膜生物反应器（F ， B） 1035直通MBR （F ， B） 1060
威世通用半导体
肖特基势垒整流器
TO-220AC
ITO-220AC
特点
低功耗，高效率
低正向压降
高正向浪涌能力
??高频工作
2
MBR10xx
销1
销2
2
1
MBRF10xx
销1
1
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AC和
ITO - 220AC封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
例
销2
TO-263AB
K
2
1
MBRB10xx
销1
销2
K
散热器
典型应用
适用于低电压，高频整流用
开关模式电源，续流二极管，
直流 - 直流转换器和极性保护应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AC ， ITO - 220AC ， TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
10 A
35 V至60 V
150 A
0.57 V, 0.70 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
在t重复峰值反向电流
p
= 2.0微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AC只）
从终端到散热片T = 1分
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
T
英镑
V
AC
1.0
10 000
- 65至+ 150
- 65 + 175
1500
MBR1035
35
MBR1045
45
10
150
0.5
MBR1050
50
MBR1060
60
单位
V
A
A
A
V / μs的
°C
°C
V
文档编号： 88669
修订： 07- 08年5月
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1
膜生物反应器（F ， B） 1035直通MBR （F ， B） 1060
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
(1)
测试条件
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 20 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
MBR1035
MBR1045
MBR1050
MBR1060
单位
-
0.57
0.84
0.72
0.10
15
0.80
0.70
0.95
0.85
V
F
V
最大瞬时
反向电流在额定DC
阻断电压
(1)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
I
R
mA
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
结点的最大热阻到外壳
符号
R
θJC
MBR
2.0
MBRF
4.0
MBRB
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
MBR1045-E3/45
MBRF1045-E3/45
MBRB1045-E3/45
MBRB1045-E3/81
MBR1045HE3/45
(1)
MBRF1045HE3/45
(1)
MBRB1045HE3/45
(1)
MBRB1045HE3/81
(1)
单位重量（g ）
1.80
1.94
1.33
1.33
1.80
1.94
1.33
1.33
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
管
管
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
12
负载电阻或电感
175
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
峰值正向浪涌电流（ A）
平均正向电流（ A）
10
150
8
125
6
100
4
75
2
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
0
50
100
150
50
0
25
0.1
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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2
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膜生物反应器（F ， B） 1035直通MBR （F ， B） 1060
威世通用半导体
100
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
T
J
= 150 °C
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
1
T
J
= 25 °C
0.1
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
结电容（pF ）
1000
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
100
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
100
100
10
T
J
= 125 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
100
Instantenous反向电流（mA ）
10
1
T
J
= 75 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
1
0.001
0
20
40
60
80
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的反向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
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3
膜生物反应器（F ， B） 1035直通MBR （F ， B） 1060
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AC
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 （ 3.91 ） DIA 。
0.148 （ 3.74 ） DIA 。
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
例
ITO-220AC
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
针
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
1
2
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
7 ° REF 。
2
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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修订： 07- 08年5月
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日前，Vishay
放弃
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日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
MBRB10..PbF系列
公告PD- 21042转。一个06/06
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
35
45
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
MBRB1035PbF
MBRB1045PbF
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
I
FRM
I
FSM
峰值重复正向
当前
不重复峰值
浪涌电流
值
10
20
1060
单位
A
A
条件
@ T
C
= 135 ° C（额定V
R
)
为V
R
，方波， 20kHz的
T
C
= 135° C
5μs的正弦或为3μs以下任何额定负载条件
化和额定V
RRM
应用的
正确。脉冲
浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60Hz的
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2安培中，L = 4 mH的
在1当前线性衰减到零
微秒
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
A
150
8
2
mJ
A
E
AS
I
AR
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
(1)
I
RM
马克斯。 Instantaneus反向电流
(1)
V
F（ TO）
阈值电压
r
t
C
T
L
S
正向斜率电阻
马克斯。结电容
典型的串联电感
值
0.84
0.57
0.72
0.1
15
0.354
17.6
600
8.0
10000
单位
V
V
V
mA
mA
V
mΩ
条件
@ 20A
@ 10A
@ 20A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
马克斯。
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
额定直流电压
pF
nH
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
从测量终端的顶部安装平面
dv / dt的最大值。变化的电压率
V/
μs
（额定V
R
)
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
值
-65到150
-65 175
2.0
0.50
2 (0.07)
分钟。
马克斯。
6 (5)
12 (10)
单位
°C
°C
条件
R
thJC
马克斯。热阻
结到外壳
R
乡镇卫生院
典型热阻
案件散热器
wt
T
大约重量
安装力矩
打标设备
° C / W DC操作
° C / W安装表面，光滑，润滑
只为TO- 220
克（盎司）。
公斤 - 厘米
（磅力英寸）
案例D型
2
PAK
MBRB10..
2
www.irf.com
MBRB10..PbF系列
公告PD- 21042转。一个06/06
100
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T = 150℃
J
反向电流 - I
R
（MA ）
T = 150℃
J
125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
InstantaneousForward电流 - 我
F
(A)
0.0001
T
J
= 125°C
10
T
J
= 25°C
0
5
10
15 20 25 30 35 40 45
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压
1000
结电容 - C
T
（PF ）
T
J
= 25°C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
100
0
10
20
30
40
50
正向电压下降 - V
FM
(V)
REVERS电压 - V
R
(V)
e
图。 1 - 最大。正向压降特性
10
T
有源冰箱Imped ANCE
thJC
（ ° C / W）
图。 3 - 典型结电容
与反向电压
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
P
DM
0.1
S
英格尔脉冲
(T
有源冰箱电阻）
t1
注意事项：
t2
1.负载因数D = T 1 / T 2
2.峰值中T = P X Z
thJC
+ T
C
J
DM
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T 1，矩形脉冲持续时间（S哔声）
ec
图。 4 - 最大。热抗Z
thJC
特征
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3
MBR10xx ， MBRF10xx & MBRB10xx系列
反向电压为35 60伏
肖特基势垒整流器器
正向电流10.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
为了在低电压，高频率逆变器，续流，
和极性保护应用
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
机械数据
案例： JEDEC TO - 220AC ， ITO - 220AC & TO- 263AB成型
塑体
终端：镀线索，每MIL -STD- 750 ，
方法2026
极性：标示
安装位置：任意
最大10英寸磅：安装扭矩
重量0.08盎司， 2.24克
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB(D
2
PAK ）
贴装焊盘布局TO- 263AB
尺寸以英寸（毫米）
344
最大额定值和电气特性
( T
C
= 25
o
C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流（参见图1 ）
重复峰值正向电流（平方波，为20KHz ）
在T
C
=135
o
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
在t重复峰值反向电流
p
= 2.0
u
S， 1KHz的
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向电压（注4 ）
在我
F
= 10A ，T
C
=25
o
C
在我
F
= 10A ，T
C
=125 C
在我
F
= 20A ，T
C
=25 C
在我
F
= 20A ，T
C
=125 C
最大瞬时
反向电流在额定DC
阻断电压（注4 ）
T
C
=25 C
T
C
=125
o
C
o
o
o
o
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
MBR1035
35
35
35
MBR1045
45
45
45
10
20
150
1.0
MBR1050
50
50
50
MBR1060
60
60
60
单位
伏
伏
伏
安培
安培
安培
0.5
10,000
安培
V/
us
-
V
F
0.57
0.84
0.72
0.10
I
R
15
R
θ
JC
V
ISOL
T
J
T
英镑
0.80
0.70
0.95
0.85
mA
伏
结点的最大热阻到外壳
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
到散热片采用t = 1.0秒，相对湿度< 30 ％
工作结温范围
存储温度范围
注意事项：
MBR 2.0 / MBRF 4.0 / 2.0 MBRB
4500 （注1 ）
3500 （注2）
1500 （注3）
-55到+150
-55到+150
o
C / W
伏
o
C
C
o
1.固定夹（案例），其中铅不与0.110"重叠偏移散热器
2.固定夹（案例），其中导线做重叠散热器
3.螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为< 4.9毫米（ 0.19" ）
4.脉冲测试： 300US脉冲宽度， 1 ％的占空比
345
数据表号PD94142
IRU3007
5位可编程同步降压，非同步的
NOUS ，可调LDO至200mA内置的LDO
特点
描述
提供了核心电压， GTL +单芯片解决方案，
时钟供应& 3.3V切换板上
第二切换提供了简单的控制为
板载3.3V电源
200毫安板上LDO稳压器
专为满足英特尔VRM 8.2和8.3规范
重刑奔腾II
板载DAC方案的输出电压
1.3V至3.5V
线性稳压器控制器板上的1.5V
GTL +电源
无损耗的短路保护
同步操作使效率最大化
专利的架构允许固定频率
操作以及占空比为100％时
动态负载
最少元件数
软启动
大电流图腾柱驱动器直接驱动
外部功率MOSFET
电源良好功能监视所有输出
过电压保护电路保护
转换器的输出，并产生一个故障输出
热关断
该IRU3007控制器IC是专为满足
英特尔规范奔腾II 微处理器AP-
褶皱以及下一代P6系列的
处理器。该IRU3007提供单个芯片控制 -
LER芯片的核心电压， LDO控制器，用于GTL +和
内部200毫安调节器的时钟源这是重
需要准备的奔腾II的应用程序。它还包含一个
切换控制器， 5V转换为3.3V稳压
机上的应用程序，它使用两种类型的AT电源
供应或需要不依赖于ATX电源的
3.3V输出。这些器件具有专利的拓扑结构
在与几个外部元件组合，
在典型的应用电路中所示，将提供在
过量输出电流14A的一个板上的DC / DC
转换器而自动提供正确的输出
通过5位内部DAC电压。该IRU3007也为特色的
Tures的，无损耗电流检测均通过交换机
使用R
DS （ ON）
高侧功率MOSFET作为的
检测电阻，内部电流限制在时钟
供电，一个电源良好窗口比较器切换
其集电极开路输出低电平时，输出中的任何一个
使是一个预编程的窗口之外。等为特色的
该设备的Tures的是：欠压锁定为
5V和12V电源，外部可编程软
启动功能，编程通过振荡器频率
一个外部电阻器，过电压保护（ OVP ）税务局局长
cuitry为切换输出和内部热
关机。
注意：
奔腾II和Pentium Pro的是英特尔公司的商标。
应用
奔腾II处理器的完整电源解决方案
应用
典型用途
5V
SWITCHER2
控制
V
O u那样牛逼
2
SWITCHER1
控制
V
O u那样牛逼
1
IRU3007
V
O u那样牛逼
3
线性
控制
线性
调节器
V
O u那样牛逼
4
图1 - IRU3007的典型应用。
包装订购信息
T
A
(°C)
0到70
2.1版
08/20/02
设备
IRU3007CW
www.irf.com
包
28引脚塑料SOIC WB （ W）
1
IRU3007
绝对最大额定值
V5电源电压............................................... .....
V12电源电压............................................... ...
存储温度范围......................................
工作结温范围.....................
7V
20V
-65 ℃150 ℃的
0 ° C至125°C
包装信息
28引脚宽体塑料SOIC （ W）
顶视图
UGate2
1
Phase2
2
VID4
3
VID3
4
VID2
5
VID1
6
VID0
7
PGOOD
8
OCSet2
9
Fb2
10
V5
11
SS
12
故障/ RT
13
Fb4
14
28
V12
27
UGate1
26
Phase1
25
LGate1
24
保护地
23
OCSet1
22
V
SEN
1
21
Fb1
20
NC
19
Fb3
18
Gate3
17
GND
16
V
OUT
4
15
V
SEN
2
u
JA
=808C/W
电气规格
除非另有说明，这些规格适用于V12 = 12V ， V5 = 5V和T
A
= 0至70℃ 。典型值是指
给T
A
= 25°C 。低占空比脉冲测试用于这使结和外壳温度等于环境
温度。
参数
供应UVLO科
UVLO阈值- 12V
UVLO迟滞- 12V
UVLO阈值-5V
UVLO迟滞-5V
电源电流
工作电源电流
符号
测试条件
供应斜坡向上
供应斜坡向上
民
典型值
10
0.4
4.3
0.3
6
30
最大
单位
V
V
V
V
mA
V12
V5
开关控制器;核心电压（V
OUT
1 ）和I / O （V
OUT
2)
VID组（核心电压仅）
DAC输出电压（注1）
DAC输出线路调整
DAC输出温度的变化
VID输入LO
VID输入Hi
VID输入内部上拉
电阻器V5
V
FB
2电压
振荡器部分（内部）
OSC频率
RT =打开
0.99Vs
Vs
0.1
0.5
1.01Vs
0.8
2
27
2
200
V
%
%
V
V
KV
V
千赫
2
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2.1版
08/20/02
IRU3007
注1 ：
VS是指在表1中给出的设定点电压
D4
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
D3
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
D2
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
D1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
D0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
Vs
1.30
1.35
1.40
1.45
1.50
1.55
1.60
1.65
1.70
1.75
1.80
1.85
1.90
1.95
2.00
2.05
D4
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
D3
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
D2
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
D1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
D0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
Vs
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
表1 - 设置点的电压与VID代码
引脚说明
针＃
1
2
3
引脚符号
UGate2
Phase2
VID4
引脚说明
输出驱动高侧功率MOSFET为I / O供电。
该引脚连接到功率MOSFET的I / O供电，它的源代码
提供负感测的内部电流检测电路。
该引脚选择输出电压范围为DAC的。当在本振状态的范围
是1.3V至2.05V ，当它切换到HI状态范围为2.0V至3.5V 。该引脚
TTL兼容了实现一个逻辑“1”作为任HI或打开。开路时，该引脚为
拉起内部由27KV电阻5V电源。
MSB输入到DAC该程序的输出电压。该引脚为TTL兼容的
实现一个逻辑“1”作为任HI或打开。开路时，该引脚上拉由内部
一个27KV电阻5V电源。
输入到DAC该程序的输出电压。该引脚为TTL兼容的实
用于表征一个逻辑“1”作为任HI或打开。开路时，此引脚拉高内部由一个
27KV电阻5V电源。
输入到DAC该程序的输出电压。该引脚为TTL兼容的实
用于表征一个逻辑“1”作为任HI或打开。开路时，此引脚拉高内部由一个
27KV电阻5V电源。
最低位输入到DAC该程序的输出电压。该引脚为TTL兼容的
实现一个逻辑“1”作为任HI或打开。开路时，该引脚上拉由内部
一个27KV电阻5V电源。
该引脚为集电极开路输出LO开关，当任一输出之外
根据电压跳变点指定。它也变低时， V
SEN
1销大于
10％以上的DAC的电压设置。
该引脚连接到I / O电源的功率MOSFET的漏极和提供
正感测的内部电流检测电路。一个外部电阻器亲
克CS门限取决于在R
DS
的功率MOSFET。外部钙
pacitor被放置在平行的编程电阻，以提供高频噪声
过滤。
4
VID3
5
VID2
6
VID1
7
VID0
8
PGOOD
9
OCSet2
4
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2.1版
08/20/02
IRU3007
针＃
10
引脚符号
Fb2
引脚说明
该引脚提供反馈的非同步开关稳压器。电阻
分频器从这个引脚到V连接
OUT
2和地面设置输出电压。该
从V连接的电阻器的值
OUT
2至FB2必须小于100V 。
5V电源电压。高频电容（ 0.1 1MF ）必须被放置在靠近该
引脚和此引脚与地平面的无噪音运行连接。
该引脚提供了软启动的2个开关稳压器。一个内部电阻费
这是从5V电源连接到该引脚可缓慢了一个外部电容
开关调节器的输出，从而防止输出过冲以及
限制输入电流。软启动盖的第二个功能是提供较长关闭
时间（打嗝）的同步MOSFET中的电流限制。
该引脚具有双重功能。它作为过压保护电路的一个输出，或者它可以被用来
程序中使用一个外部电阻器的频率。当用作一个故障检测器（如果有）的
切换器输出超过OVP触发点，故障引脚切换到12V和
软启动盖被排出。如果故障引脚被连接到外部电路，
它需要被缓冲所示的应用电路。
该引脚提供反馈给内部LDO稳压器，其输出为V
OUT
4.
该引脚被连接到I / O开关调节器的输出。它是一个输入该
提供检测的欠压/过压电路的I / O电源，以及作为
电源的内部LDO稳压器。
该引脚为内部LDO稳压器的输出。
该引脚用作接地引脚，并且必须直接连接到接地平面。
该引脚控制的1.5V GTL +线性稳压器外部晶体管的栅极。
该引脚提供反馈的线性稳压器，其输出驱动器是GATE3 。
无连接。
该引脚提供反馈的同步开关稳压器。通常，这个引脚
可以直接连接到开关调节器的输出。然而，电阻器
分推荐连接此引脚与V
OUT
1与接地调整
输出电压为所引起的引线电阻，在输出电压的任何下降。
的电阻器的电压从V相连的值
OUT
1至Fb1的必须小于100V 。
该引脚内部连接到欠压和过压比较器检测
处理器的核心电压状态。它必须直接连接到处理器的核心电压电源。
该引脚连接到核心供电，它的功率MOSFET的漏极
提供正感测的内部电流检测电路。一个外部电阻
器程序在CS阈值取决于在R
DS
的功率MOSFET。外部
电容器并联放置的编程电阻，以提供高频
噪音过滤功能。
该引脚用作电源地引脚，并且必须直接连接到接地
飞机接近同步MOSFET的源极。高频电容
（通常1MF ）必须从V12引脚连接到这个引脚无噪音运行。
输出驱动器的同步功率MOSFET为核心供电。
该引脚连接到功率MOSFET的源为核心供电，它
提供负感测的内部电流检测电路。
输出驱动高侧功率MOSFET为核心供电。
该引脚被连接到12V电源，并作为电源Vcc管脚的输出
驱动程序。高频电容（典型1MF ）必须被放置在靠近该引脚与
PGND引脚和直接连接此引脚与地平面的无噪音
操作。
11
12
V5
SS
13
故障/ RT
14
15
Fb4
V
SEN
2
16
17
18
19
20
21
V
OUT
4
GND
Gate3
Fb3
NC
Fb1
22
23
V
SEN
1
OCSet1
24
保护地
25
26
27
28
LGate1
Phase1
UGate1
V12
2.1版
08/20/02
www.irf.com
5
MBRB1035 THRU MBRB1060
肖特基整流器器
反向电压
-
35至60伏特
TO-263AB
0.380 (9.65)
0.420 (10.67)
0.245 (6.22)
民
K
0.047 (1.19)
0.055 (1.40)
0.160 (4.06)
0.190 (4.83)
0.045 (1.14)
0.055 (1.40)
正向电流
-
10.0安培
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，
低正向压降
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接按照
CECC 802 /回流焊保证
特点
0.320 (8.13)
0.360 (9.14)
1
K
2
0.575 (14.60)
0.625 (15.88)
座位
板
-T-
0.090 (2.29)
0.110 (2.79)
0.018 (0.46)
0.025 (0.64)
0.027 (0.686)
0.037 (0.940)
0.080 (2.03)
0.110 (2.79)
0.095 (2.41)
0.100 (2.54)
机械数据
案例：
JEDEC TO- 263AB模压塑体
终端：
导致每MIL -STD- 750 ，
方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
重量：
0.08盎司， 2.24克
销1
的K - 散热片
销2
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
MBRB1035
MBRB1045
MBRB1050
MBRB1060
单位
最大重复峰值反向电压
最大工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
（参见图1）
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
（AV）
I
FRM
35
35
35
45
45
45
10.0
20.0
50
50
50
60
60
60
伏
伏
伏
安培
安培
在T重复峰值正向电流
C
=135°C
（方波20 KH
Z)
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流
变化的电压率（额定V
R
)
最大瞬时
在正向电压
（注2 ）
I
F
= 10A ，T
C
=25°C
I
F
= 10A ，T
C
=125°C
I
F
= 20A ，T
C
=25°C
I
F
= 20A ，T
C
=125°C
（注1 ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
-
0.57
0.84
0.72
1.0
150.0
0.5
10,000
0.80
0.70
0.95
0.85
0.10
15.0
2.0
-65到+150
-65到+175
安培
安培
V / μs的
V
F
伏
最大瞬间反向电流在额定
阻断电压DC
T
C
= 25°C
（注2 ）
T
C
=125°C
最大热阻，结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
注意事项：
（1）在2.0μs的脉冲宽度中，f = 1.0的KH
Z
（2 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
I
R
R
θJC
T
J
T
英镑
mA
° C / W
°C
°C
4/98
额定值和特性曲线MBRB1035 THRU MBRB1060
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
175
图。 1 - 正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流，
安培
12
负载电阻或电感
150
125
100
75
50
25
0.1
平均正向电流，
安培
10
8
6
4
2
MBRB1035 - MBRB1045
MBRB1050 & MBRB1060
1
10
100
周期数的AT 60 H
Z
0
0
50
100
150
图。 4 - 典型的反向
特征
外壳温度
20
图。 3 - 典型正向
特征
瞬时反向电流，
毫安
10
MBRB1035 - MBRB1045
MBRB1050 & MBRB1060
50
瞬时正向电流，
安培
T
J
=125°C
1
10
T
J
=125°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
1
T
J
=25°C
0.1
T
J
=75°C
0.1
0.01
MBRB1035 - MBRB1045
MBRB1050 & MBRB1060
T
J
=25°C
0.01
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压，
伏
0.001
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压％
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
100
图。 5 - 典型结电容
4,000
结电容， pF的
瞬态热阻抗，
° C / W
1,000
T
J
=25°C
F = 1.0 MHz的
Vsig=50mVp-p
10.0
MBRB1035 - MBRB1045
MBRB1050 & MBRB1060
1
100
0.1
1
10
100
反向电压，伏
0.1
0.01
0.1
1
t
,
脉冲持续时间，秒。
10
100
MBRB10 ..系列
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 10 A
特点
BASE
阴极
2
150 ° （C T）
J
手术
D
2
PAK封装
低正向压降
??高频工作
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
1
D
2
PAK
N / C
3
阳极
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
设计和合格的Q101级
描述
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
I
RM
10 A
35/45 V
为15 mA 125°C
这肖特基整流器已被优化低反向
泄漏在较高温度下进行。专有的阻隔
向上技术允许可靠运行至150 ℃的结
温度。典型的应用是在开关电源
电源，转换器，续流二极管和逆向
电池保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
I
FRM
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
10 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
T
C
= 135 °C
值
10
20
35/45
1060
0.57
- 65 150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
MBRB1035
35
MBRB1045
45
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
重复峰值正向电流
符号
I
F（ AV ）
I
FRM
测试条件
T
C
= 135 ° C，额定V
R
为V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 135 °C
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
非重复浪涌电流
I
FSM
以下任何额定负载时
和额定V
RRM
应用的
值
10
20
1060
150
8
2
mJ
A
A
单位
浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60赫兹
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2 A，L = 4 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
E
AS
I
AR
文档编号： 93975
修订： 22 - 8 - 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
MBRB10 ..系列
日前，Vishay高功率产品
电气规格
参数
符号
20 A
最大正向电压降
V
调频（1）
10 A
20 A
最大瞬时反向电流
阈值电压
正向斜率电阻
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
V
F（ TO）
r
t
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
最大
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
从测量终端的顶部安装平面
为V
R
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
值
0.84
0.57
0.72
0.1
15
0.354
17.6
600
8.0
10 000
mA
V
mΩ
pF
nH
V / μs的
V
单位
肖特基整流器， 10 A
额定直流电压
热 - 机械特性
参数
最高结温范围
最大存储温度范围
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
案件散热器
大约重量
最低
最大
案例D型
2
PAK
符号
T
J
T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
安装面，光滑，润滑
测试条件
值
- 65 150
- 65 175
2.0
° C / W
0.50
2
0.07
6 (5)
12 (10)
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
单位
°C
安装力矩
打标设备
MBRB1035
MBRB1045
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如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93975
修订： 22 - 8 - 08
MBRB10 ..系列
肖特基整流器， 10 A
日前，Vishay高功率产品
100
100
I
R
- 反向电流（mA ）
10
1
0.1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.01
0.001
0.0001
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
t
1
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
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MBRB10 ..系列
日前，Vishay高功率产品
150
145
肖特基整流器， 10 A
10
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（ W）
8
DC
140
135
130
125
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
6
方波（ D = 0.50 ）
为V
R
应用的
4
DC
2
见注（ 1 ）
120
0
0
3
6
9
12
15
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
(1)
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订购信息表
器件代码
MBR
1
B
2
10
3
45
4
TRL
5
-
6
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
必不可少的部件号
B = D
2
PAK
额定电流（ 10 = 10 A）
电压额定值
无=管（ 50件）
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
无=标准生产
PBF =铅（Pb ） - 免费
35 = 35 V
45 = 45 V
6
-
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