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新产品
膜生物反应器（F ， B） 2090CT & MBR （F ， B） 20100CT
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
更低的功率损耗，效率高
低正向压降
高正向浪涌能力
??高频工作
MBR2090CT
MBR20100CT
销1
3脚
销2
例
2
1
3
MBRF2090CT
MBRF20100CT
销1
3脚
销2
1
2
3
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB和
ITO - 220AB封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
TO-263AB
K
2
1
MBRB2090CT
MBRB20100CT
销1
销2
K
散热器
典型应用
在切换高频整流用
式电源，续流二极管，直流 - 直流
转换器或极性保护应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
10 A ×2
90 V, 100 V
150 A
0.65 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
= 133 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR2090CT
90
90
90
20
10
150
0.5
10 000
- 65至+ 150
1500
MBR20100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
°C
V
文档编号： 89033
修订： 26 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
膜生物反应器（F ， B） 2090CT & MBR （F ， B） 20100CT
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的最大正向电压
(1)
测试条件
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
符号
价值
0.80
0.65
0.75
100
6.0
单位
V
F
V
每二极管的最大反向电流在工作峰值
反向电压
(2)
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
I
R
A
mA
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJA
R
θJC
MBR
60
2.0
MBRF
-
3.5
MBRB
60
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
首选的P / N
MBR20100CT-E3/4W
MBRF20100CT-E3/4W
MBRB20100CT-E3/4W
MBRB20100CT-E3/8W
单位重量（g ）
1.88
1.75
1.38
1.38
封装代码
4W
4W
4W
8W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
20
负载电阻或电感
MBRF
160
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
140
16
峰值正向浪涌电流（ A）
150
平均正向电流（ A）
MBR &
MBRB
120
12
100
8
80
4
60
0
0
50
100
40
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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2
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PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 89033
修订： 26 08年5月
新产品
膜生物反应器（F ， B） 2090CT & MBR （F ， B） 20100CT
威世通用半导体
100
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到外壳
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
1
10
1
0.1
T
J
= 25 °C
膜生物反应器（ B）
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性每二极管
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
1
结到外壳
1
0.1
0.1
0.01
MBRF
0.001
0.1
1
10
100
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管7.典型的瞬态热阻抗
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1000
结电容（pF ）
100
10
1
10
100
反向
电压
(V)
图5.典型结电容每二极管
文档编号： 89033
修订： 26 08年5月
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新产品
膜生物反应器（F ， B） 2090CT & MBR （F ， B） 20100CT
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
1
2
3
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076参考。
（ 1.93 ）参考。
0.076参考。
（ 1.93 ）参考。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
针
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
7 ° REF 。
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 89033
修订： 26 08年5月
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
MBRB20..CT/MBR20..CT-1
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 2 ×10
MBRB20..CT
MBR20..CT-1
特点
150 ° （C T）
J
手术
低正向压降
??高频工作
中心抽头
2
PAK和TO- 262封装
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
BASE
常见
阴极
2
BASE
常见
阴极
2
2
1通用
3
阴极阳极
阳极
2
1通用
3
阳极阴极阳极
设计和合格的Q101级
描述
该中心抽头肖特基整流器已被优化的低
反向漏电流在高温下。专有的阻隔
技术允许可靠运行高达150 ℃的
结温。典型的应用是在开关
电源，转换器，续流二极管和
电池反接保护。
D
2
PAK
TO-262
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
2 ×10
80至100伏
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
I
FRM
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
10 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
矩形波形（每个装置）
T
C
= 133 ° C（每站）
值
20
20
80至100
850
0.70
- 65 150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
MBRB2080CT
MBR2080CT-1
80
MBRB2090CT
MBR2090CT-1
90
MBRB20100CT
MBR20100CT-1
100
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均
正向电流
每腿
每个器件
符号
I
F（ AV ）
I
FRM
测试条件
T
C
= 133 ° C，额定V
R
为V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 133 °C
5 μs的正弦或3微秒正确。
脉冲
以下任何额定负载ondition
和额定V
RRM
应用的
值
10
20
20
850
150
0.5
24
mJ
A
单位
每腿重复峰值正向电流
非重复性峰值浪涌电流
I
FSM
浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60赫兹
2.0微秒， 1.0千赫
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2 A，L = 12毫亨
峰值重复反向浪涌电流
每腿非重复性雪崩能量
I
RRM
E
AS
文档编号： 93444
修订： 21 - 8 - 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
MBRB20..CT/MBR20..CT-1
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 2 ×10
电气规格
参数
符号
10 A
最大正向电压降
V
调频（1）
20 A
10 A
20 A
最大瞬时
反向电流
阈值电压
正向斜率电阻
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
V
F（ TO）
r
t
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
最大
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
从测量终端的顶部安装平面
为V
R
测试条件
T
J
= 25 °C
值
0.80
0.95
0.70
0.85
0.10
6
0.433
15.8
400
8.0
10 000
mA
V
mΩ
pF
nH
V / μs的
V
单位
T
J
= 125 °C
额定直流电压
热 - 机械特性
参数
最高结温范围
最大存储温度范围
最大热
性，
结每腿区分
典型热阻，
案件散热器
最大热电阻，
结到环境
大约重量
最低
最大
符号
T
J
T
英镑
R
thJC
直流操作
测试条件
值
- 65 150
- 65 175
2.0
° C / W
单位
°C
R
乡镇卫生院
R
thJA
安装面，光滑，润滑
直流操作
0.50
50
2
0.07
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
安装力矩
无润滑螺纹
案例D型
2
PAK
机箱样式TO- 262
6 (5)
12 (10)
打标设备
MBRB20100CT
MBR20100CT-1
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93444
修订： 21 - 8 - 08
MBRB20..CT/MBR20..CT-1
肖特基整流器， 2 ×10
日前，Vishay高功率产品
100
100
I
R
- 反向电流（mA ）
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
（每站）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压（每腿）
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
10
0
20
40
60
80
100
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压（每腿）
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
t
1
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
0.001
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
0.01
0.1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性（每腿）
文档编号： 93444
修订： 21 - 8 - 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
3
MBRB20..CT/MBR20..CT-1
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 2 ×10
150
10
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（ W）
140
DC
8
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
130
6
120
方波（ D = 0.50 ）
为V
R
应用的
4
110
2
DC
见注（ 1 ）
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（每腿）
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性（每腿）
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大非重复浪涌电流（每腿）
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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4
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93444
修订： 21 - 8 - 08
MBRB20..CT/MBR20..CT-1
肖特基整流器， 2 ×10
日前，Vishay高功率产品
订购信息表
器件代码
MBR
1
1
2
3
4
5
6
7
-
B
2
20
3
100
4
CT
5
-1
6
TRL
7
-
8
-
-
必不可少的部件号
B = D
2
PAK
6
无
80 = 80 V
90 = 90 V
100 = 100 V
无= TO- 262
6
= -1
额定电流（ 20 = 20 A）
电压额定值
CT =基本部件号
无= D
2
PAK
-1 = TO- 262
2
= B
2
无
-
-
-
无=管（ 50件）
TRL =带和卷轴（左为导向 - 程序D
2
百只）
TRR =带和卷轴（右导向 - 程序D
2
百只）
8
-
无=标准生产
PBF =铅（Pb ） - 免费（用于TO- 262和D
2
PAK管）
P =铅（Pb ） - 免费（程序D
2
PAK TRR和TRL ）
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包装信息
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http://www.vishay.com/doc?95008
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修订： 21 - 8 - 08
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5
MBR20100CT ， MBRF20100CT
& MBRB20100CT系列
双高压肖特基整流器
产品概述
反向电压90至100伏
正向电流20.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
为了在低电压，高频率逆变器，续流，
和极性保护应用
高温焊接保证：
250
o
C / 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
机械数据
案例： JEDEC TO - 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB成型
塑体
终端：镀线索，每MIL -STD- 750 ，
方法2026
极性：标示
安装位置：任意
最大10英寸磅：安装扭矩
重量0.08盎司， 2.24克
ITO-220AB
无铅;符合RoHS标准
TO-220AB
贴装焊盘布局TO- 263AB
TO-263AB(D
2
PAK ）
尺寸以英寸（毫米）
2007年2月8日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
1
MBR20100CT ， MBRF20100CT
& MBRB20100CT系列
最大额定值和电气特性
( T
C
= 25°C除非另有说明）
( T
C
= 25
o
C除非另有说明）
o
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流在T
C
=133
o
C
设备总
每腿
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
MBR2090CT
90
90
90
20
10
150
0.5
10,000
MBR20100CT
100
100
100
单位
伏
伏
伏
安培
安培
AMP
V/
us
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
= 2.0
u
S， 1KHz的
变化的电压率（额定V
R
)
每站最大瞬时正向电压（注4 ）
在我
F
= 10A ，T
C
=25
o
C
在我
F
= 10A ，T
C
=125 C
在我
F
= 20A ，T
C
=25 C
在我
F
= 20A ，T
C
=125 C
最大反向电流每
腿在工作峰值反向
电压（注4 ）
T
J
=25
o
C
T
J
=100
o
C
o
o
o
0.80
V
F
0.65
0.95
0.75
100
I
R
6.0
R
θ
JA
R
θ
JC
V
ISOL
T
J
T
英镑
MBR 60 / MBRF - / MBRB 60
MBR 2 / MBRF 3.5 / MBRB 2
4500 （注1 ）
3500 （注2）
1500 （注3）
-55到+150
-55到+150
o
伏
uA
mA
C / W
每腿典型热阻
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片采用t = 1.0秒，相对湿度< 30 ％
工作结温范围
存储温度范围
伏
o
C
C
o
2007年2月8日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
2
MBR20100CT ， MBRF20100CT
& MBRB20100CT系列
收视率和特性曲线
( T
A
= 25
o
C除非另有说明）
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而，硅标准公司不做任何
担保或保证，明示或暗示，作为对这些信息的可靠性，准确性，及时性或完整性不承担任何
其使用的责任，或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因，任何产品进行更改的权利，包括
无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
2007年2月8日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
3
新产品
膜生物反应器（F ， B） 2090CT & MBR （F ， B） 20100CT
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
1
2
3
MBR2090CT
MBR20100CT
销1
3脚
销2
例
2
1
3
MBRF2090CT
MBRF20100CT
销1
3脚
销2
沟槽MOS肖特基技术
较低的功率损耗，效率高
低正向压降
高正向浪涌能力
高频率运行
会见MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
焊锡炉温度275 ° C（最大值） ， 10秒，
每JESD 22 - B106 （用于TO- 220AB和ITO - 220AB
包）
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
TO-263AB
K
2
1
MBRB2090CT
MBRB20100CT
销1
销2
典型应用
在切换高频整流用
式电源，续流二极管，直流 - 直流
转换器或极性保护应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
K
散热器
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
2 ×10
90 V, 100 V
150 A
0.65 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
= 133 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
非重复性雪崩能量
在T
J
= 25 ° C，L = 60 mH的二极管
在t重复峰值反向电流
p
= 2微秒， 1 kHz时，
T
J
= 38 ° C± 2°C的每二极管
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
文档编号： 89033
修订： 24军09
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR2090CT
90
90
90
20
10
150
130
0.5
10 000
- 65至+ 150
1500
MBR20100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
mJ
A
V / μs的
°C
V
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
膜生物反应器（F ， B） 2090CT & MBR （F ， B） 20100CT
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
符号
价值
0.80
0.65
0.75
100
6.0
单位
每个二极管的最大正向电压
(1)
V
F
V
每二极管的最大反向电流在工作峰值
反向电压
(2)
笔记
(1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
(2)
脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
I
R
A
mA
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJA
R
θJC
MBR
60
2.0
MBRF
-
3.5
MBRB
60
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
首选的P / N
MBR20100CT-E3/4W
MBRF20100CT-E3/4W
MBRB20100CT-E3/4W
MBRB20100CT-E3/8W
单位重量（g ）
1.88
1.75
1.38
1.38
封装代码
4W
4W
4W
8W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
20
负载电阻或电感
MBRF
160
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
140
16
峰值正向浪涌电流（ A）
150
平均正向电流（ A）
MBR &
MBRB
120
12
100
8
80
4
60
0
0
50
100
40
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 89033
修订： 24军09
新产品
膜生物反应器（F ， B） 2090CT & MBR （F ， B） 20100CT
威世通用半导体
100
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到外壳
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
1
10
1
0.1
T
J
= 25 °C
膜生物反应器（ B）
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性每二极管
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
1
结到外壳
1
0.1
0.1
0.01
MBRF
0.001
0.1
1
10
100
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管7.典型的瞬态热阻抗
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1000
结电容（pF ）
100
10
1
10
100
反向
电压
(V)
图5.典型结电容每二极管
文档编号： 89033
修订： 24军09
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3
新产品
膜生物反应器（F ， B） 2090CT & MBR （F ， B） 20100CT
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
1
2
3
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076参考。
（ 1.93 ）参考。
0.076参考。
（ 1.93 ）参考。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
针
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
7 ° REF 。
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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4
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修订： 24军09
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引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
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文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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1
MBR20100CT ， MBRF20100CT & MBRB20100CT系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
双高压肖特基整流器
反向电压
90 100V
正向电流
20A
ITO - 220AB （ MBRF2090CT ， MBRF20100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO- 220AB （ MBR2090CT ， MBR20100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.060 (1.52)
销1
销2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
3脚
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB2090CT ， MBRB20100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
0.245 (6.22)
民
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.624 (15.85)
1
K
2
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.360 (9.14)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
尺寸以英寸
（毫米）
0.320 (8.13)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.105 (2.67)
0.12
(3.05)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于使用低电压，高频率逆变器，免费
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
文档编号88672
02-Jul-02
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB模具 -
编塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
MBR20100CT ， MBRF20100CT & MBRB20100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR2090CT
90
90
90
20
10
150
0.5
MBR20100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
在T
C
= 133°C
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+150
4500
3500
1500
(1)
(2)
(3)
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
:
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
10A ，T
C
=
10A ，T
C
=
20A ，T
C
=
20A ，T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.80
0.65
0.95
0.75
100
6.0
单位
V
F
V
A
mA
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
(4)
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
I
R
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJA
R
θJC
MBR
60
2
MBRF
—
3.5
MBRB
60
2
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR2090CT ， MBR20100CT
MBRF2090CT ， MBRF20100CT
MBRB2090CT ， MBRB20100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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文档编号88672
02-Jul-02
MBR20100CT ， MBRF20100CT & MBRB20100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
20
A
= 25 ° C除非另有说明）
160
140
120
16
12
100
8
80
4
60
40
1
10
100
0
0
50
100
150
50
20
10
10
1.0
5.0
3.0
0.1
1.0
0.01
0.5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
20
40
60
80
100
100
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
文档编号88672
02-Jul-02
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MBR20100CT ， MBRF20100CT & MBRB20100CT系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
双高压肖特基整流器
反向电压
90 100V
正向电流
20A
ITO - 220AB （ MBRF2090CT ， MBRF20100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO- 220AB （ MBR2090CT ， MBR20100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.060 (1.52)
销1
销2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
3脚
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB2090CT ， MBRB20100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
0.245 (6.22)
民
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.624 (15.85)
1
K
2
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.360 (9.14)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
尺寸以英寸
（毫米）
0.320 (8.13)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.105 (2.67)
0.12
(3.05)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于使用低电压，高频率逆变器，免费
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
文档编号88672
02-Jul-02
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB模具 -
编塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
MBR20100CT ， MBRF20100CT & MBRB20100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR2090CT
90
90
90
20
10
150
0.5
MBR20100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
在T
C
= 133°C
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+150
4500
3500
1500
(1)
(2)
(3)
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
:
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
10A ，T
C
=
10A ，T
C
=
20A ，T
C
=
20A ，T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.80
0.65
0.95
0.75
100
6.0
单位
V
F
V
A
mA
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
(4)
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
I
R
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJA
R
θJC
MBR
60
2
MBRF
—
3.5
MBRB
60
2
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR2090CT ， MBR20100CT
MBRF2090CT ， MBRF20100CT
MBRB2090CT ， MBRB20100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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文档编号88672
02-Jul-02
MBR20100CT ， MBRF20100CT & MBRB20100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
20
A
= 25 ° C除非另有说明）
160
140
120
16
12
100
8
80
4
60
40
1
10
100
0
0
50
100
150
50
20
10
10
1.0
5.0
3.0
0.1
1.0
0.01
0.5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
20
40
60
80
100
100
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
文档编号88672
02-Jul-02
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3
MBRB2070CT - MBRB20100CT
20A高压肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
新产品
E
A
4
D
2
PAK
G
H
J
暗淡
A
B
C
D
E
G
民
9.65
14.60
0.51
2.29
4.37
1.14
1.14
8.25
0.30
2.03
2.29
最大
10.69
15.88
1.14
2.79
4.83
1.40
1.40
9.25
0.64
2.92
2.79
B
1
2
3
机械数据
·
·
·
·
·
案例：D
2
PAK ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：对人体标示
重量： 1.7克（约）
标记：型号数量
D
C
销1
3脚
M
K
L
PIN 2 & 4
H
J
K
L
M
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 110°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压降
@ I
F
= 10A ，T
j
= 125°C
@ I
F
= 10A ，T
j
= 25°C
@ I
F
= 20A ，T
j
= 125°C
@ I
F
= 20A ，T
j
= 25°C
@T
A
= 25°C
@ T
A
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBRB
2070CT
70
49
MBRB
2080CT
80
56
20
150
0.75
0.85
0.85
0.95
0.1
100
275
2.0
10000
MBRB
2090CT
90
63
MBRB
20100CT
100
70
单位
V
V
A
A
V
FM
V
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j
T
英镑
mA
pF
° C / W
V / ms的
°C
°C
典型热阻结到外壳（注1 ）
更改@额定V的电压率
R
工作温度范围
存储温度范围
注意事项：
-65到+150
-65到+175
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反向电压。
DS30177修订版B- 2
1 2
MBRB2070CT-MBRB20100CT
20
100
新产品
16
I
F
瞬时正向电流（A）
I
O
，平均整流电流（ A）
10
12
8
1.0
4
T
J
= 25
°
C
脉冲宽度= 300
s
2 ％的占空比
0
0
50
100
150
T
C
，外壳温度（
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
I
R
，瞬时反向电流（mA）
100
T
J
= 125
0
C
10
0.1
0.1
0.2
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
0.8 0.9
1.0
V
F
瞬时正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
300
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
60
80
100
120
250
200
1.0
T
J
= 75
0
C
150
0.1
100
0.01
T
J
= 25
0
C
50
0.001
0
20
40
0
1
10
循环次数在60Hz
图。 4最大不重复浪涌电流
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 3典型的反向特性
1000
C
j
，结电容（pF ）
500
T
J
= 25
°
C
脉冲宽度= 300
s
2 ％的占空比
F = 1MHz的
200
100
0.1
1.0
10
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 5典型结电容
DS30177修订版B- 2
2 2
MBRB2070CT-MBRB20100CT
BL
银河电子
双
肖特基整流器
特点
高浪涌能力。
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
111
续流和极性保护应用。
金属硅交界处，多数载流子传导。
高电流能力，低正向压降。
保护环，过电压保护。
MBRB2070CT - - - MBRB20100CT
电压范围：
70
-
100
V
电流： 20 A
D
2
PAK
0.421(10.69)
0.380(9.65)
0.190(4.83)
0.172(4.37)
0.055(1.40)
0.045(1.14)
3
0.055(1.40)
0.045(1.14)
0.364(9.25)
0.325(8.25)
1
2
0.625(15.88)
0.575(14.60)
机械数据
案例： JEDEC PAK ，模压塑体
2
0.045(1.14)
0.020(0.51)
0.220(5.58)
0.180(4.58)
PIN1
PIN2
K-散热片
0.35(8.89)ref.
0.110(2.79)
0.090(2.29)
终端：信息，每MIL -STD- 750 ，
11
方法2026
极性：标示
重量：
0.087盎司， 2.2克
位置：任意
0.025(0.64)
0.012(0.30)
0.115(2.92)
0.080(2.03)
英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度，除非另有规定。
MBRB2070CT
最大的经常峰值反向电压
最大瓦特orking峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD总设备1
111rectified
当前
@ T
C
= 133
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
b
正弦-W AVE叠加在额定负荷
最大FORW ARD
每腿压
（注1 ）
(I
F
=10A,T
C
=25 )
(I
F
=10A,T
C
=125 )
(I
F
=20A,T
C
=25 )
(I
F
=20A,T
C
=125 )
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
A
=25
@T
A
=125
MBRB2080CT
MBRB2090CT
MBRB20100CT
单位
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
70
49
70
80
56
80
20.0
90
63
90
100
70
100
V
V
V
A
150.0
0.85
A
V
F
0.70
0.95
0.85
V
I
R
C
J
T
J
T
英镑
0.1
6.0
400
-
55
---- + 150
-
55
---- + 175
mA
pF
最大结电容
(NOTE2)
工作结温范围
存储温度范围
注： 1.脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的关税CY CLE 。
2.
V
R
=5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz
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文档编号0267054
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 - 正向电流降额曲线
25
MBRB2070CT -
-
- MBRB20100CT
cc
峰值正向浪涌
当前，安培
图2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流PERLEG
175
T
J
=T
J
最大
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向
当前，安培
负载电阻或电感
20
15
150
125
100
75
50
10
5
0
0
50
100
150
25
1
10
1 00
外壳温度
图3 - 典型正向
11111vCHARACTERISTICS
每腿
正向
当前，安培
瞬时反向
当前，毫安
循环次数在60Hz
图4 - 典型的反向特性
bn
每腿
111
40
10
T
J
=125
40
10
T
J
=125
脉冲宽度= 300
s
1 ％占空比
T
J
=25
1
1
0.1
T
J
=75
0.1
0.01
T
J
=25
0.01
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压，伏
百分比额定峰值反向电压，
1FIG.5--TYPICAL
每腿结电容
4000
T
J
=25
f=1.0MHz
Vsig=50MVp-p
结电容， pF的
1000
100
10
0.1
1
10
100
反向电压，伏
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M38032F6L-XXXSP
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