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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第3061页 > MBR735
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
威世半导体
原通用半导体
肖特基势垒整流器
反向电压
35 60V
正向电流
7.5A
ITO - 220AC （ MBRF7xx ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO- 220AC （ MBR7xx ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
针
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
例
1
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
DIA 。
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
销2
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
销1
销2
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
TO- 263AB （ MBRB7xx ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.027 (0.686)
0.037 (0.940)
0.105 (2.67)
销1
销2
的K - 散热片
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
尺寸以英寸
（毫米）
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.095 (2.41)
0.12
(3.05)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
塑料包装有保险商实验室
机械数据
案例：
JEDEC TO - 220AC ， ITO - 220AC & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
可燃性分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
文档编号88680
03-Mar-03
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
（参见图1）
MBR735
MBR745
MBR750
MBR760
单位
V
V
V
A
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
C
= 105°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向重复峰值电流
在T
p
=在2.0μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
散热器采用t = 1.0秒， RH
≤
30%
重复峰值正向电流（平方波， 20千赫）
35
35
35
45
45
45
7.5
15
50
50
50
60
60
60
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
150
A
I
RRM
dv / dt的
T
J
T
英镑
V
ISOL
1.0
10,000
-65到+150
-65到+175
4500
3500
1500
（注1 ）
（注2 ）
（注3）
0.5
A
V / μs的
°C
°C
V
电气特性
(T
参数
最大正向电压
在我
F
= 7.5A,
在我
F
= 7.5A,
在我
F
= 15A,
在我
F
= 15A,
最大反向电流
在阻断电压DC
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
（注4 ）
MBR735
MBR745
MBR750
MBR760
单位
T
C
=
T
C
=
T
C
=
T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
V
F
–
0.57
0.84
0.72
0.1
15
0.75
0.65
–
–
0.5
50
V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
I
R
mA
热特性
(T
参数
从结热阻到外壳
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
3.0
MBRF
5.0
MBRB
3.0
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR735 - MBR760
MBRF735 - MBRF760
MBRB735 - MBRB760
例
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
文档编号88680
03-Mar-03
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2
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
10
负载电阻或电感
175
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
150
125
100
75
50
25
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
8
6
4
2
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0
0
50
100
150
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
50
50
图。 4 - 典型的反向
特征
瞬时反向电流（mA ）
10
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
正向电流（A ）
10
T
J
= 125°C
1
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
T
J
= 25°C
1
T
J
= 125°C
0.1
T
J
= 75°C
0.01
T
J
= 25°C
0.001
0
20
40
60
80
100
0.1
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0.01
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结
电容
4,000
图。 6 - 典型的瞬态热
阻抗
100
1,000
瞬态热阻抗（ ° CW）
结电容（pF ）
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
10
1
100
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
40
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
文档编号88680
03-Mar-03
T，脉冲持续时间（秒）。
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3
MBR730通MBR745
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AC
A
C（ TAB ）
A
C
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.580
0.560 0.650
0.380 0.420
0.139 0.161
2.300 0.420
0.100 0.135
0.045 0.070
-
0.250
0.025 0.035
0.190 0.210
0.140 0.190
0.015 0.022
0.080 0.115
0.025 0.055
横行
分钟。
马克斯。
12.70 14.73
14.23 16.51
9.66 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.42
1.15
1.77
-
6.35
0.64
0.89
4.83
5.33
3.56
4.82
0.38
0.56
2.04
2.49
0.64
1.39
A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
MBR730
MBR735
MBR740
MBR745
符号
I
（AV）
I
FSM
dv / dt的
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=125
o
C
最大额定值
7.5
150
10000
I
F
=7.5A
I
F
=7.5A
I
F
=15A
I
F
=15A
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
-
0.57
0.84
0.72
0.1
15
3.5
400
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向
电压（注1 ）
V
F
V
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
mA
o
C / W
pF
o
o
C
C
注： 1。 300US脉冲宽度，占空比2 ％ 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属，多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
whelling ，和极性保护应用
机械数据
*案例： TO- 220AC模压塑料
*极性：标明阀体上
*重量0.08盎司， 2.24克
*安装位置：任意
MBR730通MBR745
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
10
峰值正向浪涌电流，
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
图2 - 最大非重复浪涌电流
150
8
100
6
4
电阻或
感性负载
50
2
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
0
25
0
1
2
5
10
20
50
100
50
75
100
125
150
175
外壳温度，C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
100
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流（ A）
瞬时
反向电流（毫安）
10
T
J
= 125 C
10
1.0
0.1
T
J
= 75 C
1.0
0.01
T
J
= 25 C
T
J
= 25 C
脉宽300US
2 ％的占空比
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
百分之额定峰值反向电压（ ％ ）
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
正向电压，伏
图5 - 典型结电容
10000
电容（PF ）
1000
T
J
= 25°C ， F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压，伏
MBR735 - MBR7150
7.5安培。肖特基势垒整流器
TO-220AC
.185(4.70)
.175(4.44)
.412(10.5)
最大
.113(2.87)
.103(2.62)
迪亚
.154(3.91)
.148(3.74)
.27(6.86)
.23(5.84)
.594(15.1)
.587(14.9)
PIN1
.16(4.06)
.14(3.56)
.56(14.22)
.53(13.46)
.037(0.94)
.027(0.68)
2
.11(2.79)
.10(2.54)
.055(1.40)
.045(1.14)
特点
采用塑料材料进行包销商
实验室分类94V- 0
金属硅整流，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高
o
高温焊接保证：
260℃ / 10秒0.25“ （ 6.35mm）时，从案例
.205(5.20)
.195(4.95)
.025(0.64)
.014(0.35)
销1
机械数据
案例： JEDEC TO - 220AC模压塑体
终端：纯锡电镀，无铅。每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5 - 磅。最大
重量0.08盎司， 2.24克
销2
例
尺寸以英寸（毫米）
等级25
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
符号MBR膜生物反应器MBR膜生物反应器MBR膜生物反应器MBR
单位
类型编号
735 745 750 760 790 7100 7150
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
35
45
50
60
90
100
150
V
最大RMS电压
V
RMS
24
31
35
42
63
70
105
V
最大直流阻断电压
V
DC
35
45
50
60
90
100
150
V
最大正向平均整流电流
I
（AV）
7.5
A
参见图。 1
峰值重复正向电流（方波，为20KHz ）的
o
TC = 105℃
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压（注2 ）
I
F
=7.5A,Tc=25℃
I
F
=7.5A,Tc=125℃
I
F
=15A,Tc=25℃
I
F
=15A,Tc=125℃
最大瞬时反向电流@ TC = 25℃
在额定阻断电压DC （注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
典型结Capactance
最大热阻， （注3 ）
工作结温范围
存储温度范围
注意事项：
@ T = 125℃
o
o
最大额定值和电气特性
I
FRM
I
FSM
I
RRM
V
F
I
R
dv / dt的
Cj
360
1.0
－
0.57
0.84
0.72
0.75
0.65
－
－
15.0
150
0.5
0.92
0.82
－
－
0.95
0..92
－
－
A
A
A
V
mA
mA
V /美
160
o
0.1
15.0
0.1
10
10,000
280
5.0
15.0
-65到+150
-65到+175
200
0.1
5.0
pF
C / W
o
o
R
θJC
R
θJA
T
J
T
英镑
C
C
1. 2.0us脉冲宽度， F = 1.0千赫
2.脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
3.安装在第2散热器的尺寸英寸× 3英寸× 0.25英寸的Al镀。
版本： A06
额定值和特性曲线（ MBR735 THRU MBR7150 ）
FIG.1-正向电流降额曲线
10
175
电阻或
感性负载
8
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流。 （ A）
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
平均正向电流。 （ A）
150
125
100
6
4
75
2
MBR735-MBR745
MBR750-MBR7150
0
50
100
o
外壳温度。 （ C）
150
50
0
25
1
10
循环次数在60Hz
100
40
FIG.3-典型正向
特征
50
FIG.4-典型的反向特性
MBR735-MBR745
MBR750-MBR7150
瞬时正向电流。 （ A）
10
TJ = 125℃
0
10
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
1
Tj=25
0
C
瞬时反向电流。 （MA ）
Tj=125
0
C
1
0.1
Tj=75
0
C
0.1
MBR735-MBR745
MBR750-MBR760
MBR790-MBR7150
0.01
Tj=25
0
C
0.01
0
0.1 0.2 0.3
0.4
0.5
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压。 （V ）
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容
4,000
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
FIG.6-典型瞬态热特性
100
1,000
瞬态热阻抗。 （
O
C / W ）
100
结电容。 （PF ）
10
1
100
MBR735-MBR745
MBR750 & MBR760
MBR790-MBR7150
1.0
10
的反向电压。 （V ）
40
0.1
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间。 （秒）
10
100
版本： A06
MBR735
THRU
MBR7100
7.5安培。肖特基势垒整流器
电压范围
35至100伏特
当前
7.5安培
特点
采用塑料材料进行保险商实验室
分类94V- 0
金属硅整流，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
260
o
C / 10秒0.25“ （ 6.35mm）时，从案例
TO-220A
.185(4.70)
.175(4.44)
.412(10.5)
最大
迪亚
.154(3.91)
.148(3.74)
.27(6.86)
.23(5.84)
.594(15.1)
.587(14.9)
.055(1.40)
.045(1.14)
.113(2.87)
.103(2.62)
PIN1
.16(4.06)
.14(3.56)
2
.11(2.79)
.10(2.54)
.56(14.22)
.53(13.46)
机械数据
案例： JEDEC TO - 220A模压塑体
码头：每MIL -STD- 750，方法铅焊
2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 5 - 磅。最大
重量0.08盎司， 2.24克
.037(0.94)
.027(0.68)
.205(5.20)
.195(4.95)
.025(0.64)
.014(0.35)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
评分在25℃环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
符号MBR膜生物反应器
类型编号
735
745
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
35
45
最大RMS电压
24
31
V
RMS
最大直流阻断电压
35
45
V
DC
最大正向平均整流电流
I
（AV）
参见图。 1
峰值重复正向电流（方波，为20KHz ）的
Tc=105
o
C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压（注2 ）
I
F
=7.5A,Tc=25℃
I
F
=7.5A,Tc=125℃
I
F
=15A,Tc=25℃
I
F
=15A,Tc=125℃
最大瞬时反向电流@ TC = 25 ℃
在额定阻断电压DC （注1 ） @ T = 125 ℃
变化的电压率（额定V
R
)
典型结Capactance
最大热阻， （注3 ）
工作结温范围
存储温度范围
MBR
750
50
35
50
7.5
MBR
760
60
42
60
MBR
790
90
63
90
MBR
7100
100
70
100
单位
V
V
V
A
A
A
I
FRM
I
FSM
I
RRM
V
F
I
R
dv / dt的
Cj
R
θ
JC
R
θ
JA
T
J
T
英镑
360
1.0
–
0.57
0.84
0.72
15.0
150
0.5
0.75
0.65
–
–
0.92
0.82
–
–
A
V
mA
mA
V /美
pF
℃/W
℃
℃
0.1
15.0
0.5
50
10,000
280
5.0
15.0
-65到+150
-65到+175
0.1
–
200
注：1. 2.0us脉冲宽度， F = 1.0千赫
2.脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
3.安装在第2散热器的尺寸英寸× 3英寸× 0.25英寸的Al镀。
- 108 -
额定值和特性曲线（ MBR735 THRU MBR7100 ）
FIG.1-正向电流降额曲线
10
175
电阻或
感性负载
8
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流。 （ A）
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
平均正向电流。 （ A）
150
125
100
6
4
75
2
MBR735-MBR745
MBR750-MBR7100
0
0
50
外壳温度。 （ C）
o
50
25
100
150
1
10
循环次数在60Hz
100
40
FIG.3-典型正向
特征
FIG.4-典型的反向特性
50
MBR735-MBR745
MBR750-MBR7100
瞬时正向电流。 （ A）
10
Tj=125
0
C
10
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
1
Tj=25
0
C
瞬时反向电流。 （MA ）
Tj=125
0
C
1
0.1
Tj=75
0
C
0.1
MBR735-MBR745
MBR750-MBR760
MBR790-MBR7100
0.01
Tj=25
0
C
0.01
0
0.1 0.2 0.3
0.4
0.5
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压。 （V ）
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容
4,000
TJ = 25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
0
FIG.6-典型瞬态热特性
100
1,000
瞬态热阻抗。 （
O
C / W ）
100
结电容。 （PF ）
10
1
100
MBR735-MBR745
MBR750 & MBR760
MBR790-MBR7100
1.0
10
的反向电压。 （V ）
40
0.1
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间。 （秒）
10
100
- 109 -
公告PD- 21048转。一个06/06
MBRB7..PbF
肖特基整流器器
7.5安培
I
F（ AV ）
= 7.5Amp
V
R
= 35 - 45V
主要额定值及特点
特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
@ TP = 5
μs
正弦
@ 7.5 APK ，T
J
= 125°C
范围
矩形
波形
35 - 45
690
0.57
- 65 150
V
A
V
°C
描述/功能
单位
A
该MBRB7 ..肖特基整流器进行了优化低
反向漏电流在高温下。专有的阻隔
向上技术允许可靠运行至150 ℃的结
温度。典型的应用是在开关电源
电源，转换器，续流二极管，和反向BAT-
tery保护。
150 ° （C T）
J
手术
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
高频率运行
保护环，增强耐用性和长期
可靠性
无铅（ "PbF"后缀）
值
7.5
表壳款式
BASE
阴极
2
1
3
N / C
阳极
D
2
PAK
www.irf.com
1
MBRBB7..PbF系列
公告PD- 21048转。一个06/06
电压额定值
参数
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
MBRB735PbF
35
MBRB745PbF
45
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
I
FSM
非重复性峰值浪涌电流
MBR ..
7.5
690
150
单位条件
A
A
@ T
C
= 131 ° C（额定V
R
)
以下任何额定载荷
5μs的正弦或3μs的矩形。脉象和额定
V
RRM
应用的
应用在额定负载条件下的浪涌半波单
60Hz的三相
mJ
A
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2安培，L = 3.5毫亨
在1当前线性衰减到零
微秒
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
E
AS
I
AR
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
7
2
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降（ 1 ）
MBR ..
0.84
0.57
0.72
单位条件
V
V
V
mA
mA
pF
nH
V/
μs
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
@ 15A
@ 7.5A
@ 15A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
额定直流电压
I
RM
C
T
L
S
马克斯。 Instantaneus反向电流
(1)
马克斯。结电容
典型的串联电感
0.1
15
400
8.0
10000
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
从测量终端的顶部安装平面
dv / dt的最大值。变化的电压率
（额定V
R
)
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
MBR ..
- 65 150
- 65 175
3.0
0.50
2 (0.07)
分钟。
马克斯。
6 (5)
12 (10)
单位条件
°C
°C
° C / W DC操作
° C / W安装表面，光滑，润滑
克（盎司）。
公斤 - 厘米
（磅力英寸）
案例D型
2
PAK
R
thJC
马克斯。热阻结
到案
R
乡镇卫生院
典型热阻，案例
散热器来
wt
T
大约重量
安装力矩
打标设备
MBRB7..
2
www.irf.com
MBRB7..PbF系列
公告PD- 21048转。一个06/06
100
100
反向电流 - I
R
（MA ）
10
1
0.1
0.01
T J = 150℃
125C
100C
75C
50C
25C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
0.001
0.0001
0
10
T = 150℃
J
T = 125°C
J
5
10 15 20 25 30 35 40 45
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压（每腿）
1000
结电容 - C
T
（P F）
中T = 25℃
J
中T = 25℃
J
1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
正向电压下降 - V
FM
(V)
2
100
0
10
20
30
40
50
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容
与反向电压（每腿）
图。 1 - 最大。正向压降特性
（每站）
10
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
P
DM
（ ° C / W）
热阻抗Z
thJC
1
0.1
t1
t2
0.01
单脉冲
（热电阻）
注意事项：
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 4 - 最大。热抗Z
thJC
特性（每腿）
www.irf.com
3
MBRBB7..PbF系列
公告PD- 21048转。一个06/06
150
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（瓦）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
140
DC
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
RMS限制
DC
130
方波（ D = 0.50 ）
额定Vr的应用
见说明（ 2 ）
120
0
2
4
6
8
10
12
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
图。 5 - 最大。允许外壳温度
与平均正向电流
不重复浪涌电流 - 我
FSM
(A)
1000
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
100
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
（微秒）
图。 7 - 马克斯。不重复浪涌电流（每腿）
(2)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
=额定V
R
4
www.irf.com
MBRB7..PbF系列
公告PD- 21048转。一个06/06
概要表
符合JEDEC轮廓
2
PAK （ SMD -220 ）
尺寸以毫米（英寸）
最热资讯
这是一份MBRB745
批号8024
组装WW 02 ， 2000
国际
整流器器
标志
装配
批号
产品型号
MBRB745
日期代码
0年= 2000
02周
P = LEAD -FREE
www.irf.com
5
MBR730 - MBR760
7.5A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品，符合RoHS （注4 ）
K
C
D
A
L
B
M
TO-220AC
暗淡
A
B
C
D
E
G
E
G
J
R
P
PIN 1 +
PIN 2 -
+
例
民
14.48
10.00
2.54
5.90
2.80
12.70
0.69
3.54
4.07
1.15
0.30
2.04
4.83
最大
15.75
10.40
3.43
6.40
3.93
14.27
0.93
3.78
4.82
1.39
0.50
2.79
5.33
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
案例： TO- 220AC
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成 - 亮锡。每焊
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
标记：型号数量
重量： 2.3克（约）
销1
销2
J
K
L
M
N
P
R
N
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 125°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压降
（注3）
@ I
F
= 7.5A ，T
J
= 25°C
@ I
F
= 7.5A ，T
J
= 125°C
@ I
F
= 15A ，T
J
= 25°C
@ I
F
= 15A ，T
J
= 125°C
@ T
J
= 25°C
@ T
J
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
MBR
730
30
21
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
735
35
24.5
MBR
740
40
28
7.5
150
0.57
0.84
0.72
0.1
15
400
3.5
MBR
745
45
31.5
MBR
750
50
35
MBR
760
60
42
单位
V
V
A
A
V
FM
0.75
0.65
0.5
50
V
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型的总电容（注2 ）
I
RM
C
T
R
QJC
dv / dt的
T
j
T
英镑
mA
pF
° C / W
V / ms的
°C
°C
典型热阻结到外壳（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
工作温度范围
存储温度范围
注意事项：
10,000
-55到+150
-55到+175
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反向电压。
3.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
4. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用，看
欧盟指令附件注5和7 。
DS23007牧师9 - 2
1第3
www.diodes.com
MBR730-MBR760
Diodes公司
10
100
8
I
F
瞬时正向电流（A）
I
（AV）
，平均正向电流（A）
MBR730 - MBR745
10
6
MBR750 - MBR760
4
1.0
2
0
0
50
100
150
T
C
，外壳温度（
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
V
F
瞬时正向电压（ V）
图。 2典型瞬时正向特性
175
4000
8.3毫秒单半
正弦波（ JEDEC的方法）
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
F = 1.0MHz的
150
125
C
T
，电容（pF ）
1000
100
75
50
25
1
10
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
100
100
0.1
1.0
10
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型的总电容
I
R
，瞬时反向电流（mA）
10
T
j
= 125
°
C
1.0
0.1
T
j
= 75
°
C
0.01
T
j
= 25
°
C
电阻或
感性负载
0.001
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5典型的反向特性
DS23007牧师9 - 2
2 3
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MBR730-MBR760
订购信息
设备
MBR7xx*
（注5 ）
包装
TO-220AC
航运
50/Tube
* XX =设备类型，例如， MBR745
注意事项：
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
DS23007牧师9 - 2
3 3
www.diodes.com
MBR730-MBR760
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
威世半导体
原通用半导体
肖特基势垒整流器
反向电压
35 60V
正向电流
7.5A
ITO - 220AC （ MBRF7xx ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO- 220AC （ MBR7xx ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
针
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
例
1
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
DIA 。
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
销2
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
销1
销2
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
TO- 263AB （ MBRB7xx ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.027 (0.686)
0.037 (0.940)
0.105 (2.67)
销1
销2
的K - 散热片
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
0.33
(8.38)
0.63
(17.02)
尺寸以英寸
（毫米）
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.095 (2.41)
0.12
(3.05)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
特点
塑料包装有保险商实验室
机械数据
案例：
JEDEC TO - 220AC ， ITO - 220AC & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
可燃性分类94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
Guardring过电压保护
在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
文档编号88680
03-Mar-03
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
（参见图1）
MBR735
MBR745
MBR750
MBR760
单位
V
V
V
A
A
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
C
= 105°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向重复峰值电流
在T
p
=在2.0μs ， 1KH
Z
变化的电压率（额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
从终端rms隔离电压（仅MBRF型）
散热器采用t = 1.0秒， RH
≤
30%
重复峰值正向电流（平方波， 20千赫）
35
35
35
45
45
45
7.5
15
50
50
50
60
60
60
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
150
A
I
RRM
dv / dt的
T
J
T
英镑
V
ISOL
1.0
10,000
-65到+150
-65到+175
4500
3500
1500
（注1 ）
（注2 ）
（注3）
0.5
A
V / μs的
°C
°C
V
电气特性
(T
参数
最大正向电压
在我
F
= 7.5A,
在我
F
= 7.5A,
在我
F
= 15A,
在我
F
= 15A,
最大反向电流
在阻断电压DC
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
（注4 ）
MBR735
MBR745
MBR750
MBR760
单位
T
C
=
T
C
=
T
C
=
T
C
=
25°C
125°C
25°C
125°C
V
F
–
0.57
0.84
0.72
0.1
15
0.75
0.65
–
–
0.5
50
V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
I
R
mA
热特性
(T
参数
从结热阻到外壳
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
MBR
3.0
MBRF
5.0
MBRB
3.0
单位
° C / W
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
MBR735 - MBR760
MBRF735 - MBRF760
MBRB735 - MBRB760
例
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
文档编号88680
03-Mar-03
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2
MBR7xx ， MBRF7xx & MBRB7xx系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
10
负载电阻或电感
175
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
150
125
100
75
50
25
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
8
6
4
2
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0
0
50
100
150
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
50
50
图。 4 - 典型的反向
特征
瞬时反向电流（mA ）
10
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
正向电流（A ）
10
T
J
= 125°C
1
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
T
J
= 25°C
1
T
J
= 125°C
0.1
T
J
= 75°C
0.01
T
J
= 25°C
0.001
0
20
40
60
80
100
0.1
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0.01
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结
电容
4,000
图。 6 - 典型的瞬态热
阻抗
100
1,000
瞬态热阻抗（ ° CW）
结电容（pF ）
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
10
1
100
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
40
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
文档编号88680
03-Mar-03
T，脉冲持续时间（秒）。
www.vishay.com
3
MCC
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MBR720
THRU
MBR760
7.5安培
肖特基势垒
整流器器
20至60伏
特点
siliconrectifier金属， majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力，高电流能力
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 175℃
Microsemi的
目录
数
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
TO-220AC
B
C
K
L
M
D
A
针
1
2
MBR720
MBR730
MBR735
MBR740
MBR745
MBR760
MBR720
MBR730
MBR735
MBR740
MBR745
MBR760
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
E
F
G
I
H
J
N
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MBR720-745
MBR760
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
MBR720-745
MBR760
MBR720-745
MBR760
典型结
电容
I
F（ AV ）
7.5A
T
C
= 125°C
销1
销2
例
I
FSM
150A
8.3ms的，半正弦
V
F
.84V
.75V
I
FM
= 15 A MPER
I
FM
= 7.5 A MPER
T
A
= 25°C*

A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N


MM

14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
4.83
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03


15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
5.33
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92

I
R
0.1mA
0.5mA
15mA
50mA
400pF
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
英寸



.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.190
.210
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
C
J
*脉冲测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比2 ％
www.mccsemi.com
MBR720通MBR760
图1
典型的正向特性
100
60
40
20
10
6
4
2
25°C
安培
1
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
.2
.3
.4
.5
.6
.8
1.0
10
6
4
2
1
.6
.4
.2
T
J
=25°C
μAMPS
.1
.06
.04
.02
.01
.006
.004
4
.002
.001
20
40
60
MCC
图2
典型的反向特性
80
伏
100
120
140
伏
瞬时正向电流 - 安培
与
正向电压 - 伏特
科幻gure 3
远期降额曲线
12
瞬时反向漏电流 - 微安
与
％的额定峰值反向电压 - 伏特
图4
峰值正向浪涌电流
150
10
125
8
100
75
安培
4
25
2
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
0
25
50
75
°C
平均正向整流电流 - 安培
与
环境温度 -
°C
100
150
175
0
1
4
6
8 10
周期
峰值正向浪涌电流 - 安培
与
周期在60Hz数 - 周期
20
40
60 80 100
50
6
安培
2
www.mccsemi.com
MBR730 - MBR760
7.5A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护中的应用
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
TO-220AC
L
B
C
K
D
A
销1
销2
暗淡
M
民
14.22
9.65
2.54
5.84
12.70
0.51
3.53
3.56
1.14
0.30
2.03
4.83
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
1.14
4.09
4.83
1.40
0.64
2.92
5.33
A
B
C
D
E
G
E
J
N
G
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
重量： 2.3克（约）
安装位置：任意
标记：型号数量
J
R
PIN 1 +
PIN 2 -
K
L
M
P
+
例
N
P
R
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 125°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻结到外壳（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
工作和存储温度范围
@ I
F
= 7.5A ，T
C
= 25°C
@I
F
= 7.5A ，T
C
= 125°C
@T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
MBR
730
30
21
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
735
35
24.5
MBR
740
40
28
7.5
150
0.55
0.70
1.0
15
400
3.5
MBR
745
45
31.5
MBR
750
50
35
MBR
760
60
42
单位
V
V
A
A
0.70
0.75
1.0
50
V
mA
pF
° C / W
V / ms的
°C
10,000
-65到+150
注意事项：
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反向电压。
DS23007启示录7 - 2
1 2
MBR730-MBR760
10
I
F
瞬时正向电流（A）
50
MBR730 - MBR745
I
（AV）
，平均正向电流（A）
8
10
MBR750 - MBR760
6
4
1.0
2
0
0.1
T
J
= 25
°
C
脉冲宽度= 300
s
2 ％的占空比
0
50
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
C
，外壳温度（
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
175
V
F
瞬时正向电压（ V）
图。 2典型瞬时正向特性
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
8.3毫秒单半
正弦波（ JEDEC的方法）
4000
150
125
100
C
j
，电容（pF ）
1000
75
50
25
100
1
10
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
10
T
j
= 125
°
C
100
0.1
1.0
10
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型结电容
I
R
，瞬时反向电流（mA）
1.0
0.1
T
j
= 75
°
C
0.01
T
j
= 25
°
C
0.001
0
20
40
60
80
100
电阻或
感性负载
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5典型的反向特性
DS23007启示录7 - 2
2 2
MBR730-MBR760
MBR735 THRU MBR760
肖特基整流器器
反向电压 -
35至60伏特
TO-220AC
0.185 (4.70)
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
DIA 。
0.148 (3.74)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.175 (4.44)
正向电流 -
7.5安培
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V- 0
金属硅整流器，
多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向
电压降
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.25" （ 6.35mm）时，从案例
特点
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
针
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
机械数据
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
销1
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
销2
例
尺寸以英寸（毫米）
案例：
JEDEC TO- 220AC模压塑体
终端：
每MIL -STD- 750无铅焊，
方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
5 - 磅。最大。
重量：
0.08盎司， 2.24克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
MBR735
MBR745
MBR750
MBR760
单位
最大重复峰值反向电压
最大工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
（见图1）
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
（AV）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
35
35
35
45
45
45
7.5
15.0
150.0
1.0
-
0.57
0.84
0.72
0.1
15.0
10,000
3.0
60.0
50
50
50
60
60
60
伏
伏
伏
安培
安培
安培
重复峰值正向电流（方波， 20 KH
Z
)
在T
C
=105°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流
最大瞬时
在正向电压
（注2 ）
（注1 ）
0.5
0.75
0.65
-
-
0.5
50
安培
I
F
= 7.5A ，T
C
=25°C
I
F
= 7.5A ，T
C
=125°C
I
F
= 15A ，T
C
=25°C
I
F
= 15A ，T
C
=125°C
V
F
伏
最大瞬时反向电流
额定阻断电压DC
T
C
=25°C
T
C
=125°C
（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
最大热电阻，
（注3）
工作结温范围
存储温度范围
I
R
dv / dt的
R
θJC
R
θJA
T
J
T
英镑
mA
V / μs的
° C / W
°C
°C
-65到+150
-65到+175
注意事项：
（1）在2.0μs ，脉冲宽度中，f = 1.0的KH
Z
（2 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
结（ 3 ）热电阻外壳和/或热电阻结点到环境
4/98
额定值和特性曲线MBR735 THRU MBR760
图。 1 - 正向电流降额曲线
10
峰值正向浪涌电流，
安培
平均正向电流，
安培
负载电阻或电感
图。 2 - 最大非重复峰值正向
浪涌电流
175
150
125
100
75
50
25
1
10
周期数的AT 60 H
Z
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
8
6
4
2
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0
0
50
100
150
100
外壳温度
图。 4 - 典型的反向特性
图。 3 - 典型正向
特征
50
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
50
10
T
J
=125°C
瞬时正向电流，
安培
10
脉冲宽度= 300μS
瞬时反向电流，
毫安
1
T
J
=125°C
T
J
=25°C
1
0.1
T
J
=75°C
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0.1
0.01
0.01
T
J
=25°C
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压，
伏
0.001
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压％
图。 5 - 典型结电容
T
J
=25°C
F = 1.0 MHz的
Vsig=50mVp-p
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
瞬态热阻抗，
° C / W
4,000
结电容， pF的
100
1,000
10
1
100
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
40
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压，伏
T，脉冲持续时间，秒。
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