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MBR835 , MBR840 , MBR845
首选设备
轴向引线整流器
。 。 。采用肖特基原理在大面积
金属与硅功率二极管。国家的最先进的几何特征
外延建设与氧化物钝化和金属重叠
接触。非常适合于用作低电压整流器,
高频逆变器,续流二极管和极性
保护二极管。
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高电流能力
低存储电荷,多数载流子导电
低功耗/高效率
高度稳定的氧化钝化结
保护环应力保护
低正向电压
高浪涌能力
肖特基势垒
整流器
8.0安培
机械特性:
案例:环氧树脂,模压
重量:1.8克(约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的:
220 °C最大。 10秒, 1/16“的情况下,
运塑料袋, 500元一袋
可用的磁带和缠绕, 1500每卷中,加入了“ RL ''后缀
零件号
极性:负极由带极性指示
ESD保护:人体模型> 4000 V( 3级)
ESD保护:
机器型号> 400 V ( C类)
轴向引线
CASE 267-05
(DO201AD)
风格1
标记图
MBR8xx
MBR8xx =器件代码
xx
= 35 , 40或45
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
MBR835
MBR840
MBR845
平均正向电流整流
T
L
= 75℃ (PSI
JL
= 12 ° C / W ,
P.C。电路板安装,见注2 )
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载
条件下半波,单
相, 60赫兹)
工作和存储结
温度范围
(反向电压应用)
变化的电压率(额定V
R
)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
最大
单位
V
订购信息
设备
MBR835
MBR835RL
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
航运
500单位/袋
1500 /磁带&卷轴
500单位/袋
1500 /磁带&卷轴
500单位/袋
1500 /磁带&卷轴
35
40
45
8.0
A
I
O
MBR840
MBR840RL
MBR845
MBR845RL
I
FSM
140
A
T
J
, T
英镑
65
+125
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
dv / dt的
10
V / ns的
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年9月,
第2版
1
出版订单号:
MBR835/D
MBR835 , MBR840 , MBR845
热特性
特征
热阻
结到铅
(见注2
安装数据)
热阻
结到环境
(见注2
安装数据)
符号
R
θJL
R
θJA
0.9英寸x 0.9
铜焊盘尺寸
13
50
6.75英寸x 6.75的
铜焊盘尺寸
12
40
单位
° C / W
电气特性
(T
L
= 25 ° C除非另有说明)
特征
最大正向电压(注1 )
(i
F
= 8.0安培,T
L
= 25°C)
最大瞬时反向电流@额定直流电压(注1 )
T
L
= 25°C
T
L
= 100°C
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
μs,
占空比= 2.0 % 。
符号
v
F
i
R
最大
0.55
mA
1.0
50
单位
V
30
I
F
,瞬间向前
电流(安培)
10
I
F
,瞬间向前
电流(安培)
30
10
1
125°C
100°C
75°C
MBR845
1
100°C
125°C
25°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
V
F
,瞬时电压(伏)
0.8
75°C
0.1
25°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
V
F
,瞬时电压(伏)
0.8
0.1
图1.典型正向电压
I
R
,瞬时反向电流( AMPS )
图2.最大正向电压
1E01
125°C
1E02
10,000
C,电容(pF )
100°C
75°C
1E03
F = 1 MHz的
T
J
= 25°C
1000
1E04
25°C
1E05
1E06
0
5
10 15 20
25 30 35 40
V
R
,反向电压(伏)
45
50
100
0.1
1
10
V
R
,反向电压(伏)
100
图3.典型的反向电流
图4.典型电容
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2
MBR835 , MBR840 , MBR845
75
70
铜面积(平方英寸)
65
60
55
50
45
40
35
30
0
2
4
6
8
10
见注2
I
F
,平均正向
电流(安培)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
WAVE
R
qJL
= 12 ° C / W
dc
R
qJA
( ° C / W)
T
L
,焊接温度( ° C)
图5.
qJA
与铜区
4.5
4
P
FO
,平均功率
功耗(瓦)
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
dc
WAVE
T
J
= 125°C
图6.电流降额
领导
注2 - 安装数据
安装方法
P.C。董事会6.75平方英寸
铜表面上。
I
O
,平均正向电流(安培)
图7.前向功率耗散
R(T ) ,规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.01
P
( PK)
在铜面积= 0.271平方米。
R
qJA
= 61.8
° C / W
t
2
占空比D = T
1
/t
2
10
100
1000
t
1
0.01
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.001
0.1
吨,时间(秒)
图8.热响应,结到环境
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3
1.0
L = 3/8,
地平面
MBR835 , MBR840 , MBR845
包装尺寸
轴向引线
CASE 267-05
(DO201AD)
ISSUE摹
D
K
1
A
2
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
B
D
K
英寸
最大
0.287
0.374
0.189
0.209
0.047
0.051
1.000
MILLIMETERS
最大
7.30
9.50
4.80
5.30
1.20
1.30
25.40
B
K
风格1 :
PIN 1阴极(极性带)
2.阳极
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
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和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
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机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
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文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
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欧洲,中东和非洲技术支持:
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电话: 81-3-5773-3850
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为了文学:
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4
MBR835/D
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