新产品
膜生物反应器（F ， B） 2090CT & MBR （F ， B） 20100CT
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
更低的功率损耗，效率高
低正向压降
高正向浪涌能力
??高频工作
MBR2090CT
MBR20100CT
销1
3脚
销2
例
2
1
3
MBRF2090CT
MBRF20100CT
销1
3脚
销2
1
2
3
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB和
ITO - 220AB封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
TO-263AB
K
2
1
MBRB2090CT
MBRB20100CT
销1
销2
K
散热器
典型应用
在切换高频整流用
式电源，续流二极管，直流 - 直流
转换器或极性保护应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
10 A ×2
90 V, 100 V
150 A
0.65 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
= 133 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR2090CT
90
90
90
20
10
150
0.5
10 000
- 65至+ 150
1500
MBR20100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
°C
V
文档编号： 89033
修订： 26 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
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1
新产品
膜生物反应器（F ， B） 2090CT & MBR （F ， B） 20100CT
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的最大正向电压
(1)
测试条件
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
符号
价值
0.80
0.65
0.75
100
6.0
单位
V
F
V
每二极管的最大反向电流在工作峰值
反向电压
(2)
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
I
R
A
mA
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJA
R
θJC
MBR
60
2.0
MBRF
-
3.5
MBRB
60
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
首选的P / N
MBR20100CT-E3/4W
MBRF20100CT-E3/4W
MBRB20100CT-E3/4W
MBRB20100CT-E3/8W
单位重量（g ）
1.88
1.75
1.38
1.38
封装代码
4W
4W
4W
8W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
20
负载电阻或电感
MBRF
160
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
140
16
峰值正向浪涌电流（ A）
150
平均正向电流（ A）
MBR &
MBRB
120
12
100
8
80
4
60
0
0
50
100
40
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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膜生物反应器（F ， B） 2090CT & MBR （F ， B） 20100CT
威世通用半导体
100
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到外壳
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
1
10
1
0.1
T
J
= 25 °C
膜生物反应器（ B）
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性每二极管
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
1
结到外壳
1
0.1
0.1
0.01
MBRF
0.001
0.1
1
10
100
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管7.典型的瞬态热阻抗
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1000
结电容（pF ）
100
10
1
10
100
反向
电压
(V)
图5.典型结电容每二极管
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膜生物反应器（F ， B） 2090CT & MBR （F ， B） 20100CT
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
1
2
3
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076参考。
（ 1.93 ）参考。
0.076参考。
（ 1.93 ）参考。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
针
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
7 ° REF 。
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
MBR20100CT ， MBRF20100CT & MBRB20100CT系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
双高压肖特基整流器
反向电压
90 100V
正向电流
20A
ITO - 220AB （ MBRF2090CT ， MBRF20100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO- 220AB （ MBR2090CT ， MBR20100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.060 (1.52)
销1
销2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
3脚
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB2090CT ， MBRB20100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
0.245 (6.22)
民
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.624 (15.85)
1
K
2
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.360 (9.14)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
尺寸以英寸
（毫米）
0.320 (8.13)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.105 (2.67)
0.12
(3.05)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于使用低电压，高频率逆变器，免费
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
文档编号88672
02-Jul-02
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB模具 -
编塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
MBR20100CT ， MBRF20100CT & MBRB20100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR2090CT
90
90
90
20
10
150
0.5
MBR20100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
在T
C
= 133°C
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+150
4500
3500
1500
(1)
(2)
(3)
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
:
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
10A ，T
C
=
10A ，T
C
=
20A ，T
C
=
20A ，T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.80
0.65
0.95
0.75
100
6.0
单位
V
F
V
A
mA
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
(4)
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
I
R
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJA
R
θJC
MBR
60
2
MBRF
—
3.5
MBRB
60
2
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR2090CT ， MBR20100CT
MBRF2090CT ， MBRF20100CT
MBRB2090CT ， MBRB20100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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2
文档编号88672
02-Jul-02
MBR20100CT ， MBRF20100CT & MBRB20100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
20
A
= 25 ° C除非另有说明）
160
140
120
16
12
100
8
80
4
60
40
1
10
100
0
0
50
100
150
50
20
10
10
1.0
5.0
3.0
0.1
1.0
0.01
0.5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
20
40
60
80
100
100
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
文档编号88672
02-Jul-02
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3
MBR20 ... CT ， MBRB20 ... CT ， MBR20 ... CT- 1
公告PD- 2.321转。我08/02
电压额定值
参数
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
R
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
MBR2080CT
MBRB2080CT
MBR2080CT-1
MBR2090CT
MBRB2090CT
MBR2090CT-1
MBR20100CT
MBRB20100CT
MBR20100CT-1
80
90
100
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
Max.AverageForward （ PerLeg ）
当前
（ PERDEVICE ）
I
FRM
峰值重复正向
当前
（每站）
I
FSM
不重复峰值
浪涌电流
I
RRM
E
AS
反向重复峰值
浪涌电流
非重复性雪崩能量
（每站）
值
10
20
20
850
150
0.5
24
单位
A
A
条件
@ T
C
= 133 ° C， （额定V
R
)
为V
R
，方波， 20kHz的
T
C
= 133° C
5μs的正弦或为3μs以下任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
正确。脉冲
浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60Hz的
2.0微秒1.0千赫
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2安培， L = 12毫亨
A
A
mJ
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
(1)
值
0.80
0.95
0.70
0.85
单位
V
V
V
V
mA
mA
V
m
条件
@ 10A
@ 20A
@ 10A
@ 20A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
马克斯。
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
额定直流电压
I
RM
马克斯。 Instantaneus反向电流
(1)
0.10
6
0.433
15.8
400
8.0
10,000
V
F（ TO）
阈值电压
r
t
C
T
L
S
正向斜率电阻
马克斯。结电容
典型的串联电感
（额定V
R
)
pF
nH
V / μs的
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
从测量终端的顶部安装平面
dv / dt的最大值。变化的电压率
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
值
-65到150
-65 175
2.0
0.50
50
2 (0.07)
分钟。
马克斯。
6 (5)
12 (10)
单位
°C
°C
条件
R
thJC
马克斯。热阻
结到外壳
（每站）
R
乡镇卫生院
典型热阻
案件散热器
R
thJA
马克斯。热阻
结到环境
wt
T
大约重量
安装力矩
° C / W DC操作
° C / W安装表面，光滑，润滑
只为TO- 220
° C / W DC操作
当d
2
白和TO -262
克（盎司）。
公斤 - 厘米无油润滑的线程
（磅力英寸）
2
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MBR20 ... CT ， MBRB20 ... CT ， MBR20 ... CT- 1
公告PD- 2.321转。我08/02
100
10 0
10
1
0.1
0 .01
0.0 01
0 .00 0 1
0
20
40
60
80
100
倒V olta GE - V
R
(V )
25 C
反C urren吨 - 我
R
（M A）
T
J
= 15 0 C
125 C
100 C
75 C
50 C
瞬时FORW ARD光凭目前 - 我
F
(A)
T
J
= 15 0 C
T
J
= 12 5 C
T
J
= 25 C
10
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压（每腿）
1 000
（PF ）
君ction ℃的P acitan CE - C
T
J
= 25 C
T
100
1
0 .2
10
0 .4
0.6
0.8
1
1 .2
1 .4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
10 0
FORW一个RD V olta GE ROP - V
FM
(V )
倒V oltag ê - V
R
(V )
图。 1 - 最大。正向压降特性
（每站）
10
日洱米人林P EDA CE
thJC
（ C / W ）
图。 3 - 典型结电容
与反向电压（每腿）
1
D
D
D
D
D
=
=
=
=
=
0 .7 5
0 .5 0
0 .3 3
0 .2 5
0 .2 0
P
D M
0 .1
仙克乐普LSE
（皿一l研究é SISTA N c个E）
0.0 1
0.0 00 0 1
注意事项：
t1
t2
1. UTY FA构造函数D = T1 / T2 2
2.豌豆牛逼
J
= P
D M
X Z
thJC
+ T
C
0.0 1
0.1
1
10
0.0 00 1
0 .0 0 1
吨1，R ê CTA吴乌拉; R P ü LSE 市建局TIO N （SECO次S）
图。 4 - 最大。热抗Z
thJC
特性（每腿）
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3
MBR20 ... CT ， MBRB20 ... CT ， MBR20 ... CT- 1
公告PD- 2.321转。我08/02
15 0
一个llow AB勒℃的本质TEM P时代TURE - （C ）
Averag ê战俘呃损失 - （W一个TTS ）
10
D
D
D
D
D
=
=
=
=
=
0 .20
0 .25
0 .33
0 .50
0 .75
DC
RM S廉它
4
14 0
DC
8
13 0
6
12 0
广场UA重新瓦特AVE （ D = 0.50 ）
为V
R
鸭合股
11 0
见说明（ 2 ）
2
10 0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
一套Vera GE FORW一个道中urren吨 - 我
F（ A V ）
(A)
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
一套Vera GE FORW ARD光凭目前 - 我
F（ AV）
(A )
图。 5 - 最大。允许外壳温度
与平均正向电流（每腿）
图。 6 - 正向功率损耗特性
（每站）
1000
上的N - REPE titive浪涌光凭目前 - 我
FSM
(A )
在一个额定载荷C OND银行足球比赛
第i个额定V的 W
RRM
鸭合股
按照克外科杂志ê
100
10
100
1000
10000
平uare W AVE脉冲 uration - T的P （M icrosec ）
图。 7 - 马克斯。不重复浪涌电流（每腿）
(2)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
=额定V
R
4
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MBR20 ... CT ， MBRB20 ... CT ， MBR20 ... CT- 1
公告PD- 2.321转。我08/02
概要表
10.54 (0.41)
马克斯。
3.78 (0.15)
3.54 (0.14)
15.24 (0.60)
14.84 (0.58)
1 2 3
14.09 (0.55)
13.47 (0.53)
3.96 (0.16)
3.55 (0.14)
2.04 （ 0.080 ）最大。
1.40 (0.05)
1.15 (0.04)
0.94 (0.04)
0.69 (0.03)
2.89 (0.11)
2.64 (0.10)
1
2
3
1.32 (0.05)
DIA 。
6.48 (0.25)
6.23 (0.24)
2°
1.22 (0.05)
2.92 (0.11)
2.54 (0.10)
第二学期
0.10 (0.004)
BASE
常见
阴极
2
阳极共阳极
阴极
1
2
1 2 3
4.57 (0.18)
4.32 (0.17)
0.61 （ 0.02 ）最大。
5.08 （ 0.20 ） REF 。
符合JEDEC的外形TO- 220AB
尺寸以毫米（英寸）
10.16 (0.40)
REF 。
4.69 (0.18)
4.20 (0.16)
1.32 (0.05)
6.47 (0.25)
15.49 (0.61)
1.22 (0.05)
93°
6.18 (0.24)
14.73 (0.58)
2.61 (0.10)
2.32 (0.09)
8.89 (0.35)
5.28 (0.21)
4.78 (0.19)
0.55 (0.02)
0.46 (0.02)
3X
BASE
常见
阴极
2
1.40 (0.055)
REF 。
0.93 (0.37)
0.69 (0.27)
1.14 (0.045)
2X
推荐的最低足迹
11.43 (0.45)
1
1
2
3
阳极共阳极
阴极
1
2
3
4.57 (0.18)
4.32 (0.17)
2
0.61 （ 0.02 ）最大。
5.08 （ 0.20 ） REF 。
8.89 (0.35)
17.78 (0.70)
3.81 (0.15)
2.08 (0.08)
2X
2.54 (0.10)
2X
尺寸以毫米（英寸）
符合JEDEC轮廓
2
PAK （ SMD -220 ）
www.irf.com
5
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MBRB2020CT
THRU
MBRB20100CT
20 AMP
肖特基
硅整流，多数Conducton的金属花色
保护环的瞬态保护
低正向压降
高电流能力，高效率
低功耗
垒整流器器
20至100伏特
D
2
-pack
S
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 150°C
MCC
目录
数
MBRB2020CT
MBRB2030CT
MBRB2035CT
MBRB2040CT
MBRB2045CT
MBRB2060CT
MBRB2080CT
MBRB20100CT
最大
复发
反向峰值
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
最大
RMS
电压
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
56V
70V
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
A
1
G
2
3
D
4
V
B
H
E
K
C
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
2020CT-2045CT
2060CT
2080CT-20100
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
2020CT-2045CT
2060CT-20100CT
I
F（ AV ）
I
FSM
20 A
150A
T
A
= 125°C
8.3ms的，半正弦
J
尺寸
英寸
民
最大
.340
.380
.380
.405
.160
.190
.020
.035
.45
.055
.100
BSC
.080
.110
.018
.025
.090
.110
.575
.62
5
.045
.055
MM
民
8.64
9.65
4.06
.051
1.14
2.54
2.03
0.46
2.29
14.60
1.14
V
F
.84V
.80V
.85V
I
FM
= 20A;
I
FM
=10 A
T
A
= 25°C
暗淡
A
B
C
D
E.
G
H
J
K
S
V
最大
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
BSC
2.79
0.64
2.79
15.88
1.40
记
I
R
0.1mA
0.15mA
T
A
= 25°C
*脉冲测试：脉冲宽度300μsec ，占空比1 ％
www.mccsemi.com
MBRB2070CT - MBRB20100CT
20A高压肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
新产品
E
A
4
D
2
PAK
G
H
J
暗淡
A
B
C
D
E
G
民
9.65
14.60
0.51
2.29
4.37
1.14
1.14
8.25
0.30
2.03
2.29
最大
10.69
15.88
1.14
2.79
4.83
1.40
1.40
9.25
0.64
2.92
2.79
B
1
2
3
机械数据
·
·
·
·
·
案例：D
2
PAK ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：对人体标示
重量： 1.7克（约）
标记：型号数量
D
C
销1
3脚
M
K
L
PIN 2 & 4
H
J
K
L
M
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 110°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压降
@ I
F
= 10A ，T
j
= 125°C
@ I
F
= 10A ，T
j
= 25°C
@ I
F
= 20A ，T
j
= 125°C
@ I
F
= 20A ，T
j
= 25°C
@T
A
= 25°C
@ T
A
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBRB
2070CT
70
49
MBRB
2080CT
80
56
20
150
0.75
0.85
0.85
0.95
0.1
100
275
2.0
10000
MBRB
2090CT
90
63
MBRB
20100CT
100
70
单位
V
V
A
A
V
FM
V
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j
T
英镑
mA
pF
° C / W
V / ms的
°C
°C
典型热阻结到外壳（注1 ）
更改@额定V的电压率
R
工作温度范围
存储温度范围
注意事项：
-65到+150
-65到+175
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反向电压。
DS30177修订版B- 2
1 2
MBRB2070CT-MBRB20100CT
摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
订购此文件
通过MBRB20100CT / D
数据表
SWITCHMODE
动力
D2PAK表面贴装功率封装
整流器器
MBRB20100CT
摩托罗拉的首选设备
该D2PAK电力整流器采用了使用肖特基原则
用铂阻挡层金属。国家的最先进的这些设备具有
特点如下：
套餐专为功率表面贴装应用
中心抽头配置
Guardring应力保护
低正向电压
150 ° C工作结温
环氧会见UL94 ， VO 1/8 “
保证反向雪崩
短散热器制造标签 - 未剪绒！
1
类似的大小与工业标准TO- 220封装
机械特性
3
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.7克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端信息是
随手可焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运50个单位的塑料管
可在24毫米磁带和卷轴，每13 800台“卷轴加入了” T4 “
后缀的零件编号
标记： B20100T
最大额定值，每支架
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定VR ） TC = 110℃
重复峰值正向电流
（额定VR ，方波， 20千赫） ， TC = 100℃
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
峰值重复反向浪涌电流（ 2.0
s,
1.0千赫）
储存温度
工作结温
变化的电压率（额定VR ）
设备总
IFRM
IFSM
IRRM
TSTG
TJ
dv / dt的
符号
VRRM
VRWM
VR
IF （ AV ）
价值
100
单位
伏
肖特基势垒
整流器器
20安培
100伏
4
4
1
3
CASE 418B -02
D2PAK
10
20
20
150
0.5
- 65 +175
- 65 + 150
10000
安培
安培
安培
AMP
°C
°C
V / μs的
热特性，每支架
热阻 - 结到管壳
- 结到环境（ 1 ）
（ 1 ）请参见第7章的安装条件
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
R
θJC
R
θJA
2.0
50
° C / W
设计师和开关模式是Motorola，Inc.的商标。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
整流器器
公司1996年
数据
摩托罗拉，
设备
1
MBRB20100CT
电气特性，每支架
等级
最大正向电压（ 2 ）
（ IF = 10安培， TC = 125°C ）
（ IF = 10安培， TC = 25 ° C）
（ IF = 20安培， TC = 125°C ）
（ IF = 20安培， TC = 25 ° C）
（额定直流电压， TJ = 125°C ）
（额定直流电压， TJ = 25°C ）
符号
vF
价值
0.75
0.85
0.85
0.95
6.0
0.1
单位
伏
最大瞬时反向电流（ 2 ）
iR
mA
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%.
I F ，正向电流（安培）
50
I R ，反向电流（毫安）
20
10
5
3
TJ = 25°C
150°C
10
TJ = 125°C
TJ = 100℃
1
175°C
100°C
TJ = 150℃
0.1
1
0.5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5 0.6
0.7
0.8
VF ，瞬时电压（伏）
0.9
1
0.01
0
20
TJ = 25°C
40
60
80
100
VR ，反向电压（伏）
120
图1.典型正向电压每二极管
图2.典型的反向电流每二极管
I F （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
32
28
24
20
16
12
8
4
0
80
90
100
110
120
130
140
TC ，外壳温度（ ° C）
150
160
方
WAVE
R
θJC
= 2 ° C / W
额定电压
应用的
20
18
平均功率（瓦）
16
14
12
10
8
6
IPK / IAV = 20
IPK / IAV = 10
TJ = 125°C
IPK / IAV = 5
PI
DC
方
WAVE
DC
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
平均电流（安培）
16
18
20
图3.典型电流降额，案例，
每腿
图4.平均功耗和
平均电流
2
整流设备数据
MBRB20100CT
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热和焊接之间的温度增量
应在100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行5秒钟以上。
当从预热到焊接，最大移
温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
*由于遮蔽而无法向波高度设置为
将其他表面贴装元件， D2PAK的
不推荐用于波峰焊。
典型焊加热曲线
对于任何给定的电路板，将有一组控制
设置值，将得到所需的加热方式。运营商
必须设置温度为几个加热区和数字
皮带速度。总之，这些控制设置补
加热“轮廓”为特定的电路板。上
由计算机控制的机器，所述计算机记忆
这些配置文件从一个操作系统会到下一个。身材
图5示出一个典型的加热分布用于焊接时的
D2PAK到一个印刷电路板上。此配置文件将各不相同
焊接系统，但它是一个很好的起点。因素
能够影响信息包括焊接系统中的类型
使用时，密度和成分上的板型，类型
焊料使用，并且基板或基片材料的类型是
使用。这个曲线显示温度随时间的变化。上线
第1步
预热
1区
“ RAMP ”
200°C
所需的曲线用于高
MASS ASSEMBLIES
150°C
150°C
焊料液
40至80秒
（根据
装配质量）
160°C
第2步
STEP 3
VENT
加热
「浸泡」地带2及五
“ RAMP ”
该图表明，可能是实际温度
经历了测试板的表面上或靠近中央
焊点。两个配置文件基于高密度和
低密度板。该维多利绍德SMD310对流/ IN-
frared回流焊接系统是用来产生本
个人资料。所使用的焊料类型是62/36/2铅锡银
用在177 -189 ℃的熔点。当这种类型的
炉用于回流焊接工作中，电路板和
焊点往往先热。主板上的组件
然后通过传导加热。在电路板上，因为它
具有大的表面面积，吸收的热能更
有效地，然后分发该能量给组件。
由于这种效果，一个组件的主体可
高达30度比相邻焊点冷却器。
第4步
加热
开发区3及6
“浸泡”
步骤5
加热
开发区4和7
“秒杀”
170°C
第6步
VENT
STEP 7
冷却
205 ° 219℃
高峰
焊点
100°C
100°C
140°C
所需的曲线FOR LOW
MASS ASSEMBLIES
50°C
时间（ 37分钟总）
TMAX
图5.典型焊接暖气个人资料D2PAK
4
整流设备数据
MBR20 ... CT ， MBRB20 ... CT ， MBR20 ... CT- 1
公告PD- 2.321转。我08/02
电压额定值
参数
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
R
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
MBR2080CT
MBRB2080CT
MBR2080CT-1
MBR2090CT
MBRB2090CT
MBR2090CT-1
MBR20100CT
MBRB20100CT
MBR20100CT-1
80
90
100
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
Max.AverageForward （ PerLeg ）
当前
（ PERDEVICE ）
I
FRM
峰值重复正向
当前
（每站）
I
FSM
不重复峰值
浪涌电流
I
RRM
E
AS
反向重复峰值
浪涌电流
非重复性雪崩能量
（每站）
值
10
20
20
850
150
0.5
24
单位
A
A
条件
@ T
C
= 133 ° C， （额定V
R
)
为V
R
，方波， 20kHz的
T
C
= 133° C
5μs的正弦或为3μs以下任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
正确。脉冲
浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60Hz的
2.0微秒1.0千赫
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2安培， L = 12毫亨
A
A
mJ
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
(1)
值
0.80
0.95
0.70
0.85
单位
V
V
V
V
mA
mA
V
m
条件
@ 10A
@ 20A
@ 10A
@ 20A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
马克斯。
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
额定直流电压
I
RM
马克斯。 Instantaneus反向电流
(1)
0.10
6
0.433
15.8
400
8.0
10,000
V
F（ TO）
阈值电压
r
t
C
T
L
S
正向斜率电阻
马克斯。结电容
典型的串联电感
（额定V
R
)
pF
nH
V / μs的
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
从测量终端的顶部安装平面
dv / dt的最大值。变化的电压率
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
值
-65到150
-65 175
2.0
0.50
50
2 (0.07)
分钟。
马克斯。
6 (5)
12 (10)
单位
°C
°C
条件
R
thJC
马克斯。热阻
结到外壳
（每站）
R
乡镇卫生院
典型热阻
案件散热器
R
thJA
马克斯。热阻
结到环境
wt
T
大约重量
安装力矩
° C / W DC操作
° C / W安装表面，光滑，润滑
只为TO- 220
° C / W DC操作
当d
2
白和TO -262
克（盎司）。
公斤 - 厘米无油润滑的线程
（磅力英寸）
2
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MBR20 ... CT ， MBRB20 ... CT ， MBR20 ... CT- 1
公告PD- 2.321转。我08/02
100
10 0
10
1
0.1
0 .01
0.0 01
0 .00 0 1
0
20
40
60
80
100
倒V olta GE - V
R
(V )
25 C
反C urren吨 - 我
R
（M A）
T
J
= 15 0 C
125 C
100 C
75 C
50 C
瞬时FORW ARD光凭目前 - 我
F
(A)
T
J
= 15 0 C
T
J
= 12 5 C
T
J
= 25 C
10
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压（每腿）
1 000
（PF ）
君ction ℃的P acitan CE - C
T
J
= 25 C
T
100
1
0 .2
10
0 .4
0.6
0.8
1
1 .2
1 .4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
10 0
FORW一个RD V olta GE ROP - V
FM
(V )
倒V oltag ê - V
R
(V )
图。 1 - 最大。正向压降特性
（每站）
10
日洱米人林P EDA CE
thJC
（ C / W ）
图。 3 - 典型结电容
与反向电压（每腿）
1
D
D
D
D
D
=
=
=
=
=
0 .7 5
0 .5 0
0 .3 3
0 .2 5
0 .2 0
P
D M
0 .1
仙克乐普LSE
（皿一l研究é SISTA N c个E）
0.0 1
0.0 00 0 1
注意事项：
t1
t2
1. UTY FA构造函数D = T1 / T2 2
2.豌豆牛逼
J
= P
D M
X Z
thJC
+ T
C
0.0 1
0.1
1
10
0.0 00 1
0 .0 0 1
吨1，R ê CTA吴乌拉; R P ü LSE 市建局TIO N （SECO次S）
图。 4 - 最大。热抗Z
thJC
特性（每腿）
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3
MBR20 ... CT ， MBRB20 ... CT ， MBR20 ... CT- 1
公告PD- 2.321转。我08/02
15 0
一个llow AB勒℃的本质TEM P时代TURE - （C ）
Averag ê战俘呃损失 - （W一个TTS ）
10
D
D
D
D
D
=
=
=
=
=
0 .20
0 .25
0 .33
0 .50
0 .75
DC
RM S廉它
4
14 0
DC
8
13 0
6
12 0
广场UA重新瓦特AVE （ D = 0.50 ）
为V
R
鸭合股
11 0
见说明（ 2 ）
2
10 0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
一套Vera GE FORW一个道中urren吨 - 我
F（ A V ）
(A)
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
一套Vera GE FORW ARD光凭目前 - 我
F（ AV）
(A )
图。 5 - 最大。允许外壳温度
与平均正向电流（每腿）
图。 6 - 正向功率损耗特性
（每站）
1000
上的N - REPE titive浪涌光凭目前 - 我
FSM
(A )
在一个额定载荷C OND银行足球比赛
第i个额定V的 W
RRM
鸭合股
按照克外科杂志ê
100
10
100
1000
10000
平uare W AVE脉冲 uration - T的P （M icrosec ）
图。 7 - 马克斯。不重复浪涌电流（每腿）
(2)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
=额定V
R
4
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MBR20 ... CT ， MBRB20 ... CT ， MBR20 ... CT- 1
公告PD- 2.321转。我08/02
概要表
10.54 (0.41)
马克斯。
3.78 (0.15)
3.54 (0.14)
15.24 (0.60)
14.84 (0.58)
1 2 3
14.09 (0.55)
13.47 (0.53)
3.96 (0.16)
3.55 (0.14)
2.04 （ 0.080 ）最大。
1.40 (0.05)
1.15 (0.04)
0.94 (0.04)
0.69 (0.03)
2.89 (0.11)
2.64 (0.10)
1
2
3
1.32 (0.05)
DIA 。
6.48 (0.25)
6.23 (0.24)
2°
1.22 (0.05)
2.92 (0.11)
2.54 (0.10)
第二学期
0.10 (0.004)
BASE
常见
阴极
2
阳极共阳极
阴极
1
2
1 2 3
4.57 (0.18)
4.32 (0.17)
0.61 （ 0.02 ）最大。
5.08 （ 0.20 ） REF 。
符合JEDEC的外形TO- 220AB
尺寸以毫米（英寸）
10.16 (0.40)
REF 。
4.69 (0.18)
4.20 (0.16)
1.32 (0.05)
6.47 (0.25)
15.49 (0.61)
1.22 (0.05)
93°
6.18 (0.24)
14.73 (0.58)
2.61 (0.10)
2.32 (0.09)
8.89 (0.35)
5.28 (0.21)
4.78 (0.19)
0.55 (0.02)
0.46 (0.02)
3X
BASE
常见
阴极
2
1.40 (0.055)
REF 。
0.93 (0.37)
0.69 (0.27)
1.14 (0.045)
2X
推荐的最低足迹
11.43 (0.45)
1
1
2
3
阳极共阳极
阴极
1
2
3
4.57 (0.18)
4.32 (0.17)
2
0.61 （ 0.02 ）最大。
5.08 （ 0.20 ） REF 。
8.89 (0.35)
17.78 (0.70)
3.81 (0.15)
2.08 (0.08)
2X
2.54 (0.10)
2X
尺寸以毫米（英寸）
符合JEDEC轮廓
2
PAK （ SMD -220 ）
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5
MBR20100CT ， MBRF20100CT & MBRB20100CT系列
新产品
威世半导体
原通用半导体
双高压肖特基整流器
反向电压
90 100V
正向电流
20A
ITO - 220AB （ MBRF2090CT ， MBRF20100CT ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO- 220AB （ MBR2090CT ， MBR20100CT ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
针
2
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.060 (1.52)
销1
销2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
3脚
销1
3脚
销2
例
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
TO- 263AB （ MBRB2090CT ， MBRB20100CT ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
0.245 (6.22)
民
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.624 (15.85)
1
K
2
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
销1
销2
的K - 散热片
0.360 (9.14)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
尺寸以英寸
（毫米）
0.320 (8.13)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.105 (2.67)
0.12
(3.05)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
对于使用低电压，高频率逆变器，免费
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
文档编号88672
02-Jul-02
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB ， ITO - 220AB & TO- 263AB模具 -
编塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
MBR20100CT ， MBRF20100CT & MBRB20100CT系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
MBR2090CT
90
90
90
20
10
150
0.5
MBR20100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
设备总
在T
C
= 133°C
每腿
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿重复峰值反向电流在t
p
=为2μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片与T = 1秒，相对湿度
≤
30%
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
ISOL
A
A
V / μs的
°C
V
10,000
-65到+150
4500
3500
1500
(1)
(2)
(3)
电气特性
(T
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(4)
:
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
10A ，T
C
=
10A ，T
C
=
20A ，T
C
=
20A ，T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
价值
0.80
0.65
0.95
0.75
100
6.0
单位
V
F
V
A
mA
每站最大反向电流
在工作峰值反向电压
(4)
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
I
R
热特性
(T
参数
每腿典型热阻
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJA
R
θJC
MBR
60
2
MBRF
—
3.5
MBRB
60
2
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR2090CT ， MBR20100CT
MBRF2090CT ， MBRF20100CT
MBRB2090CT ， MBRB20100CT
例
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
www.vishay.com
2
文档编号88672
02-Jul-02
MBR20100CT ， MBRF20100CT & MBRB20100CT系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
20
A
= 25 ° C除非另有说明）
160
140
120
16
12
100
8
80
4
60
40
1
10
100
0
0
50
100
150
50
20
10
10
1.0
5.0
3.0
0.1
1.0
0.01
0.5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
20
40
60
80
100
100
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
文档编号88672
02-Jul-02
www.vishay.com
3
BL
银河电子
双
肖特基整流器
特点
高浪涌能力。
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
111
续流和极性保护应用。
金属硅交界处，多数载流子传导。
高电流能力，低正向压降。
保护环，过电压保护。
MBRB2070CT - - - MBRB20100CT
电压范围：
70
-
100
V
电流： 20 A
D
2
PAK
0.421(10.69)
0.380(9.65)
0.190(4.83)
0.172(4.37)
0.055(1.40)
0.045(1.14)
3
0.055(1.40)
0.045(1.14)
0.364(9.25)
0.325(8.25)
1
2
0.625(15.88)
0.575(14.60)
机械数据
案例： JEDEC PAK ，模压塑体
2
0.045(1.14)
0.020(0.51)
0.220(5.58)
0.180(4.58)
PIN1
PIN2
K-散热片
0.35(8.89)ref.
0.110(2.79)
0.090(2.29)
终端：信息，每MIL -STD- 750 ，
11
方法2026
极性：标示
重量：
0.087盎司， 2.2克
位置：任意
0.025(0.64)
0.012(0.30)
0.115(2.92)
0.080(2.03)
英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度，除非另有规定。
MBRB2070CT
最大的经常峰值反向电压
最大瓦特orking峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD总设备1
111rectified
当前
@ T
C
= 133
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
b
正弦-W AVE叠加在额定负荷
最大FORW ARD
每腿压
（注1 ）
(I
F
=10A,T
C
=25 )
(I
F
=10A,T
C
=125 )
(I
F
=20A,T
C
=25 )
(I
F
=20A,T
C
=125 )
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
A
=25
@T
A
=125
MBRB2080CT
MBRB2090CT
MBRB20100CT
单位
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
70
49
70
80
56
80
20.0
90
63
90
100
70
100
V
V
V
A
150.0
0.85
A
V
F
0.70
0.95
0.85
V
I
R
C
J
T
J
T
英镑
0.1
6.0
400
-
55
---- + 150
-
55
---- + 175
mA
pF
最大结电容
(NOTE2)
工作结温范围
存储温度范围
注： 1.脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的关税CY CLE 。
2.
V
R
=5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz
www.galaxycn.com
文档编号0267054
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 - 正向电流降额曲线
25
MBRB2070CT -
-
- MBRB20100CT
cc
峰值正向浪涌
当前，安培
图2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流PERLEG
175
T
J
=T
J
最大
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向
当前，安培
负载电阻或电感
20
15
150
125
100
75
50
10
5
0
0
50
100
150
25
1
10
1 00
外壳温度
图3 - 典型正向
11111vCHARACTERISTICS
每腿
正向
当前，安培
瞬时反向
当前，毫安
循环次数在60Hz
图4 - 典型的反向特性
bn
每腿
111
40
10
T
J
=125
40
10
T
J
=125
脉冲宽度= 300
s
1 ％占空比
T
J
=25
1
1
0.1
T
J
=75
0.1
0.01
T
J
=25
0.01
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压，伏
百分比额定峰值反向电压，
1FIG.5--TYPICAL
每腿结电容
4000
T
J
=25
f=1.0MHz
Vsig=50MVp-p
结电容， pF的
1000
100
10
0.1
1
10
100
反向电压，伏
www.galaxycn.com
文档编号0267054
BL
银河电子
2.
MBRB20100CT
首选设备
SWITCHMODEt
电力整流器
D
2
PAK表面贴装功率封装
对D
2
PAK电力整流器是国家的最先进的设备
采用了利用肖特基势垒原理与铂
阻挡金属。
特点
http://onsemi.com
套餐专为功率表面贴装应用
中心抽头配置
Guardring应力保护
低正向电压
175 ° C工作结温
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
短散热器制造标签 - 未剪绒！
类似的大小与工业标准TO- 220封装
无铅包可用
肖特基势垒
整流器器
20安培
100伏
1
4
3
机械特性
案例：环氧树脂，模压，环氧符合UL 94 V- 0
重量： 1.7克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
器件符合MSL1要求
ESD额定值：机器型号，C >400 V
人体模型， 3B >8000 V
最大额定值
（每站）
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
C
= 110 ℃）器件总
峰值重复正向电流（额定
V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 100°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
峰值重复反向浪涌电流
(2.0
女士，
1.0千赫）
存储温度范围
工作结温（注1 ）
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
价值
100
单位
V
1
3
4
D
2
PAK
CASE 418B
方式3
标记图
10
20
20
150
A
A
A
A
Y
WW
B20100
G
AKA
AY WW
B20100G
AKA
I
RRM
T
英镑
T
J
0.5
-65到+175
-65到+175
A
°C
°C
=大会地点
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
=二极管极性
变化的电压率（额定V
R
)
dv / dt的
10,000
V / ms的
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.产生的热必须小于由热传导率
结至环境： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年2月 - 修订版6
出版订单号：
MBRB20100CT/D
MBRB20100CT
热特性
（每站）
特征
热阻，
结到外壳
结到环境（注2 ）
符号
R
QJC
R
qJA
价值
2.0
50
单位
° C / W
电气特性
（每站）
最大正向电压（注3 ）
(i
F
= 10安培，T
C
= 125°C)
(i
F
= 10安培，T
C
= 25°C)
(i
F
= 20安培，T
C
= 125°C)
(i
F
= 20安培，T
C
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 125°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
v
F
0.75
0.85
0.85
0.95
6.0
0.1
V
最大瞬时反向电流（注3 ）
i
R
mA
2.当使用最小建议焊盘尺寸在FR - 4电路板安装。
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
订购信息
设备
MBRB20100CT
MBRB20100CTG
MBRB20100CTT4
MBRB20100CTT4G
包
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
800单位/磁带&卷轴
800单位/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
I F ，正向电流（安培）
50
150°C
100°C
5
3
T
J
= 25°C
I R ，反向电流（毫安）
20
10
125°C
10
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
1
0.1
1
0.5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
v
F
，瞬时电压（伏）
0.01
0
20
T
J
= 25°C
40
60
80
100
120
V
R
，反向电压（伏）
图1.典型正向电压每二极管
I F （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
32
28
24
20
16
12
8
4
0
80
90
100
110
120
130
140
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
160
方
WAVE
额定电压
应用的
R
QJC
= 2 ° C / W
20
18
平均功率（瓦）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
图2.典型的反向电流每二极管
I
PK
/I
AV
= 5
PI
I
PK
/I
AV
= 10
I
PK
/I
AV
= 20
方
WAVE
DC
T
J
= 125°C
DC
2
4
6
8
10
12
14
平均电流（安培）
16
18
20
图3.典型电流降额，案例，每腿
图4.平均功耗&平均电流
http://onsemi.com
2
MBRB20100CT
包装尺寸
D
2
PAK
CASE 418B -04
ISSUE
C
E
B
4
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
V
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 418B -01 THRU 418B -03过时了，
新标准418B -04 。
英寸
民
最大
0.340 0.380
0.380 0.405
0.160 0.190
0.020 0.035
0.045 0.055
0.310 0.350
0.100 BSC
0.080
0.110
0.018 0.025
0.090
0.110
0.052 0.072
0.280 0.320
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
0.575 0.625
0.045 0.055
MILLIMETERS
民
最大
8.64
9.65
9.65 10.29
4.06
4.83
0.51
0.89
1.14
1.40
7.87
8.89
2.54 BSC
2.03
2.79
0.46
0.64
2.29
2.79
1.32
1.83
7.11
8.13
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
14.60 15.88
1.14
1.40
V
W
A
1
2
3
S
T
座位
飞机
K
G
D
H
3 PL
M
W
J
0.13 (0.005)
T B
M
变量
CON组fi guration
区
L
M
方式3 ：
PIN 1.阳极
2.阴极
3.阳极
4.阴极
R
N
U
L
P
L
M
M
F
VIEW的W-W
1
F
VIEW的W-W
2
F
VIEW的W-W
3
焊接足迹*
8.38
0.33
10.66
0.42
1.016
0.04
5.08
0.20
3.05
0.12
17.02
0.67
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
3
MBRB20100CT
SWITCHMODE是半导体元件工业， LLC的商标。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
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N.美国技术支持：
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2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81357733850
安森美半导体网站：
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为了文学：
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有关更多信息，请联系您
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4
MBRB20100CT/D
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