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台塑MS
MBRA120T3通MBRA1100T3
芯片肖特基势垒二极管
硅外延平面型
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V -O利用火焰
阻燃环氧树脂M
掩门复合。
对于表面安装应用程序。
超过MIL -S - 19500 /环境标准
228
低漏电流。
SMA -L
0.205(5.2)
0.189(4.8)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.110(2.8)
0.094(2.4)
0.181(4.6)
0.165(4.2)
0.075(1.9)
0.067(1.7)
0.040 ( 1.0 )典型值。
0.040 ( 1.0 )典型值。
机械数据
案例:模压塑料, JEDEC DO- 214AC
码头:焊接镀,每MIL -STD- 750 ,
方法2026
极性:用C athode带指示
安装P
osition :任何
重量: 0.0015盎司, 0.05克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
(在T
A
=25
o
C除非另有说明)
参数
正向整流电流
正向浪涌电流
见图1
8.3ms单半正弦波叠加
率负荷( JEDEC梭)
V
R
= V
RRM
T
A
=
25
o
C
o
条件
符号
I
O
I
FSM
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
30
0.5
10
单位
A
A
mA
mA
o
反向电流
热阻
二极管的结电容
储存温度
I
R
Rq
JA
C
J
T
英镑
-55
88
120
V
R
= V
RRM
T
A
= 125 C
结到环境
F = 1MHz至4VDC施加反向电压
C / W
pF
+150
o
C
符号
记号
CODE
SS12
SS13
SS14
SS15
SS16
SS18
S110
V
RRM
*1
V
RMS
*2
V
R
*3
V
F
*4
操作
温度
(
o
C)
(V)
MBRA120T3
MBRA130T3
MBRA140T3
MBRA150T3
MBRA160T3
MBRA180T3
MBRA1100T3
20
30
40
50
60
80
100
(V)
14
21
28
35
42
56
70
(V)
20
30
40
50
60
80
100
(V)
0.50
-55到+125
* 1重复峰值反向电压
0.70
-55到+150
0.85
* 2 RMS电压
* 3连续反向电压
* 4最大正向电压
额定值和特性曲线( MBRA120T3通MBRA1100T3 )
图1 - 典型正向电流降额曲线
平均正向电流( A)
图2 ,典型正向
特征
1.2
1.0
50
瞬时正向电流( A)
14
0
0.8
RA
MB
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
10
3.0
1.0
M
BR
A1
50
~M
BR
A1
60
M
BR
A1
20
~M
BR
A
环境温度( C)
图3 -最大非重复正向
浪涌电流
30
R
MB
100
2
A1
R
MB
0~
15
R
MB
0~
10
A1
0
0
4
A1
120
140
160
180
200
BR
M
8
A1
0
10
A1
BR
~M
0
TJ = 25℃
脉宽300US
1 %占空比
0.1
峰值正向浪涌电流( A)
24
.01
.1
.3
.5
.7
.9
1.1
1.3
1.5
18
TJ = 25℃
8.3ms单半
正弦波
JEDEC的方法
FORWARD VOLT
年龄, ( V)
12
6
图5 - 典型的反向
0
1
5
10
50
100
特征
100
循环次数在60Hz
图4 - 典型结电容
350
300
250
200
150
100
50
0
结电容(PF )
反向漏电流(毫安)
10
1.0
TJ = 75℃
.1
TJ = 25℃
.01
.05
.1
.5
1
5
10
50
100
.01
0
20
40
60
80
100 120 140
反向电压, (V)的
百分之额定峰值反向电压( % )
MBRA120T3通MBRA1100T3
芯片肖特基势垒二极管
20V- 100V 1.0A
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V -O利用火焰
阻燃环氧模塑料。
对于表面安装应用程序。
超过MIL -S - 19500 /环境标准
228
低漏电流。
机械数据
案例:模压塑料, JEDEC DO- 214AC
码头:焊接镀,每MIL -STD- 750 ,
方法2026
极性:用C athode带指示
安装位置:任意
重量: 0.0015盎司, 0.05克
最大额定值和电气特性
最大额定值
(在T
A
=25
o
C除非另有说明)
参数
正向整流电流
正向浪涌电流
见图1
8.3ms单半正弦波叠加
率负荷( JEDEC梭)
V
R
= V
RRM
T
A
=
25
o
C
条件
符号
I
O
I
FSM
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
30
0.5
10
Rq
JA
C
J
T
英镑
-55
88
120
+150
o
单位
A
A
mA
mA
C / W
pF
o
反向电流
热阻
二极管的结电容
储存温度
V
R
= V
RRM
T
A
= 125
o
C
结到环境
F = 1MHz至4VDC施加反向电压
I
R
C
符号
记号
CODE
SS12
SS13
SS14
SS15
SS16
SS18
S110
V
RRM
*1
V
RMS
*2
V
R
*3
V
F
*4
操作
温度
(
o
C)
(V)
MBRA120T3
MBRA130T3
MBRA140T3
MBRA150T3
MBRA160T3
MBRA180T3
MBRA1100T3
20
30
40
50
60
80
100
(V)
14
21
28
35
42
56
70
(V)
20
30
40
50
60
80
100
(V)
0.50
-55到+125
* 1重复峰值反向电压
0.70
-55到+150
0.85
* 2 RMS电压
* 3连续反向电压
* 4最大正向电压
电子信箱: sales@taychipst.com
1 2
网站: www.taychipst.com
MBRA120T3通MBRA1100T3
芯片肖特基势垒二极管
20V- 100V 1.0A
收视率和特性曲线
图1 - 典型正向电流降额曲线
平均正向电流( A)
MBRA120T3通MBRA1100T3
图2 ,典型正向
特征
1.2
1.0
50
瞬时正向电流( A)
14
0
0.8
RA
MB
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
10
3.0
1.0
M
BR
A1
50
~M
BR
A1
60
M
BR
A1
20
~M
BR
A
环境温度( C)
图3 -最大非重复正向
浪涌电流
30
R
MB
100
A1
20
15
R
MB
0~
10
A1
0
4
A1
BR
~M
120
140
160
180
200
BR
M
8
A1
B
M
0~
0
11
RA
0
0
TJ = 25℃
脉宽300US
1 %占空比
0.1
峰值正向浪涌电流( A)
24
.01
.1
.3
.5
.7
.9
1.1
1.3
1.5
18
TJ = 25℃
8.3ms单半
正弦波
JEDEC的方法
FORWARD VOLT
年龄, ( V)
12
6
图5 - 典型的反向
0
1
5
10
50
100
特征
100
循环次数在60Hz
图4 - 典型结电容
350
300
250
200
150
100
50
0
结电容(PF )
反向漏电流(毫安)
10
1.0
TJ = 75℃
.1
TJ = 25℃
.01
.05
.1
.5
1
5
10
50
100
.01
0
20
40
60
80
100 120 140
反向电压, (V)的
百分之额定峰值反向电压( % )
电子信箱: sales@taychipst.com
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网站: www.taychipst.com
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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