MBR5H100MFS,
NRVB5H100MFS
SWITCHMODE
电源整流器
国家的最先进的这些设备具有以下特点:
特点
低功耗/高效率
新的软件包提供检验探头的能力后,
电路板安装
Guardring应力保护
低正向压降
175 ° C工作结温
NRVB前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101
合格的,有能力PPAP
这些无铅器件
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器
5安培
100伏
1,2,3
5,6
机械特性:
记号
图
A
1
案例:环氧树脂,模压
环氧会见阻燃等级UL 94-0 @ 0.125英寸
铅表面处理: 100 %雾锡(锡)
铅和安装表面焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
器件符合MSL 1的要求
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
, T
C
= 150°C)
峰值重复正向电流,
(额定V
R
,方波,
20千赫,T
C
= 150°C)
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载
条件下半波,单
相, 60赫兹)
存储温度范围
工作结温
变化的电压率
(额定V
R
)
非钳位感应开关
能源( 10 mH的电感,
不重复)
ESD额定值(人体模型)
ESD额定值(机器型号)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FRM
价值
单位
V
100
5
10
A
A
C
B5H100
AYWZZ
C
A
A
未使用
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
方式2
B5H100
A
Y
W
ZZ
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
=批次追踪
订购信息
设备
MBR5H100MFST1G
MBR5H100MFST3G
NRVB5H100MFST1G
包
SO- 8 FL
(无铅)
SO- 8 FL
(无铅)
SO- 8 FL
(无铅)
SO- 8 FL
(无铅)
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
I
FSM
200
A
T
英镑
T
J
dv / dt的
E
AS
65
到+175
55
到+175
10,000
100
°C
°C
V / ms的
mJ
NRVB5H100MFST3G
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
3B
C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
半导体元件工业有限责任公司, 2012
, 2012年5月
第4版
1
出版订单号:
MBR5H100MFS/D
MBR5H100MFS , NRVB5H100MFS
热特性
特征
热阻,结到外壳,稳态
(假设600毫米
2
1盎司铜焊盘,在FR4电路板)
符号
R
θJC
典型值
最大
2.4
单位
° C / W
电气特性
正向电压(注1 )
(i
F
= 5安培,T
J
= 125°C)
(i
F
= 5安培,T
J
= 25°C)
瞬时反向电流(注1 )
(额定直流电压,T
J
= 125°C)
(额定直流电压,T
J
= 25°C)
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比
≤
2.0%.
v
F
V
0.56
0.6
3
0.003
0.6
0.73
mA
13
0.1
i
R
http://onsemi.com
2
MBR5H100MFS , NRVB5H100MFS
典型特征
175°C
I
F
,瞬间向前
电流(A )
150°C
10
125°C
25°C
I
F
,瞬间向前
电流(A )
40°C
175°C
10
40°C
1
1
25°C
125°C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8 2.0
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
V
F
,正向电压( V)
V
F
,正向电压( V)
I
R
,瞬时反向电流( A)
1.E+00
1.E01
1.E02
1.E03
1.E04
1.E05
1.E06
1.E07
1.E08
1.E09
0
10
40°C
20
30
40
50
60
70
80
25°C
175°C
150°C
125°C
I
R
,瞬时反向电流( A)
图1.典型正向
特征
图2.最大正向
特征
1.E+00
1.E01
1.E02
1.E03
1.E04
1.E05
1.E06
1.E07
1.E08
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
40°C
175°C
150°C
125°C
25°C
1.E10
90 100
V
R
,瞬时反向电压( V)
V
R
,瞬时反向电压( V)
图3.典型的反向电流
特征
最大正向浪涌电流( A)
10,000
C
J
,结电容(pF )
300
280
260
240
220
200
180
160
140
0
图4.最大反向电流
特征
1000
单脉冲非重复性方
波25 ° C的环境
安装在一个最小垫,FR4
板, 1盎司灌铜
100
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1.0
2.0
脉冲持续时间(毫秒)
3.0
4.0
V
R
,反向电压(V)的
图5.典型结电容
图6.正向浪涌安全工作区
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3
MBR5H100MFS , NRVB5H100MFS
典型特征
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
150
R
QJC
= 1 ° C / W
155
160
165
170
175
方
WAVE
DC
6
5
4
3
2
1
0
0
R
qJA
= 49 ° C / W
方
WAVE
DC
I
F
,正向平均整流
电流(A )
I
F
,正向平均整流
电流(A )
20
40
60
80
100
120
140
160 180
T
C
,外壳温度( ° C)
T
A
,环境温度( ° C)
图7.正向电流降额超过案例
温度
3
P
D
,平均正向功率
耗散(W)的
T
J
= 175°C
140
120
100
q
JA
( ° C / W)
方
WAVE
DC
1
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
0
0
图8.正向电流降额超过
环境温度
假设25℃
环境温度
2
1盎司铜PCB
2盎司铜PCB
100
200
300
400
500
600
700
I
F
,平均正向电流整流( A)
铜散热面积(mm
2
)
图9.最大正向力量
耗散
10
图10.稳态结到环境
热阻
假设25℃的环境温度和焊接
到600毫米
2
PCB上的1盎司铜皮垫
占空比为50%
R( T) ( ° C / W)
1
20%
10%
5%
0.1
2%
1%
0.01
单脉冲
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲时间(秒)
图11.瞬态热响应,结到外壳
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4
MBR5H100MFS , NRVB5H100MFS
包装尺寸
DFN5 5×6 , 1.27P
(SO8FL)
CASE 488AA
ISSUE摹
0.20 C
D
2
D1
A
B
2X
2X
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸D1和E1不包括
毛边突出或
毛刺。
暗淡
A
A1
b
c
D
D1
D2
E
E1
E2
e
G
K
L
L1
M
q
MILLIMETERS
民
喃
最大
0.90
1.00
1.10
0.00
0.05
0.33
0.41
0.51
0.23
0.28
0.33
5.15 BSC
4.50
4.90
5.10
3.50
4.22
6.15 BSC
5.50
5.80
6.10
3.45
4.30
1.27 BSC
0.51
0.61
0.71
1.20
1.35
1.50
0.51
0.61
0.71
0.05
0.17
0.20
3.00
3.40
3.80
0
_
12
_
0.20 C
E1
2
E
c
4X
q
A1
1
2
3
4
顶视图
3X
C
座位
飞机
0.10 C
A
0.10 C
SIDE VIEW
8X
e
细节A
细节A
焊接足迹*
1.270
3X
b
e/2
1
4
方式2 :
PIN 1.阳极
2.阳极
3.阳极
4.无连接
5.阴极
0.10
0.05
C A B
c
L
0.750
4X
1.000
4X
K
E2
L1
1.330
M
0.965
0.905
4.530
0.475
2X
2X
5脚
(裸露焊盘)
0.495
3.200
2X
G
D2
底部视图
4.560
1.530
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
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