MBRAF360T3G
表面贴装
肖特基功率整流器
本装置采用的肖特基原理在大面积
金属与硅功率二极管。国家的最先进的几何特征
外延建设与氧化物钝化和金属覆盖
接触。非常适用于低电压，高频率的整改，或
续流和极性保护二极管表面贴装
应用紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
特点
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薄型封装为空间受限的应用
矩形包装的自动化处理
高度稳定的氧化钝化结
150 ° C工作结温
保护环应力保护
这些都是无铅和无卤化物设备
肖特基势垒
整流器器
3.0安培
60伏特
机械Charactersistics
案例：环氧树脂，模压，环氧符合UL 94 V- 0
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
SMA -FL
CASE 403AA
类型6
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
阴极极性带
器件符合MSL 1的要求
ESD额定值：机器型号= C
ESD额定值：
人体模型= 3B
标记图
AYWW
RAHG
G
RAH
=具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MBRAF360T3G
包
SMA -FL
（无铅）
航运
5000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
， 2012年7月
第0版
1
出版订单号：
MBRAF360/D
MBRAF360T3G
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫）T
C
= 125°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
存储温度范围
工作结温（注1 ）
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
J
价值
60
单位
V
3.0 @ T
L
= 100°C
4.0 @ T
L
= 80°C
6
125
65 150
65 150
A
A
A
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.生成必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
热特性
特征
热阻，结到铅（注2 ）
热阻，结到环境（注2 ）
2.1英寸的方形焊盘尺寸（ 1 ×0.5英寸为每根引线）上FR4板。
符号
R
qJL
R
qJA
价值
25
90
单位
° C / W
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注3 ）
(i
F
= 3.0 A，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注3 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 100°C)
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
符号
V
F
i
R
价值
0.740
0.15
10
单位
V
mA
10
I
F
，瞬间向前
电流（A ）
T
J
= 150°C
1
T
J
= 175°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
I
F
，瞬间向前
电流（A ）
10
T
J
= 175°C
1
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
=
40°C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.1
T
J
=
40°C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.1
0.01
0.01
V
F
，正向电压（ V）
V
F
，正向电压（ V）
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
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2
MBRAF360T3G
包装尺寸
SMA -FL
CASE 403AA
发行
E
E1
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
D
顶视图
A
暗淡
A
b
c
D
E
E1
L
MILLIMETERS
民
最大
0.90
1.10
1.25
1.65
0.15
0.30
2.40
2.80
4.80
5.40
4.00
4.60
0.70
1.10
c
推荐
焊锡足迹*
SIDE VIEW
C
座位
飞机
1.76
5.56
2X
b
1.30
2X
L
外形尺寸：毫米
底部视图
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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