MBRB1035 THRU MBRB1060
肖特基整流器器
反向电压
-
35至60伏特
TO-263AB
0.380 (9.65)
0.420 (10.67)
0.245 (6.22)
民
K
0.047 (1.19)
0.055 (1.40)
0.160 (4.06)
0.190 (4.83)
0.045 (1.14)
0.055 (1.40)
正向电流
-
10.0安培
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，
低正向压降
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接按照
CECC 802 /回流焊保证
特点
0.320 (8.13)
0.360 (9.14)
1
K
2
0.575 (14.60)
0.625 (15.88)
座位
板
-T-
0.090 (2.29)
0.110 (2.79)
0.018 (0.46)
0.025 (0.64)
0.027 (0.686)
0.037 (0.940)
0.080 (2.03)
0.110 (2.79)
0.095 (2.41)
0.100 (2.54)
机械数据
案例：
JEDEC TO- 263AB模压塑体
终端：
导致每MIL -STD- 750 ，
方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
重量：
0.08盎司， 2.24克
销1
的K - 散热片
销2
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
MBRB1035
MBRB1045
MBRB1050
MBRB1060
单位
最大重复峰值反向电压
最大工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
（参见图1）
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
（AV）
I
FRM
35
35
35
45
45
45
10.0
20.0
50
50
50
60
60
60
伏
伏
伏
安培
安培
在T重复峰值正向电流
C
=135°C
（方波20 KH
Z)
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流
变化的电压率（额定V
R
)
最大瞬时
在正向电压
（注2 ）
I
F
= 10A ，T
C
=25°C
I
F
= 10A ，T
C
=125°C
I
F
= 20A ，T
C
=25°C
I
F
= 20A ，T
C
=125°C
（注1 ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
-
0.57
0.84
0.72
1.0
150.0
0.5
10,000
0.80
0.70
0.95
0.85
0.10
15.0
2.0
-65到+150
-65到+175
安培
安培
V / μs的
V
F
伏
最大瞬间反向电流在额定
阻断电压DC
T
C
= 25°C
（注2 ）
T
C
=125°C
最大热阻，结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
注意事项：
（1）在2.0μs的脉冲宽度中，f = 1.0的KH
Z
（2 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
I
R
R
θJC
T
J
T
英镑
mA
° C / W
°C
°C
4/98
额定值和特性曲线MBRB1035 THRU MBRB1060
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
175
图。 1 - 正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流，
安培
12
负载电阻或电感
150
125
100
75
50
25
0.1
平均正向电流，
安培
10
8
6
4
2
MBRB1035 - MBRB1045
MBRB1050 & MBRB1060
1
10
100
周期数的AT 60 H
Z
0
0
50
100
150
图。 4 - 典型的反向
特征
外壳温度
20
图。 3 - 典型正向
特征
瞬时反向电流，
毫安
10
MBRB1035 - MBRB1045
MBRB1050 & MBRB1060
50
瞬时正向电流，
安培
T
J
=125°C
1
10
T
J
=125°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
1
T
J
=25°C
0.1
T
J
=75°C
0.1
0.01
MBRB1035 - MBRB1045
MBRB1050 & MBRB1060
T
J
=25°C
0.01
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压，
伏
0.001
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压％
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
100
图。 5 - 典型结电容
4,000
结电容， pF的
瞬态热阻抗，
° C / W
1,000
T
J
=25°C
F = 1.0 MHz的
Vsig=50mVp-p
10.0
MBRB1035 - MBRB1045
MBRB1050 & MBRB1060
1
100
0.1
1
10
100
反向电压，伏
0.1
0.01
0.1
1
t
,
脉冲持续时间，秒。
10
100
膜生物反应器（F ， B） 1035直通MBR （F ， B） 1060
威世通用半导体
肖特基势垒整流器
TO-220AC
ITO-220AC
特点
低功耗，高效率
低正向压降
高正向浪涌能力
??高频工作
2
MBR10xx
销1
销2
2
1
MBRF10xx
销1
1
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AC和
ITO - 220AC封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
例
销2
TO-263AB
K
2
1
MBRB10xx
销1
销2
K
散热器
典型应用
适用于低电压，高频整流用
开关模式电源，续流二极管，
直流 - 直流转换器和极性保护应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AC ， ITO - 220AC ， TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
10 A
35 V至60 V
150 A
0.57 V, 0.70 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
在t重复峰值反向电流
p
= 2.0微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AC只）
从终端到散热片T = 1分
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
T
英镑
V
AC
1.0
10 000
- 65至+ 150
- 65 + 175
1500
MBR1035
35
MBR1045
45
10
150
0.5
MBR1050
50
MBR1060
60
单位
V
A
A
A
V / μs的
°C
°C
V
文档编号： 88669
修订： 07- 08年5月
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1
膜生物反应器（F ， B） 1035直通MBR （F ， B） 1060
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
(1)
测试条件
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 20 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
MBR1035
MBR1045
MBR1050
MBR1060
单位
-
0.57
0.84
0.72
0.10
15
0.80
0.70
0.95
0.85
V
F
V
最大瞬时
反向电流在额定DC
阻断电压
(1)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
I
R
mA
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
结点的最大热阻到外壳
符号
R
θJC
MBR
2.0
MBRF
4.0
MBRB
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
MBR1045-E3/45
MBRF1045-E3/45
MBRB1045-E3/45
MBRB1045-E3/81
MBR1045HE3/45
(1)
MBRF1045HE3/45
(1)
MBRB1045HE3/45
(1)
MBRB1045HE3/81
(1)
单位重量（g ）
1.80
1.94
1.33
1.33
1.80
1.94
1.33
1.33
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
管
管
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
12
负载电阻或电感
175
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
峰值正向浪涌电流（ A）
平均正向电流（ A）
10
150
8
125
6
100
4
75
2
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
0
50
100
150
50
0
25
0.1
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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2
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膜生物反应器（F ， B） 1035直通MBR （F ， B） 1060
威世通用半导体
100
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
T
J
= 150 °C
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
1
T
J
= 25 °C
0.1
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
结电容（pF ）
1000
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
100
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
100
100
10
T
J
= 125 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
100
Instantenous反向电流（mA ）
10
1
T
J
= 75 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
1
0.001
0
20
40
60
80
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的反向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
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3
膜生物反应器（F ， B） 1035直通MBR （F ， B） 1060
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AC
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 （ 3.91 ） DIA 。
0.148 （ 3.74 ） DIA 。
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
例
ITO-220AC
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
针
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
1
2
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
7 ° REF 。
2
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表3058 ， Rev.C
MBR1060
MBRB1060
MBR1060/MBRB1060
肖特基整流器器
应用范围：
开关电源
转换器
续流二极管
反向电池保护
150
°
（C T）
J
手术
中心抽头配置
低正向压降
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装提高机械强度和
耐湿性
高频率运行
保护环，增强耐用性和长期可靠性
产品特点：
MBR1060
MBRB1060
TO-220AC
D
2
PAK
机械尺寸：单位：英寸/毫米
10.54(0.415)
最大
3.935(0.155)
迪亚
3.735(0.147)
2.92(0.115)
2.54(0.100)
1.32(0.052)
1.22(0.048)
TO-220AC
0.30(0.012)MAX
12.46(0.491)
12.06(0.475)
1
2
3
8.90(0.350)
8.50(0.335)
1
阴极
2.89(0.114)
2.52(0.099)
3
阳极
14.09(0.555)
13.47(0.530)
3.96(0.16)
3.55(0.14)
1.40(0.055)
1.15(0.045)
1
2
3
0.94(0.037)
0.69(0.027)
0.53(0.021)
0.31(0.012)
4.67(0.184)
4.47(0.176)
5.08(0.200)REF
221西工业苑
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SENSITRON
半导体
数据表3058 ， Rev.C
MBR1060
MBRB1060
PAK
10.16(0.400)
REF 。
1.37(0.054)
1.17(0.046)
4.69(0.185)
4.20(0.165)
1.32(0.052)
1.22(0.048)
BASE
常见
阴极
2
2
15.49(0.610)
14.73(0.580)
8.90(0.350)
8.50(0.335)
1.70(0.067)
1.30(0.051)
5.28(0.208)
4.78(0.188)
阳极1
阳极3
3
×
1.40(0.055)
1.14(0.045)
0.93(0.037)
2
×
0.69(0.027)
0.55(0.022)
0.46(0.018)
5.08(0.200)REF.
最大额定值：
特征
峰值反向电压
马克斯。平均正向
马克斯。峰值一个周期非
重复浪涌电流
符号
VRWM
I
F（ AV ）
条件
-
占空比为50％ @T
C
= 154°C,
矩形波的形式
8.3毫秒，半正弦脉冲
马克斯。
60
10
单位
V
A
I
FSM
150
A
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半导体
数据表3058 ， Rev.C
MBR1060
MBRB1060
电气特性：
特征
马克斯。正向电压降
符号
V
F1
V
F2
马克斯。反向电流
I
R1
I
R2
马克斯。结电容
典型的串联电感
马克斯。变化的电压率
*
脉宽< 300μS ，占空比<2 ％
条件
@ 10A ，脉冲，T
J
= 25
°C
@ 10A ，脉冲，T
J
= 125
°C
@V
R
=额定V
R
T
J
= 25
°C
@V
R
=额定V
R
T
J
= 125
°C
@V
R
= 5V ，T
C
= 25
°C
f
SIG
= 1MHz的
测量导致引线5毫米
包体
-
马克斯。
0.80
0.70
1.0
6
-
8.0
10,000
单位
V
V
mA
mA
pF
nH
V / μs的
C
T
L
S
dv / dt的
热机械产品规格：
特征
最大。结温
马克斯。储存温度
最大热
电阻结到管壳
最大热
性，案件热火
SINK
大约重量
安装力矩
机箱样式
符号
T
J
T
英镑
R
θJC
条件
-
-
直流操作
规范
-55到+150
-55到+150
2.0
单位
°C
°C
° C / W
直流操作
0.5
° C / W
g
公斤 - 厘米
R
θJA
wt
T
M
-
-
2
6(Min.)
12(Max.)
2
TO- 220AB PAK TO- 262
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MBR1060
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版本数据表（S ）的。
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医疗设备和安全设备），安全应该通过使用配有确保安全或半导体器件可以确保
用户的方式“故障 - 安全注意事项或其他安排。
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该用户的单元，根据所述数据表（多个）操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
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从使用的值超过绝对最大额定值。
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妨碍维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于该目的
派对。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合有关法律，
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MBR10xx ， MBRF10xx & MBRB10xx系列
反向电压为35 60伏
肖特基势垒整流器器
正向电流10.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
为了在低电压，高频率逆变器，续流，
和极性保护应用
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
机械数据
案例： JEDEC TO - 220AC ， ITO - 220AC & TO- 263AB成型
塑体
终端：镀线索，每MIL -STD- 750 ，
方法2026
极性：标示
安装位置：任意
最大10英寸磅：安装扭矩
重量0.08盎司， 2.24克
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB(D
2
PAK ）
贴装焊盘布局TO- 263AB
尺寸以英寸（毫米）
344
最大额定值和电气特性
( T
C
= 25
o
C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流（参见图1 ）
重复峰值正向电流（平方波，为20KHz ）
在T
C
=135
o
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
在t重复峰值反向电流
p
= 2.0
u
S， 1KHz的
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向电压（注4 ）
在我
F
= 10A ，T
C
=25
o
C
在我
F
= 10A ，T
C
=125 C
在我
F
= 20A ，T
C
=25 C
在我
F
= 20A ，T
C
=125 C
最大瞬时
反向电流在额定DC
阻断电压（注4 ）
T
C
=25 C
T
C
=125
o
C
o
o
o
o
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
MBR1035
35
35
35
MBR1045
45
45
45
10
20
150
1.0
MBR1050
50
50
50
MBR1060
60
60
60
单位
伏
伏
伏
安培
安培
安培
0.5
10,000
安培
V/
us
-
V
F
0.57
0.84
0.72
0.10
I
R
15
R
θ
JC
V
ISOL
T
J
T
英镑
0.80
0.70
0.95
0.85
mA
伏
结点的最大热阻到外壳
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片采用t = 1.0秒，相对湿度< 30 ％
工作结温范围
存储温度范围
注意事项：
MBR 2.0 / MBRF 4.0 / 2.0 MBRB
4500 （注1 ）
3500 （注2）
1500 （注3）
-55到+150
-55到+150
o
C / W
伏
o
C
C
o
1.固定夹（案例），其中铅不与0.110"重叠偏移散热器
2.固定夹（案例），其中导线做重叠散热器
3.螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为< 4.9毫米（ 0.19" ）
4.脉冲测试： 300US脉冲宽度， 1 ％的占空比
345
QQ：2881677436 复制
