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MBRA210LT3

表面贴装

肖特基功率整流器

SMA功率表面贴装封装

该器件采用肖特基原则在

金属与硅功率整流器。特点外延与建设

氧化物钝化和金属覆盖层接触。适用于低

电压，高频开关电源;续流

二极管和极性保护二极管。典型的应用是

AC-DC和DC-DC变换器，反向电池保护，并

的多个电源电压“或门”和任何其他应用程序，其中

性能和尺寸是至关重要的。

特点

http://onsemi.com

肖特基势垒

整流器器

2安培

10伏

超低V

第一个在市场上有10 V

肖特基整流器器

紧凑的封装与J-弯信息的理想选择自动处理

高度稳定的氧化钝化结

Guardring过电压保护

优化的低正向电压

无铅包装是否可用

SMA

CASE 403D

塑料

机械特性：

案例：模压环氧树脂

环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125

体重：70毫克（大约）

表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端

信息很容易焊

铅和安装表面焊接温度的目的：

260 ° C最大。为10秒

极性：极性频带表示阴极引线

ESD额定值：机器型号= C

人体模型= 3A

标记图

B2L1

AYWW

B2L1

=具体设备守则

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

订购信息

设备

MBRA210LT3

MBRA210LT3G

包

SMA

（无铅）

航运

5000 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年9月 - 第4版

出版订单号：

MBRA210LT3/D

MBRA210LT3

最大额定值

等级

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

阻断电压DC

平均正向电流整流

（额定V

, T

= 110°C)

非重复性峰值浪涌电流

（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）

存储/工作温度

工作结温

变化的电压率

（额定V

, T

= 25°C)

符号

RRM

RWM

FSM

英镑

, T

dv / dt的

价值

单位

2.0

160

-55到+125

10,000

°C

V / ms的

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限

值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，

可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。

热特性

特征

热阻，结到铅

热阻，结到环境

符号

qJL

qJA

闵垫

150

1英寸的垫

单位

° C / W

电气特性

最大正向电压（注1 ）

= 0.1 A)

= 1.0 A)

= 2.0 A)

最大瞬时反向电流

= 5.0 V)

= 10 V)

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

250

女士，

占空比

≤

2%.

= 25°C

0.260

0.325

0.350

= 25°C

0.25

0.70

= 100°C

0.15

0.23

0.26

= 100°C

100

，瞬间向前

电流（安培）

100

，最大瞬时

正向电流（ AMPS ）

@ 125°C

75°C

25°C

100°C

@ 125°C

100°C

75°C

25°C

0.1

0.05 0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

0.45

，正向电压（伏）

0.1

0.05

0.15

0.25

0.35

0.45

0.55

，最大正向

电压（伏）

图1.典型正向电压

图2.最大正向电压

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MBRA210LT3

1.0E01

，反向电流（ AMPS ）

@ 125°C

1.0E02

100°C

75°C

1.0E03

1.0E04

25°C

1.0E05

，反向电压（伏）

图3.典型的反向电流

，平均功耗（瓦）

3.5

，平均正向

电流（安培）

2.5

1.5

0.5

100

105

110

115

120

125

130

方波

额定电压

应用的

qJL

= 22

° C / W

= 125°C

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.5

1.5

2.5

3.5

方波

= 125°C

，焊接温度（ ° C）

F（ AV ）

，平均正向电流（安培）

图4.电流降额 - 结到铅

图5.前向功率耗散

10,000

25°C

F = 1 MHz的

C，电容（pF ）

1000

100

，反向电压（伏）

图6.典型电容

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MBRA210LT3

(t)

，瞬态热阻（ ° C / W）

100

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.1

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，时间（S ）

100

1000

图7.热响应，结到环境（分片）

(t)

，瞬态热阻（ ° C / W）

100

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.1

单脉冲

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，时间（S ）

100

1000

图8.热响应，结到环境（ 1英寸垫）

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MBRA210LT3

包装尺寸

SMA

CASE 403D -02

版本C

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3. 403D -01已过时，新标准是403D -02 。

暗淡

民

1.91

0.05

1.27

0.15

2.29

4.06

4.83

0.76

MILLIMETERS

喃

最大

2.16

2.41

0.10

0.15

1.45

1.63

0.28

0.41

2.60

2.92

4.32

4.57

5.21

5.59

1.14

1.52

民

0.075

0.002

0.050

0.006

0.090

0.160

0.190

0.030

英寸

喃

0.085

0.004

0.057

0.011

0.103

0.170

0.205

0.045

最大

0.095

0.006

0.064

0.016

0.115

0.180

0.220

0.060

极性检测指示灯

根据系统需要可选

（见样式）

风格1 ：

PIN 1阴极（极性带）

2.阳极

焊接足迹*

4.0

0.157

2.0

0.0787

2.0

0.0787

尺度8:1

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

安森美半导体

和

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