MBR830通MBR8100
肖特基势垒整流器器
反向电压
- 30
to
100Volts
正向电流
- 8.0
安培
TO-220AC
.108
(2.75)
.413(10.5)
.374(9.5)
.153(3.9)
.146(3.7)
.187(4.7)
.148(3.8)
.055(1.4)
.047(1.2)
特点
●
硅整流器的金属，多数载流子传导
●
保护环的瞬态保护
●
低功耗，高效率
●
高电流能力，低VF
●
高浪涌能力
●
塑料包装已UL可燃性
.270(6.9)
.230(5.8)
.610(15.5)
.583(14.8)
0.04 MAX
(1.0)
分类科幻阳离子94V- 0
●
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
机械数据
●
案例： TO- 220AC模压塑料
●
极性：标明阀体上
.051
(1.3)
.043(1.1)
.032(0.8)
.102(2.6)
.091(2.3)
.157 .583(14.8)
(4.0) .531(13.5)
·重量：
0.08盎司， 2.24克
●
安装位置：任意
.024(0.6)
.012(0.3)
.126
(3.2)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
评分在25℃环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流（参见图1 ）
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
超级强加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值正向电压（注1）
IF = 8A @ TJ = 25 ℃
IF = 8A @ TJ = 125 ℃
IF = 16A @T
J
=25℃
反向电流最大DC
额定直流藕合电压
@T
J
=25℃
@T
J
=125℃
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
MBR830
30
21
30
MBR840
40
28
40
MBR850
50
35
50
MBR860
60
42
60
8.0
MBR880
80
56
80
MBR8100
100
70
100
单位
V
V
V
A
I
FSM
0.70
V
F
0.57
0.84
I
R
C
J
R
θJC
T
J
T
英镑
0.1
15
250
3.0
150
0.80
0.70
0.95
0.85
0.75
0.95
0.1
10
280
2.0
-55到+150
-55到+175
A
V
mA
pF
℃/W
℃
℃
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
注意： 1.300us脉冲宽度， 2 ％的占空比。
2.Measured 1.0 MH
Z
和应用4.0V DC反向电压。
3.Thermal电阻结点到外壳。
~ 228 ~
MBR840~MBR8200
肖特基势垒整流器器
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O利用
阻燃环氧模塑料。
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
低功耗，高效率。
低forwrd voltge ，高电流能力
高浪涌能力。
适用于低电压，高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
.058(1.47)
.042(1.07)
40至200伏特
当前
8安培
初步
MECHANICALDATA
案例： TO- 220AC封装胶
终端：每MIL -STD- 750方法2026无铅焊
极性：作为标记。
安装位置：任意
重量： 0.0655盎司， 1.859克。
最大额定值
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward （S EE F IG UR 1 ）
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北： 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE -
WA已经s提高erimposedonratedload （ JEDEC浩会见四）
米喜米庵F R W A R D V L T A G E A T 8 。 0
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
J
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G （E T）
J
= 1 0 0
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究（E S）我S T A N权证
操作摄像 unctionand S torage特mperature 法兰
S YM B○升
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ A V ）
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J·C
T
J
, T
s TG
MB R8 4 0
MB R8 4 5 MB R8 5 0 MB R8 6 0 MB R8 8 0 MB R8 9 0 MB R8 1 0 0 MB R8 1 5 0 MB R8 2 0 0
加利它s
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
8
150
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7 0
0 .7 5
0 .0 5
20
3
0 .8 0
0.90
V
mA
O
C / W
O
-5 5 1 5 0
-6 5 1 5 7
C
注：两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-APR.30.2009
PAGE 。 1
MBR850通MBR860
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AC
A
C（ TAB ）
A
C
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.580
0.560 0.650
0.380 0.420
0.139 0.161
2.300 0.420
0.100 0.135
0.045 0.070
-
0.250
0.025 0.035
0.190 0.210
0.140 0.190
0.015 0.022
0.080 0.115
0.025 0.055
横行
分钟。
马克斯。
12.70 14.73
14.23 16.51
9.66 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.42
1.15
1.77
-
6.35
0.64
0.89
4.83
5.33
3.56
4.82
0.38
0.56
2.04
2.49
0.64
1.39
A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
V
RRM
V
50
60
V
RMS
V
35
42
V
DC
V
50
60
MBR850
MBR860
符号
I
（AV）
I
FSM
dv / dt的
V
F
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=125
o
C
最大额定值
8
150
10000
I
F
= 8A @T
J
=125
o
C
I
F
= 8A @T
J
=25
o
C
I
F
= 16A @T
J
=25
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.70
0.80
0.95
0.1
15
3.0
250
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向
电压（注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
mA
o
C / W
pF
o
o
C
C
注： 1。 300US脉冲宽度，占空比2 ％ 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属，多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
whelling ，和极性保护应用
机械数据
*案例： TO- 220AC模压塑料
*极性：标明阀体上
*重量0.08盎司， 2.24克
*安装位置：任意
BL
特点
银河电子
MBR830 - - - MBR8100
电压范围： 30 -
100
V
当前位置：
8.0
A
肖特基势垒整流器
高S恳请能力。
对我们来说， E在低电压，高频率逆变器，免费
111wheeling,
和极性保护应用。
金属源ilicon结，男ajority载流子导电。
高电流能力，低正向压降。
保护环，过电压保护。
TO-220AC
机械数据
CAS E： JEDEC TO - 220AC ，男olded PLAS抽动身体
长期inals ：信息，S olderable每MIL -STD- 750 ，
1 1
方法2026
极性：米arked
POS银行足球比赛：任何
重量：
0.064盎司， 1.81克
mm
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单相半波，60赫兹，电阻或电感load.For容性负载，减免电流20 ％ 。
MBR
830
最大的经常峰值反向电压
最大RMS V oltage
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD总device11111111
m
整流电流@T
C
= 125°C
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
b
正弦-W AVE叠加在额定负荷
最大FORW ARD
电压
（注1 ）
(I
F
= 8.0A ，T
C
=125 )
(I
F
=8.0A,T
C
=25
(I
F
= 16A ，T
C
=25
)
)
MBR
835
35
25
35
MBR
840
40
28
40
MBR
845
45
32
45
8.0
MBR
850
50
35
50
MBR
860
60
42
60
MBR膜生物反应器
880 8100
80
56
80
100
70
100
单位
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
30
21
30
150
0.57
0.70
0.80
0.95
0.1
15
3.0
-
55
---- + 150
-
55
---- + 150
-
0.85
-
0.5
V
F
0.70
0.84
V
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
C
=25
@T
C
=125
I
R
R
θJC
T
J
T
英镑
mA
50
K / W
最大热阻
（注2 ）
工作结温范围
存储温度范围
注： 1.脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的关税CY CLE 。
2.
热阻f光盘交界处
情况。
www.galaxycn.com
文档编号0266039
BL
银河电子
1.
MBR830 - MBR860
8.0A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护中的应用
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
TO-220AC
L
B
C
K
D
A
1
2
暗淡
M
民
14.22
9.65
2.54
5.84
12.70
0.51
3.53
3.56
1.14
0.30
2.03
4.83
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
1.14
4.09
4.83
1.40
0.64
2.92
5.33
A
B
C
D
E
G
J
E
J
R
销1
销2
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
重量：2.24克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
N
G
K
L
M
P
例
N
P
R
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 125°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
重复峰值反向浪涌电流
正向电压降
@ t
2.0ms
@ I
F
= 8.0A ，T
C
= 125°C
@ I
F
= 8.0A ，T
C
= 25°C
@ I
F
= 16A ，T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
I
RRM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
MBR
830
30
21
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
835
35
24.5
MBR
840
40
28
8.0
150
1.0
0.57
0.70
0.84
0.1
15
250
3.0
1000
MBR
845
45
31.5
MBR
850
50
35
MBR
860
60
42
单位
V
V
A
A
A
0.70
0.80
0.95
V
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
mA
pF
K / W
V / ms的
°C
典型热阻结到外壳（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
工作和存储温度范围
-65到+150
注意事项：
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
DS30030牧师B- 4
1 2
MBR830-MBR860
MBR830-MBR8100
肖特基势垒整流器器
电压范围： 30 -
100
V
当前位置：
8.0
A
TO-220AC
2.8± 0.1
特点
高S恳请能力。
11
对我们来说， E在低电压，高频率逆变器，免费
1wheeling,
和极性保护应用。
金属源ilicon结，男ajority载流子导电。
高电流能力，低正向压降。
塑料材料进行U / L承认94V - 0
10.2± 0.2
φ
3.8± 0.15
4.5± 0.2
1.4± 0.2
19.0± 0.5
针
1
2
8.9± 0.2
2.6± 0.2
3.5± 0.3
13.8± 0.5
5.0± 0.1
0.5± 0.1
机械数据
CAS E： JEDEC TO - 220AC ，男olded PLAS抽动身体
极性：米arked
POS银行足球比赛：任何
重量：
0.064盎司， 1.81克
0.9± 0.1
单位：毫米
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单相半波，60赫兹，电阻或电感load.For容性负载，减免电流20 ％ 。
MBR
830
最大的经常峰值反向电压
最大RMS V oltage
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD总device11111111
m
整流电流@T
C
= 125°C
山顶FORW ARD浪涌电流8.3ms单半
b
正弦-W AVE叠加在额定负荷
最大FORW ARD
电压
（注1 ）
(I
F
= 8.0A ，T
C
=125 )
(I
F
=8.0A,T
C
=25
(I
F
= 16A ，T
C
=25
)
)
MBR
835
35
25
35
MBR
840
40
28
40
MBR
845
45
32
45
8.0
MBR
850
50
35
50
MBR
860
60
42
60
MBR膜生物反应器
880 8100
80
56
80
100
70
100
单位
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
30
21
30
150
0.57
0.70
0.80
0.95
0.1
15
3.0
-
55
---- + 150
-
55
---- + 150
-
0.85
-
0.5
V
F
0.70
0.84
V
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
C
=25
@T
C
=125
I
R
R
θJC
T
J
T
英镑
mA
50
K / W
最大热阻
（注2 ）
工作结温范围
存储温度范围
注： 1.脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的关税CY CLE 。
2.
热阻f光盘交界处
情况。
http://www.luguang.cn
邮箱： lge@luguang.cn
MBR830 - MBR860
8.0A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护中的应用
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
TO-220AC
L
B
C
K
D
A
1
2
暗淡
M
民
14.22
9.65
2.54
5.84
12.70
0.51
3.53
3.56
1.14
0.30
2.03
4.83
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
1.14
4.09
4.83
1.40
0.64
2.92
5.33
A
B
C
D
E
G
J
E
J
R
销1
销2
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
重量：2.24克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
N
G
K
L
M
P
例
N
P
R
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 125°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
重复峰值反向浪涌电流
正向电压降
@ t
2.0ms
@ I
F
= 8.0A ，T
C
= 125°C
@ I
F
= 8.0A ，T
C
= 25°C
@ I
F
= 16A ，T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
I
RRM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
MBR
830
30
21
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
835
35
24.5
MBR
840
40
28
8.0
150
1.0
0.57
0.70
0.84
0.1
15
250
3.0
1000
MBR
845
45
31.5
MBR
850
50
35
MBR
860
60
42
单位
V
V
A
A
A
0.70
0.80
0.95
V
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
mA
pF
K / W
V / ms的
°C
典型热阻结到外壳（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
工作和存储温度范围
-65到+150
注意事项：
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
www.kersemi.com
1 2
MBR830 - MBR860
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护中的应用
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
TO-220AC
L
B
C
K
D
A
1
2
暗淡
M
民
14.22
9.65
2.54
5.84
12.70
0.51
3.53
3.56
1.14
0.30
2.03
4.83
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
1.14
4.09
4.83
1.40
0.64
2.92
5.33
A
B
C
D
E
G
J
E
J
R
销1
销2
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
重量：2.24克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
N
G
K
L
M
P
例
N
P
R
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 125°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
重复峰值反向浪涌电流
正向电压降
@ t
2.0ms
@ I
F
= 8.0A ，T
C
= 125°C
@ I
F
= 8.0A ，T
C
= 25°C
@ I
F
= 16A ，T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
I
RRM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
MBR
830
30
21
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
835
35
24.5
MBR
840
40
28
8.0
150
1.0
0.57
0.70
0.84
0.1
15
250
3.0
1000
MBR
845
45
31.5
MBR
850
50
35
MBR
860
60
42
单位
V
V
A
A
A
0.70
0.80
0.95
V
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
mA
pF
K / W
V / ms的
°C
典型热阻结到外壳（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
工作和存储温度范围
-65到+150
注意事项：
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
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MBR830 - MBR860
8.0A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护中的应用
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
TO-220AC
L
B
C
K
D
A
1
2
暗淡
M
民
14.22
9.65
2.54
5.84
12.70
0.51
3.53
3.56
1.14
0.30
2.03
4.83
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
1.14
4.09
4.83
1.40
0.64
2.92
5.33
A
B
C
D
E
G
J
E
J
R
销1
销2
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
重量：2.24克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
N
G
K
L
M
P
例
N
P
R
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 125°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
重复峰值反向浪涌电流
正向电压降
@ t
2.0ms
@ I
F
= 8.0A ，T
C
= 125°C
@ I
F
= 8.0A ，T
C
= 25°C
@ I
F
= 16A ，T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
I
RRM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
MBR
830
30
21
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
835
35
24.5
MBR
840
40
28
8.0
150
1.0
0.57
0.70
0.84
0.1
15
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3.0
1000
MBR
845
45
31.5
MBR
850
50
35
MBR
860
60
42
单位
V
V
A
A
A
0.70
0.80
0.95
V
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
mA
pF
K / W
V / ms的
°C
典型热阻结到外壳（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
工作和存储温度范围
-65到+150
注意事项：
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
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