MBRB1045 ， MBRD1045
首选设备
SWITCHMODEt
肖特基功率整流器
表面贴装功率封装
该系列电源整流器采用肖特基势垒
原则上在一个大的金属与硅功率二极管。国家的最先进的
几何特征的外延建设与氧化和钝化
金属覆盖层接触。非常适合用在低电压，高
高频开关电源，续流二极管和
极性保护二极管。
特点
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
10安培， 45伏
1
4
3
Guardring应力保护
低正向电压
175 ° C工作结温
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
短散热器制造标签 - 未剪绒！
无铅包可用
1
3
标记图
4
AY WW
MBRB1045G
AKA
机械特性：
案例：环氧树脂，模压，环氧符合UL 94 V- 0
重量：2.7克
2
PAK （约）
0.4克的DPAK （约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
器件符合MSL1要求
ESD额定值：机器型号，C （ >400 V）
人体模型， 3B （ >8000 V）
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
) T
C
= 135°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫）
T
C
= 135°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结存储
温度范围（注1 ）
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
价值
45
单位
V
D
2
PAK
CASE 418B
塑料
A
Y
WW
MBRB1045
G
AKA
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
Y
WW
B1045
G
=大会地点
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
=二极管极性
最大额定值
标记图
YWW
B10
45G
10
20
A
A
I
FSM
150 （ MBRB ）
70 （ MBRD ）
-65到+175
A
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
T
J
, T
英镑
°C
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
变化的电压率（额定V
R
)
dv / dt的
10000
V / ms的
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.产生的热必须小于由热传导率
结至环境： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年2月 - 修订版6
出版订单号：
MBRB1045/D
MBRB1045 ， MBRD1045
热特性
特征
热阻，
(MBRB1045)
- 结到外壳（注2 ）
- 结到环境（注2 ）
(MBRD1045)
- 结到外壳（注2 ）
- 结到环境（注2 ）
2.当使用最小建议焊盘尺寸在FR - 4电路板安装。
符号
R
QJC
R
qJA
R
QJC
R
qJA
价值
1.0
50
2.43
68
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注3 ）
(I
F
= 10安培，T
J
= 125°C)
(I
F
= 20安培，T
J
= 125°C)
(I
F
= 20安培，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注3 ）
（额定直流电压，T
J
= 125°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%
符号
V
F
0.57
0.72
0.84
I
R
15
0.1
mA
价值
单位
V
订购信息
设备
MBRB1045
MBRB1045G
MBRB1045T4
MBRB1045T4G
MBRD1045T4G
包
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
DPAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
800单位/磁带&卷轴
800单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MBRB1045 ， MBRD1045
100
T
J
= 150°C
IR ，反向电流（毫安）
IR ，反向电流（毫安）
10
1.0
125°C
100°C
75°C
10
125°C
1.0
100°C
75°C
100
150°C
0.1
25°C
0.01
0.1
0.01
25°C
0.001
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
0.001
图3.最大反向电流
图4.典型的反向电流
IFSM ，峰值半波电流（ AMPS ）
200
1400
1200
C，电容（pF ）
1000
800
600
400
200
0
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
0
10
20
30
40
50
循环次数在60赫兹
V
R
，反向电压（伏）
100
70
50
30
20
图8.最大浪涌能力
PF （ AV ）正向平均功耗（瓦）
图5.典型电容
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
18
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
130
135
140
145
150
155
T
C
，外壳温度（ ° C）
方
WAVE
施加额定电压
dc
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方
WAVE
dc
图6.电流降额，案例，
R
QJC
= 1.0
° C / W
图7.前向功率耗散
http://onsemi.com
4
MBRB1045 ， MBRD1045
包装尺寸
D
2
PAK 3
CASE 418B -04
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 418B -01 THRU 418B -03过时了，
新标准418B -04 。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
V
英寸
民
最大
0.340 0.380
0.380 0.405
0.160 0.190
0.020 0.035
0.045 0.055
0.310 0.350
0.100 BSC
0.080
0.110
0.018 0.025
0.090
0.110
0.052 0.072
0.280 0.320
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
0.575 0.625
0.045 0.055
MILLIMETERS
民
最大
8.64
9.65
9.65 10.29
4.06
4.83
0.51
0.89
1.14
1.40
7.87
8.89
2.54 BSC
2.03
2.79
0.46
0.64
2.29
2.79
1.32
1.83
7.11
8.13
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
14.60 15.88
1.14
1.40
C
E
B
4
V
W
A
1
2
3
S
T
座位
飞机
K
G
D
H
3 PL
M
W
J
0.13 (0.005)
变量
CON组fi guration
区
L
M
T B
M
R
N
U
L
P
L
M
M
F
VIEW的W-W
1
F
VIEW的W-W
2
F
VIEW的W-W
3
焊接足迹*
8.38
0.33
10.66
0.42
1.016
0.04
5.08
0.20
3.05
0.12
17.02
0.67
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
MBRB1045 ， MBRD1045
首选设备
SWITCHMODEt
肖特基功率整流器
表面贴装功率封装
该系列电源整流器采用肖特基势垒
原则上在一个大的金属与硅功率二极管。国家的最先进的
几何特征的外延建设与氧化和钝化
金属覆盖层接触。非常适合用在低电压，高
高频开关电源，续流二极管和
极性保护二极管。
特点
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
10安培， 45伏
1
4
3
Guardring应力保护
低正向电压
175 ° C工作结温
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
短散热器制造标签
不剪绒！
无铅包可用
1
3
标记图
4
AY WW
MBRB1045G
AKA
机械特性：
案例：环氧树脂，模压，环氧符合UL 94 V- 0
重量：2.7克
2
PAK （约）
0.4克的DPAK （约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
器件符合MSL1要求
ESD额定值：机器型号，C （ >400 V）
人体模型， 3B （ >8000 V）
等级
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
价值
45
单位
V
D
2
PAK
CASE 418B
塑料
A
Y
WW
MBRB1045
G
AKA
=大会地点
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
=二极管极性
最大额定值
4
1 2
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
) T
C
= 135°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫）
T
C
= 135°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结存储
温度范围（注1 ）
标记图
YWW
B10
45G
10
20
A
A
3
DPAK
CASE 369C
Y
WW
B1045
G
I
FSM
150 （ MBRB ）
70 （ MBRD ）
65
到+175
A
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
T
J
, T
英镑
°C
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
变化的电压率（额定V
R
)
dv / dt的
10000
V / ms的
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.产生的热必须小于由热传导率
结至环境： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
， 2010年7月
启示录7
1
出版订单号：
MBRB1045/D
MBRB1045 ， MBRD1045
热特性
特征
热阻，
(MBRB1045)
结到外壳（注2 ）
结到环境（注2 ）
(MBRD1045)
结到外壳（注2 ）
结到环境（注2 ）
2.当使用最小建议焊盘尺寸在FR - 4电路板安装。
符号
R
QJC
R
qJA
R
QJC
R
qJA
价值
1.0
50
2.43
68
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注3 ）
(I
F
= 10安培，T
J
= 125°C)
(I
F
= 20安培，T
J
= 125°C)
(I
F
= 20安培，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注3 ）
（额定直流电压，T
J
= 125°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%
符号
V
F
价值
0.57
0.72
0.84
mA
15
0.1
单位
V
I
R
订购信息
设备
MBRB1045
MBRB1045G
MBRB1045T4
MBRB1045T4G
MBRD1045T4G
包
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
DPAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
800单位/磁带&卷轴
800单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MBRB1045 ， MBRD1045
100
T
J
= 150°C
IR ，反向电流（毫安）
IR ，反向电流（毫安）
10
125°C
100°C
1.0
75°C
0.1
25°C
0.01
0.001
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
R
，反向电压（伏）
10
125°C
1.0
100°C
75°C
0.1
100
150°C
0.01
25°C
0.001
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
R
，反向电压（伏）
图3.最大反向电流
图4.典型的反向电流
200
IFSM ，峰值半波电流（ AMPS ）
1400
1200
100
70
50
C，电容（pF ）
1000
800
600
400
200
0
30
20
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
循环次数在60赫兹
0
10
20
30
40
50
V
R
，反向电压（伏）
图8.最大浪涌能力
PF （ AV ）正向平均功耗（瓦）
图5.典型电容
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
18
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
130
135
140
145
150
155
T
C
，外壳温度（ ° C）
方
WAVE
施加额定电压
dc
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方
WAVE
dc
图6.电流降额，案例，
R
QJC
= 1.0
° C / W
图7.前向功率耗散
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4
MBRB1045 ， MBRD1045
包装尺寸
D
2
PAK 3
CASE 418B -04
ISSUE
C
E
B
4
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 418B -01 THRU 418B -03过时了，
新标准418B -04 。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
V
英寸
民
最大
0.340 0.380
0.380 0.405
0.160 0.190
0.020 0.035
0.045 0.055
0.310 0.350
0.100 BSC
0.080
0.110
0.018 0.025
0.090
0.110
0.052 0.072
0.280 0.320
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
0.575 0.625
0.045 0.055
MILLIMETERS
民
最大
8.64
9.65
9.65 10.29
4.06
4.83
0.51
0.89
1.14
1.40
7.87
8.89
2.54 BSC
2.03
2.79
0.46
0.64
2.29
2.79
1.32
1.83
7.11
8.13
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
14.60 15.88
1.14
1.40
V
W
1
2
3
S
A
T
座位
飞机
K
G
D
3 PL
0.13 (0.005)
H
M
J
W
T B
M
焊接足迹*
10.49
8.38
16.155
3.504
1.016
5.080
沥青
外形尺寸：毫米
2X
2X
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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QQ：2880707522 复制
