【MBRB30H60CT-1G,MBR30H60CTG,MBRF30H60CTG,MBRB30H60C】,IC型号MBRB30H60CTT4G,MBRB30H60CTT4G PDF资料,MBRB30H60CTT4G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MBRB30H60CT-1G,

MBR30H60CTG,

MBRF30H60CTG,

MBRB30H60CTT4G

SWITCHMODE

电力整流器

60 V ， 30 A

特点和优点

http://onsemi.com

低正向电压

低功耗/高效率

高浪涌能力

175 ° C工作结温

30 A总（ 15每二极管腿）

保护环应力保护

这些无铅器件

肖特基势垒

整流器

30安培， 60伏

2, 4

应用

电源

输出整流

电源管理

仪器仪表

机械特性：

PAK （ TO- 262 ）

CASE 418D

塑料

方式3

案例：环氧树脂，模压

环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125

重量（大约）： 1.5克（我

PAK ）

重量（大约）：

1.7克（D

PAK ）

重量（大约）：

1.9克（ TO-220和TO- 220FP ）

表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端

信息很容易焊

无铅焊接温度的目的：

260 ° C最大。为10秒

最大额定值

请参阅表上的下页

TO220

CASE 221A

塑料

类型6

TO220

CASE 221D

方式3

PAK

CASE 418B

订购和标识信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册第6页。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2010年1月

启8

出版订单号：

MBRB30H60CT1/D

MBRB30H60CT - 1G ， MBR30H60CTG ， MBRF30H60CTG ， MBRB30H60CTT4G

最大额定值

（每二极管腿）

等级

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

阻断电压DC

平均正向电流整流

（额定V

) T

= 159°C

重复峰值正向电流

（额定V

，方波， 20千赫）

非重复性峰值浪涌电流

（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）

工作结温（注1 ）

储存温度

变化的电压率（额定V

)

控制雪崩能量（参见图11和图12的试验条件）

ESD额定值：机器型号= C

人体模型= 3B

符号

RRM

RWM

F（ AV ）

FRM

FSM

英镑

dv / dt的

AVAL

价值

单位

260

到+175

*55

到+175

10,000

350

＆ GT ; 400

> 8000

°C

V / ms的

热特性

最大热阻

（ MBRB30H60CT - 1G和MBR30H60CTG ）

结到外壳

结到环境

(MBRF30H60CTG)

结到外壳

(MBRB30H60CTTRG)

结到外壳

QJC

qJA

QJC

2.0

4.4

1.6

° C / W

电气特性

（每二极管腿）

最大正向电压（注2 ）

= 15 A，T

= 25°C)

= 15 A，T

= 125°C)

= 30 A，T

= 25°C)

= 30 A，T

= 125°C)

最大瞬时反向电流（注2 ）

（额定直流电压，T

= 25°C)

（额定直流电压，T

= 125°C)

0.62

0.56

0.78

0.71

0.3

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作

推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响

器件的可靠性。

1.生成必须小于从结到环境的热传导热： DP

/ DT

< 1 / R

qJA

2.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比

≤

2.0%.

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MBRB30H60CT - 1G ， MBR30H60CTG ， MBRF30H60CTG ， MBRB30H60CTT4G

，正向电流（A）

100

，正向电流（A）

100

= 125°C

= 25°C

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

，正向电压（ V）

图1.典型正向电压

图2.最大正向电压

1.0E02

= 125°C

，最大反向电流（A）

1.0E01

，反向电流（ A）

1.0E01

1.0E02

1.0E03

= 125°C

1.0E03

1.0E04

1.0E05

1.0E06

= 25°C

1.0E04

1.0E05

= 25°C

1.0E06

，反向电压（V）的

图3.典型的反向电流

，平均正向电流（ A）

，平均功耗

(W)

100

图4.最大反向电流

方波

方

110

120

130

140

150

160

170

180

，外壳温度（ ° C）

，平均正向电流（安培）

图5.电流降额的

MBRB30H60CT - 1G ， MBR30H60CTG和

MBRB30H60CTT4G

图6.前向功率耗散

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100

C，电容（pF ）

，平均正向电流（ A）

10,000

= 25°C

方波

1000

110

120

130

140

150

160

170

180

100

，外壳温度（ ° C）

，反向电压（V）的

图8.电流降额的

MBRF30H60CTG

图7.电容

R（T ），瞬态热阻

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.1

0.01

单脉冲

0.01

0.000001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

，时间（秒）

0.1

（ PK）

占空比D = T

100

1000

图9.热响应结对案例MBRB30H60CT -1G ， MBR30H60CTG和

MBRB30H60CTT4G

R（T ），瞬态热阻

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.01

（ PK）

0.01

单脉冲

0.001

0.000001

占空比D = T

0.00001

0.0001

0.001

0.01

，时间（秒）

0.1

100

1000

0.1

图10.热响应结到外壳的MBRF30H60CTG

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10 mH的线圈

DUT

MERCURY

开关

DUT

图11.测试电路

图12.电流电压波形

在所示的非夹紧电感式开关电路

图11是用来展示控制雪崩

此设备的能力。水银开关代替

一个电子开关，以模拟在嘈杂的环境

当正在打开开关。

当S

在t关闭

在电感器我当前

坡道

线性上升;并且能量被存储在线圈。在t

开关

被打开和被测二极管两端的电压开始

迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压

到达二极管的击穿电压时，它被钳位在

DUT

和二极管开始导通的满负荷电流

现在开始通过二极管线性地衰减，并且

变为零在t

通过当求解环路方程在点在时间S

打开;并计算其被转移到能量

二极管可以示出被传输的总能量是

等于存储在电感中的能量加上一定量

从V能量

而二极管在电源

故障（从T

给T

）减去因任何损失有限

组件电阻。假设成分的电阻

元件的总小公式（1）近似

能量转移到二极管。它可以从这个可见

方程，如果在V

相比电压低

击穿电压的装置的，能量的量

贡献的击穿过程中供给小并且

总能量可以被认为是几乎相等的能量

的时间期间存储在线圈当S

是封闭的，

等式（2）。

公式（ 1 ）：

DUT

[

1李LPK

AVAL

DUT DD

方程（2）：

[

1李LPK

AVAL

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