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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2003页 > MBRA210LT3
MBRA210LT3
表面贴装
肖特基功率整流器
SMA功率表面贴装封装
该器件采用肖特基原则在
金属与硅功率整流器。特点外延与建设
氧化物钝化和金属覆盖层接触。适用于低
电压，高频开关电源;续流
二极管和极性保护二极管。典型的应用是
AC-DC和DC-DC变换器，反向电池保护，并
的多个电源电压“或门”和任何其他应用程序，其中
性能和尺寸是至关重要的。
特点
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
2安培
10伏
超低V
F
第一个在市场上有10 V
R
肖特基整流器器
紧凑的封装与J-弯信息的理想选择自动处理
高度稳定的氧化钝化结
Guardring过电压保护
优化的低正向电压
无铅包装是否可用
SMA
CASE 403D
塑料
机械特性：
案例：模压环氧树脂
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
体重：70毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：极性频带表示阴极引线
ESD额定值：机器型号= C
人体模型= 3A
标记图
B2L1
AYWW
G
B2L1
A
Y
WW
G
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
MBRA210LT3
MBRA210LT3G
包
SMA
SMA
（无铅）
航运
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年9月 - 第4版
出版订单号：
MBRA210LT3/D
MBRA210LT3
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
L
= 110°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
存储/工作温度
工作结温
变化的电压率
（额定V
R
, T
J
= 25°C)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FSM
T
英镑
, T
C
T
J
dv / dt的
价值
10
单位
V
2.0
160
-55到+125
10,000
A
A
°C
V / ms的
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
特征
热阻，结到铅
热阻，结到环境
符号
R
qJL
R
qJA
闵垫
22
150
1英寸的垫
15
81
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(I
F
= 0.1 A)
(I
F
= 1.0 A)
(I
F
= 2.0 A)
最大瞬时反向电流
(V
R
= 5.0 V)
(V
R
= 10 V)
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
女士，
占空比
≤
2%.
I
R
V
F
T
J
= 25°C
0.260
0.325
0.350
T
J
= 25°C
0.25
0.70
T
J
= 100°C
0.15
0.23
0.26
T
J
= 100°C
40
60
mA
V
100
I
F
，瞬间向前
电流（安培）
100
I
F
，最大瞬时
正向电流（ AMPS ）
V
F
@ 125°C
10
75°C
1
25°C
100°C
V
F
@ 125°C
10
100°C
75°C
1
25°C
0.1
0.05 0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
V
F
，正向电压（伏）
0.1
0.05
0.15
0.25
0.35
0.45
0.55
V
F
，最大正向
电压（伏）
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
http://onsemi.com
2
MBRA210LT3
1.0E01
I
R
，反向电流（ AMPS ）
I
R
@ 125°C
1.0E02
100°C
75°C
1.0E03
1.0E04
25°C
1.0E05
0
2
4
6
8
10
V
R
，反向电压（伏）
图3.典型的反向电流
P
FO
，平均功耗（瓦）
3.5
dc
I
F
，平均正向
电流（安培）
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
90
95
100
105
110
115
120
125
130
方波
额定电压
应用的
R
qJL
= 22
° C / W
T
J
= 125°C
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
方波
T
J
= 125°C
dc
T
L
，焊接温度（ ° C）
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图4.电流降额 - 结到铅
图5.前向功率耗散
10,000
25°C
F = 1 MHz的
C，电容（pF ）
1000
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
R
，反向电压（伏）
图6.典型电容
http://onsemi.com
3
MBRA210LT3
R
(t)
，瞬态热阻（ ° C / W）
100
D = 0.5
0.2
0.1
10
0.05
0.02
0.01
1
单脉冲
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1
10
100
1000
图7.热响应，结到环境（分片）
R
(t)
，瞬态热阻（ ° C / W）
100
D = 0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
1
0.01
0.1
单脉冲
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1
10
100
1000
图8.热响应，结到环境（ 1英寸垫）
http://onsemi.com
4
MBRA210LT3
包装尺寸
SMA
CASE 403D -02
版本C
H
E
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 403D -01已过时，新标准是403D -02 。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
民
1.91
0.05
1.27
0.15
2.29
4.06
4.83
0.76
MILLIMETERS
喃
最大
2.16
2.41
0.10
0.15
1.45
1.63
0.28
0.41
2.60
2.92
4.32
4.57
5.21
5.59
1.14
1.52
民
0.075
0.002
0.050
0.006
0.090
0.160
0.190
0.030
英寸
喃
0.085
0.004
0.057
0.011
0.103
0.170
0.205
0.045
最大
0.095
0.006
0.064
0.016
0.115
0.180
0.220
0.060
b
D
极性检测指示灯
根据系统需要可选
（见样式）
风格1 ：
PIN 1阴极（极性带）
2.阳极
A
L
c
A1
焊接足迹*
4.0
0.157
2.0
0.0787
2.0
0.0787
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
81357733850
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
5
MBRA210LT3/D
MBRA210LT3
表面贴装
肖特基功率整流器
SMA功率表面贴装封装
。 。 。采用肖特基原理在金属 - 硅
功率整流器。特点外延建设与氧化物钝化
和金属覆盖层接触。非常适用于低电压，高
高频开关电源;续流二极管和
极性保护二极管。典型的应用是交流/直流和直流 - 直流
转换器，电池反接保护，以及多电源的“ O型圈”
电压和任何其它应用中的性能和尺寸都
关键的。
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
2安培
10伏
超低V
F
第一个在市场上有10 V
R
肖特基整流器器
紧凑的封装与J-弯信息的理想选择自动处理
高度稳定的氧化钝化结
Guardring过电压保护
优化的低正向电压
案例：模压环氧树脂
环氧会见UL94 ，V
O
1/8 “
体重：70毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：极性频带表示阴极引线
ESD额定值：机器型号= C
ESD额定值：
人体模型= 3A
采用12毫米磁带， 5000单位每13英寸卷轴
标记： B2L1
记号
图
机械特性：
SMA
CASE 403D
塑料
B2L1
B2L1 =器件代码
订购信息
设备
MBRA210LT3
包
SMA
航运
5000 /磁带&卷轴
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
L
= 110°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
存储/工作温度
工作结温
变化的电压率
（额定V
R
, T
J
= 25°C)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FSM
价值
10
单位
V
2.0
160
A
A
T
英镑
, T
C
T
J
dv / dt的
-55
+125
10,000
°C
V / ms的
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年12月 - 第3版
出版订单号：
MBRA210LT3/D
MBRA210LT3
热特性
特征
热电阻 - 结到铅
热电阻 - 结到环境
符号
R
θJL
R
θJA
闵垫
22
150
1英寸的垫
15
81
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(I
F
= 0.1 A)
(I
F
= 1.0 A)
(I
F
= 2.0 A)
最大瞬时反向电流
(V
R
= 5.0 V)
(V
R
= 10 V)
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
s,
占空比
≤
2%.
100
I
F
，瞬间向前
电流（安培）
100
I
F
，最大瞬时
正向电流（ AMPS ）
I
R
V
F
T
J
= 25°C
0.260
0.325
0.350
T
J
= 25°C
0.25
0.70
T
J
= 100°C
0.15
0.23
0.26
T
J
= 100°C
40
60
mA
V
V
F
@ 125°C
25°C
100°C
75°C
1
V
F
@ 125°C
10
100°C
75°C
1
25°C
10
0.1
0.05 0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
V
F
，正向电压（伏）
0.1
0.05
0.15
0.25
0.35
0.45
0.55
V
F
，最大正向
电压（伏）
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
1.0E-01
I
R
，反向电流（ AMPS ）
I
R
@ 125°C
1.0E-02
100°C
75°C
1.0E-03
1.0E-04
25°C
1.0E-05
0
2
4
6
8
10
V
R
，反向电压（伏）
图3.典型的反向电流
http://onsemi.com
2
MBRA210LT3
P
FO
，平均功耗（瓦）
3.5
dc
I
F
，平均正向
电流（安培）
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
90
95
100
105
110
115
120
125
130
方波
额定电压
应用的
R
qJL
= 22
° C / W
T
J
= 125°C
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
方波
T
J
= 125°C
dc
T
L
，焊接温度（ ° C）
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图4.电流降额 - 结到铅
图5.前向功率耗散
10,000
25°C
F = 1 MHz的
C，电容（pF ）
1000
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
R
，反向电压（伏）
图6.典型电容
R
(t)
，瞬态热阻（ ° C / W）
100
D = 0.5
0.2
0.1
10
0.05
0.02
0.01
1
单脉冲
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1
10
100
1000
图7.热响应，结到环境（分片）
http://onsemi.com
3
MBRA210LT3
R
(t)
，瞬态热阻（ ° C / W）
100
D = 0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
1
0.01
0.1
单脉冲
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1
10
100
1000
图8.热响应，结到环境（ 1英寸垫）
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4
MBRA210LT3
包装尺寸
SMA
CASE 403D -02
发出
S
A
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 403D -01已过时，新标准
403D02.
暗淡
A
B
C
D
H
J
K
S
英寸
民
最大
0.160
0.180
0.090
0.115
0.075
0.095
0.050
0.064
0.002
0.006
0.006
0.016
0.030
0.060
0.190
0.220
MILLIMETERS
民
最大
4.06
4.57
2.29
2.92
1.91
2.41
1.27
1.63
0.05
0.15
0.15
0.41
0.76
1.52
4.83
5.59
D
B
极性检测指示灯可选
根据需要
C
K
J
H
0.157
4.0
0.0787
2.0
0.0787
2.0
英寸
mm
SMA足迹
http://onsemi.com
5
MBRA210LT3
表面贴装
肖特基功率整流器
SMA功率表面贴装封装
。 。 。采用肖特基原理在金属 - 硅
功率整流器。特点外延建设与氧化物钝化
和金属覆盖层接触。非常适用于低电压，高
高频开关电源;续流二极管和
极性保护二极管。典型的应用是交流/直流和直流 - 直流
转换器，电池反接保护，以及多电源的“ O型圈”
电压和任何其它应用中的性能和尺寸都
关键的。
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
2安培
10伏
超低V
F
第一个在市场上有10 V
R
肖特基整流器器
紧凑的封装与J-弯信息的理想选择自动处理
高度稳定的氧化钝化结
Guardring过电压保护
优化的低正向电压
案例：模压环氧树脂
环氧会见UL94 ，V
O
1/8 “
体重：70毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：极性频带表示阴极引线
ESD额定值：机器型号= C
ESD额定值：
人体模型= 3A
采用12毫米磁带， 5000单位每13英寸卷轴
标记： B2L1
记号
图
机械特性：
SMA
CASE 403D
塑料
B2L1
B2L1 =器件代码
订购信息
设备
MBRA210LT3
包
SMA
航运
5000 /磁带&卷轴
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
L
= 110°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
存储/工作温度
工作结温
变化的电压率
（额定V
R
, T
J
= 25°C)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FSM
价值
10
单位
V
2.0
160
A
A
T
英镑
, T
C
T
J
dv / dt的
-55
+125
10,000
°C
V / ms的
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年12月 - 第3版
出版订单号：
MBRA210LT3/D
MBRA210LT3
热特性
特征
热电阻 - 结到铅
热电阻 - 结到环境
符号
R
θJL
R
θJA
闵垫
22
150
1英寸的垫
15
81
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(I
F
= 0.1 A)
(I
F
= 1.0 A)
(I
F
= 2.0 A)
最大瞬时反向电流
(V
R
= 5.0 V)
(V
R
= 10 V)
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
s,
占空比
≤
2%.
100
I
F
，瞬间向前
电流（安培）
100
I
F
，最大瞬时
正向电流（ AMPS ）
I
R
V
F
T
J
= 25°C
0.260
0.325
0.350
T
J
= 25°C
0.25
0.70
T
J
= 100°C
0.15
0.23
0.26
T
J
= 100°C
40
60
mA
V
V
F
@ 125°C
25°C
100°C
75°C
1
V
F
@ 125°C
10
100°C
75°C
1
25°C
10
0.1
0.05 0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
V
F
，正向电压（伏）
0.1
0.05
0.15
0.25
0.35
0.45
0.55
V
F
，最大正向
电压（伏）
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
1.0E-01
I
R
，反向电流（ AMPS ）
I
R
@ 125°C
1.0E-02
100°C
75°C
1.0E-03
1.0E-04
25°C
1.0E-05
0
2
4
6
8
10
V
R
，反向电压（伏）
图3.典型的反向电流
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2
MBRA210LT3
P
FO
，平均功耗（瓦）
3.5
dc
I
F
，平均正向
电流（安培）
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
90
95
100
105
110
115
120
125
130
方波
额定电压
应用的
R
qJL
= 22
° C / W
T
J
= 125°C
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
方波
T
J
= 125°C
dc
T
L
，焊接温度（ ° C）
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图4.电流降额 - 结到铅
图5.前向功率耗散
10,000
25°C
F = 1 MHz的
C，电容（pF ）
1000
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
R
，反向电压（伏）
图6.典型电容
R
(t)
，瞬态热阻（ ° C / W）
100
D = 0.5
0.2
0.1
10
0.05
0.02
0.01
1
单脉冲
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1
10
100
1000
图7.热响应，结到环境（分片）
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3
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R
(t)
，瞬态热阻（ ° C / W）
100
D = 0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
1
0.01
0.1
单脉冲
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1
10
100
1000
图8.热响应，结到环境（ 1英寸垫）
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4
MBRA210LT3
包装尺寸
SMA
CASE 403D -02
发出
S
A
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 403D -01已过时，新标准
403D02.
暗淡
A
B
C
D
H
J
K
S
英寸
民
最大
0.160
0.180
0.090
0.115
0.075
0.095
0.050
0.064
0.002
0.006
0.006
0.016
0.030
0.060
0.190
0.220
MILLIMETERS
民
最大
4.06
4.57
2.29
2.92
1.91
2.41
1.27
1.63
0.05
0.15
0.15
0.41
0.76
1.52
4.83
5.59
D
B
极性检测指示灯可选
根据需要
C
K
J
H
0.157
4.0
0.0787
2.0
0.0787
2.0
英寸
mm
SMA足迹
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