBRB735 - MBRB745
MBRB750 & MBBR760
50
10
T
J
=125°C
瞬时正向电流，
安培
10
脉冲宽度= 300μS
瞬时反向电流，
毫安
1
T
J
=125°C
T
J
=25°C
1
0.1
T
J
=75°C
MBRB735 - MBRB745
MBRB750 & MBBR760
0.1
0.01
0.01
T
J
=25°C
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压，
伏
0.001
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压％
图。 5 - 典型结电容
瞬态热阻抗，
° C / W
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
4,000
结电容， pF的
T
J
=25°C
F = 1.0 MHz的
Vsig=50mVp-p
100
1,000
10
1
100
MBRB735 - MBRB745
MBRB750 & MBBR760
40
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压，伏
T，脉冲持续时间，秒。
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
威世半导体
原通用半导体
肖特基势垒整流器
反向电压
35 60V
正向电流
7.5A
ITO - 220AC （ MBRF7xx ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO- 220AC （ MBR7xx ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
针
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
例
1
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
DIA 。
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
销2
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
销1
销2
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
TO- 263AB （ MBRB7xx ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.027 (0.686)
0.037 (0.940)
0.105 (2.67)
销1
销2
的K - 散热片
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
尺寸以英寸
（毫米）
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.095 (2.41)
0.12
(3.05)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
塑料包装有保险商实验室
机械数据
案例：
JEDEC TO - 220AC ， ITO - 220AC & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
www.vishay.com
1
可燃性分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
文档编号88680
03-Mar-03
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
（参见图1）
MBR735
MBR745
MBR750
MBR760
单位
V
V
V
A
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
C
= 105°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向重复峰值电流
在T
p
=在2.0μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
散热器采用t = 1.0秒， RH
≤
30%
重复峰值正向电流（平方波， 20千赫）
35
35
35
45
45
45
7.5
15
50
50
50
60
60
60
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
150
A
I
RRM
dv / dt的
T
J
T
英镑
V
ISOL
1.0
10,000
-65到+150
-65到+175
4500
3500
1500
（注1 ）
（注2 ）
（注3）
0.5
A
V / μs的
°C
°C
V
电气特性
(T
参数
最大正向电压
在我
F
= 7.5A,
在我
F
= 7.5A,
在我
F
= 15A,
在我
F
= 15A,
最大反向电流
在阻断电压DC
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
（注4 ）
MBR735
MBR745
MBR750
MBR760
单位
T
C
=
T
C
=
T
C
=
T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
V
F
–
0.57
0.84
0.72
0.1
15
0.75
0.65
–
–
0.5
50
V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
I
R
mA
热特性
(T
参数
从结热阻到外壳
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
3.0
MBRF
5.0
MBRB
3.0
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR735 - MBR760
MBRF735 - MBRF760
MBRB735 - MBRB760
例
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
文档编号88680
03-Mar-03
www.vishay.com
2
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
10
负载电阻或电感
175
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
150
125
100
75
50
25
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
8
6
4
2
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0
0
50
100
150
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
50
50
图。 4 - 典型的反向
特征
瞬时反向电流（mA ）
10
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
正向电流（A ）
10
T
J
= 125°C
1
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
T
J
= 25°C
1
T
J
= 125°C
0.1
T
J
= 75°C
0.01
T
J
= 25°C
0.001
0
20
40
60
80
100
0.1
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0.01
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结
电容
4,000
图。 6 - 典型的瞬态热
阻抗
100
1,000
瞬态热阻抗（ ° CW）
结电容（pF ）
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
10
1
100
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
40
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
文档编号88680
03-Mar-03
T，脉冲持续时间（秒）。
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3
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
威世半导体
原通用半导体
肖特基势垒整流器
反向电压
35 60V
正向电流
7.5A
ITO - 220AC （ MBRF7xx ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO- 220AC （ MBR7xx ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
针
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
例
1
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
DIA 。
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
销2
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
销1
销2
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
TO- 263AB （ MBRB7xx ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.027 (0.686)
0.037 (0.940)
0.105 (2.67)
销1
销2
的K - 散热片
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
尺寸以英寸
（毫米）
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.095 (2.41)
0.12
(3.05)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
塑料包装有保险商实验室
机械数据
案例：
JEDEC TO - 220AC ， ITO - 220AC & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
可燃性分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
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03-Mar-03
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
（参见图1）
MBR735
MBR745
MBR750
MBR760
单位
V
V
V
A
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
C
= 105°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向重复峰值电流
在T
p
=在2.0μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
散热器采用t = 1.0秒， RH
≤
30%
重复峰值正向电流（平方波， 20千赫）
35
35
35
45
45
45
7.5
15
50
50
50
60
60
60
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
150
A
I
RRM
dv / dt的
T
J
T
英镑
V
ISOL
1.0
10,000
-65到+150
-65到+175
4500
3500
1500
（注1 ）
（注2 ）
（注3）
0.5
A
V / μs的
°C
°C
V
电气特性
(T
参数
最大正向电压
在我
F
= 7.5A,
在我
F
= 7.5A,
在我
F
= 15A,
在我
F
= 15A,
最大反向电流
在阻断电压DC
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
（注4 ）
MBR735
MBR745
MBR750
MBR760
单位
T
C
=
T
C
=
T
C
=
T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
V
F
–
0.57
0.84
0.72
0.1
15
0.75
0.65
–
–
0.5
50
V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
I
R
mA
热特性
(T
参数
从结热阻到外壳
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
3.0
MBRF
5.0
MBRB
3.0
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR735 - MBR760
MBRF735 - MBRF760
MBRB735 - MBRB760
例
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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03-Mar-03
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2
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
10
负载电阻或电感
175
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
150
125
100
75
50
25
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
8
6
4
2
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0
0
50
100
150
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
50
50
图。 4 - 典型的反向
特征
瞬时反向电流（mA ）
10
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
正向电流（A ）
10
T
J
= 125°C
1
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
T
J
= 25°C
1
T
J
= 125°C
0.1
T
J
= 75°C
0.01
T
J
= 25°C
0.001
0
20
40
60
80
100
0.1
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0.01
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结
电容
4,000
图。 6 - 典型的瞬态热
阻抗
100
1,000
瞬态热阻抗（ ° CW）
结电容（pF ）
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
10
1
100
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
40
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
文档编号88680
03-Mar-03
T，脉冲持续时间（秒）。
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3
VS- MBRB735PbF ， VS- MBRB745PbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 7.5 A
特点
BASE
阴极
2
150 ° （C T）
J
手术
??高频工作
低正向压降
高纯度，耐高温环氧树脂
封装提高机械
强度和防潮性
D
2
PAK
1
N / C
3
阳极
保护环，增强耐用性和长期
长期可靠性
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
符合RoHS指令2002/95 / EC
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
I
RM
7.5 A
35 V/45 V
为15 mA 125°C
AEC- Q101标准
描述
在VS- MBRB7 ...肖特基整流器系列一直
用于低反向漏电流在高温下进行了优化。该
专有的阻隔技术允许可靠运行
高达150 ℃的结温。典型的应用是
在开关电源，转换器，续流
二极管，反向电池保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
7.5 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
7.5
35/45
690
0.57
- 65 150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-MBRB735PbF
35
VS-MBRB745PbF
45
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
非重复性峰值浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
AR
T
C
= 131 ° C，额定V
R
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
以下任何额定负载时
和额定V
RRM
应用的
测试条件
值
7.5
690
150
7
2
mJ
A
A
单位
应用在额定负载条件下的浪涌半波单相60赫兹
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2 A，L = 3.5 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
文档编号： 94312
修订： 16 -MAR- 10
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1
VS- MBRB735PbF ， VS- MBRB745PbF
日前，Vishay高功率产品
电气规格
参数
最大正向电压降
符号
15 A
V
调频（1）
7.5 A
15 A
最大瞬时反向电流
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
额定直流电压
值
0.84
0.57
0.72
0.1
15
400
8.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
肖特基整流器， 7.5 A
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz时） ，25°C
从测量终端的顶部安装平面
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温范围
最大存储温度范围
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
案件散热器
大约重量
最低
最大
案例D型
2
PAK
符号
T
J
T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
安装面，光滑，润滑
测试条件
值
- 65 150
- 65 175
3.0
° C / W
0.50
2
0.07
6 (5)
12 (10)
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
单位
°C
安装力矩
打标设备
MBRB735
MBRB745
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修订： 16 -MAR- 10
VS- MBRB735PbF ， VS- MBRB745PbF
肖特基整流器， 7.5 A
日前，Vishay高功率产品
100
100
I
R
- 反向电流（mA ）
10
1
0.1
0.01
T
J
= 150 °C
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.001
0.0001
T
J
= 25 °C
1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
（每站）
1000
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压（每腿）
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压（每腿）
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
0.1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
t
1
t
2
0.01
单脉冲
（热电阻）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性（每腿）
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3
VS- MBRB735PbF ， VS- MBRB745PbF
日前，Vishay高功率产品
150
肖特基整流器， 7.5 A
7
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（ W）
6
5
4
3
2
1
0
140
DC
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
RMS限制
DC
130
方
WAVE
(D = 0.50)
为V
R
应用的
见注（ 1 ）
120
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
在任何额定负载条件
和
同
为V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大非重复浪涌电流（每腿）
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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修订： 16 -MAR- 10
VS- MBRB735PbF ， VS- MBRB745PbF
肖特基整流器， 7.5 A
订购信息表
器件代码
日前，Vishay高功率产品
VS- MBR
1
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
2
B
3
7
4
45
5
TRL的PbF
6
7
HPP产品后缀
必不可少的部件号
B =表面贴装
无= TO- 220
额定电流（ 7 = 7.5 A）
电压额定值
无=管（ 50件）
TRL =带和卷轴（左为导向 - 程序D
2
百只）
TRR =带和卷轴（右导向 - 程序D
2
百只）
35 = 35 V
45 = 45 V
7
-
PBF =铅（Pb ） - 免费
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文档编号： 94312
修订： 16 -MAR- 10
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diodestech@vishay.com
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5
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
ITO - 220AC （ MBRF7xx ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO- 220AC （ MBR7xx ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
针
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
例
1
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
DIA 。
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
销2
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
销1
销2
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
TO- 263AB （ MBRB7xx ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.027 (0.686)
0.037 (0.940)
0.105 (2.67)
销1
销2
的K - 散热片
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
尺寸以英寸
（毫米）
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.095 (2.41)
0.12
(3.05)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
塑料包装有保险商实验室
机械数据
案例：
JEDEC TO - 220AC ， ITO - 220AC & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
可燃性分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
最大额定值
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
C
= 105°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向重复峰值电流
在T
p
=在2.0μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
散热器采用t = 1.0秒， RH
≤
30%
（参见图1）
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FRM
MBR735
MBR745
MBR750
MBR760
单位
V
V
V
A
A
35
35
35
45
45
45
7.5
15
50
50
50
60
60
60
重复峰值正向电流（平方波， 20千赫）
I
FSM
150
A
I
RRM
dv / dt的
T
J
T
英镑
V
ISOL
1.0
10,000
-65到+150
-65到+175
4500
3500
1500
（注1 ）
（注2 ）
（注3）
0.5
A
V / μs的
°C
°C
V
电气特性
(T
参数
最大正向电压
在我
F
= 7.5A,
在我
F
= 7.5A,
在我
F
= 15A,
在我
F
= 15A,
最大反向电流
在阻断电压DC
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
（注4 ）
MBR735
MBR745
MBR750
MBR760
单位
T
C
=
T
C
=
T
C
=
T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
V
F
–
0.57
0.84
0.72
0.1
15
0.75
0.65
–
–
0.5
50
V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
I
R
mA
热特性
(T
参数
从结热阻到外壳
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
3.0
MBRF
5.0
MBRB
3.0
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR735 - MBR760
MBRF735 - MBRF760
MBRB735 - MBRB760
例
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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2
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
图。 1 - 正向电流
降额曲线
10
负载电阻或电感
175
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
150
125
100
75
50
25
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
8
6
4
2
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0
0
50
100
150
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
50
50
图。 4 - 典型的反向
特征
瞬时反向电流（mA ）
10
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
正向电流（A ）
10
T
J
= 125°C
1
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
T
J
= 25°C
1
T
J
= 125°C
0.1
T
J
= 75°C
0.01
T
J
= 25°C
0.001
0
20
40
60
80
100
0.1
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0.01
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结
电容
4,000
图。 6 - 典型的瞬态热
阻抗
100
1,000
瞬态热阻抗（ ° CW）
结电容（pF ）
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
10
1
100
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
40
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
T，脉冲持续时间（秒）。
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3
QQ：2880707522 复制
