【MBRA1H100T3G表面贴装肖特基功率整流器SMA功率表面贴装封装采用肖特基原理在大面积金属与硅】,IC型号MBRA1H100T3G,MBRA1H100T3G PDF资料,MBRA1H100T3G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MBRA1H100T3G

表面贴装

肖特基功率整流器

SMA功率表面贴装封装

采用肖特基原理在大面积

金属与硅功率二极管。艺术的几何特征状态

外延建设与氧化物钝化和金属覆盖

接触。非常适用于低电压，高频率的整改，或

续流和极性二极管表面贴装应用

其中，紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。

特点

http://onsemi.com

肖特基势垒

整流器器

1.0安培， 100伏特

阴极

阳极

小型紧凑型表面贴装封装，带J-特信息

矩形包装的自动化处理

高度稳定的氧化钝化结

低正向压降

Guardring应力保护

这是一个Pb - Free设备

记号

图表

SMA

CASE 403D

塑料

A110

AYWWG

机械特性：

案例：环氧树脂，模压

体重：70毫克（大约）

表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端

信息很容易焊

铅和安装表面焊接温度的目的：

260 ° C最大。为10秒

运12毫米磁带， 5000个单位13英寸卷轴

极性：负极铅带极性指示

ESD额定值：机器型号= C

ESD额定值：

人体模型= 3B

器件符合MSL 1的要求

A110

=器件代码

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

订购信息

设备

MBRA1H100T3G

包

SMA

（无铅）

航运

5000 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2009年

2009年5月

第1版

出版订单号：

MBRA1H100/D

MBRA1H100T3G

最大额定值

等级

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

阻断电压DC

平均正向电流整流

= 167°C)

非重复性峰值浪涌电流

（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）

存储和工作结温范围（注1 ）

符号

RRM

RWM

FSM

英镑

, T

价值

100

单位

1.0

到+175

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作

推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响

器件的可靠性。

1.产生的热必须小于由热传导率

结至环境： DP

/ DT

< 1 / R

qJA

热特性

特征

热阻，结到铅（注2 ）

热阻，结到环境（注2 ）

热阻，结到环境（注3 ）

符号

JCL

qJA

价值

280

单位

° C / W

电气特性

特征

最大正向电压（注4 ）

= 1.0 A，T

= 25°C)

= 2.0 A，T

= 25°C)

= 1.0 A，T

= 125°C)

= 2.0 A，T

= 125°C)

最大瞬时反向电流（注4 ）

（额定直流电压，T

= 25°C)

（额定直流电压，T

= 125°C)

2.安装有700毫米

铜焊盘尺寸（约1

） 1盎司FR4板。

3.安装与焊盘尺寸约6mm

铜， 1盎司FR4板。

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

380

女士，

占空比

≤

2.0%.

符号

价值

0.76

0.84

0.61

0.68

0.5

单位

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MBRA1H100T3G

典型特征

100

，正向电流（ A）

150°C 125°C 25°C

，正向电流（ A）

100

150°C 125°C

25°C

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

，正向电压（ V）

图1.典型正向电压

图2.最大正向电压

，反向电流（毫安）

0.1

0.01

0.001

0.0001

25°C

150°C

0.1

0.01

25°C

0.001

150°C

125°C

0.0001

0.00001

100

0.00001

90 100

，反向电压（V）的

图3.典型的反向电流

图4.最大反向电流

F（ AV ）

，平均正向电流（ A）

1.5

方波

1.0

qJL

= 14 ° C / W

，平均功耗（ W）

2.0

1.0

= 175°C

0.8

0.6

0.4

0.2

方波

0.5

135

140

145

150

155

160

165

170

175

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

，焊接温度（ ° C）

，平均正向电流（ A）

图5.电流降额

图6.前向功率耗散

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MBRA1H100T3G

典型特征

140

120

C，电容（pF ）

100

= 25°C

，反向电压（V）的

图7.电容

1000

50 ％（占空比）

100

R（ T）（ C / W ）

20%

10%

5.0%

2.0%

1.0%

1.0

0.1

单脉冲

0.01

0.000001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

脉冲时间（ S）

0.1

1.0

100

1000

图8.热响应，结到环境（6毫米

垫）

100

50 ％（占空比）

20%

10%

5.0%

2.0%

1.0

1.0%

0.1

单脉冲

0.01

0.000001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

脉冲时间（ S）

0.1

1.0

100

1000

R（ T）（ C / W ）

图9.热响应，结到环境（ 1

垫）

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MBRA1H100T3G

包装尺寸

SMA

CASE 403D -02

版本C

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3. 403D -01已过时，新标准是403D -02 。

暗淡

民

1.91

0.05

1.27

0.15

2.29

4.06

4.83

0.76

MILLIMETERS

喃

最大

2.16

2.41

0.10

0.15

1.45

1.63

0.28

0.41

2.60

2.92

4.32

4.57

5.21

5.59

1.14

1.52

民

0.075

0.002

0.050

0.006

0.090

0.160

0.190

0.030

英寸

喃

0.085

0.004

0.057

0.011

0.103

0.170

0.205

0.045

最大

0.095

0.006

0.064

0.016

0.115

0.180

0.220

0.060

极性检测指示灯

根据系统需要可选

（见样式）

焊接足迹*

4.0

0.157

2.0

0.0787

2.0

0.0787

尺度8:1

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

安森美半导体

和

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