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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2252页 > MBR560
MBR560
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AC
A
C( TAB )
A
C
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
MBR560
V
RRM
V
60
V
RMS
V
42
V
DC
V
60
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.580
0.560 0.650
0.380 0.420
0.139 0.161
2.300 0.420
0.100 0.135
0.045 0.070
-
0.250
0.025 0.035
0.190 0.210
0.140 0.190
0.015 0.022
0.080 0.115
0.025 0.055
横行
分钟。
马克斯。
12.70 14.73
14.23 16.51
9.66 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.42
1.15
1.77
-
6.35
0.64
0.89
4.83
5.33
3.56
4.82
0.38
0.56
2.04
2.49
0.64
1.39
符号
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
OJC
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=95
o
C
最大额定值
5
175
0.70
@T
J
=25
o
C
@T
J
=100
o
C
0.5
33
350
3.5
-55到+125
-55到+150
单位
A
A
V
mA
pF
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在5.0A DC (注1 )
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容(注2 )
典型热阻(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
C / W
o
o
C
C
注:1. 300US脉冲宽度, 2 %的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.热阻结到外壳。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 220AC模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量0.08盎司, 2.24克
*安装位置:任意
MBR560
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
5
峰值正向浪涌电流,
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
图2 - 最大非重复浪涌电流
300
250
200
150
100
50
0
1
2
5
10
20
50
100
4
3
2
电阻或
感性负载
1
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
1000
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流( A)
瞬时
反向电流(毫安)
100
10
10
T
J
= 100 C
1.0
T
J
= 75 C
1.0
0.1
T
J
= 25 C
T
J
= 25 C
脉冲宽度300ua
300us
2 %的占空比
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
百分之额定峰值反向电压( % )
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
正向电压,伏
图5 - 典型结电容
10000
电容(PF )
1000
T
J
= 25°C , F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压,伏
微电 - 磁学技术有限公司
肖特基DIE规格
概述: 60 V 5 A(低IR )
电气特性
阻断电压DC :
IR = 1毫安(晶圆形式)
IR = 0.5毫安(骰子的形式)
平均正向电流整流
最大正向电压
@ 5安培,TA = 25℃
@ 15安培, 25℃
最大瞬时反向电压
VR = 60伏, TA = 25℃
最大结电容@ 0V , 1MHZ
最大额定值
非重复性峰值浪涌电流
工作结温
储存温度
符号
VRRM
IFAV
VF最大
型号: MBR560
单阳极
规格。极限
60
5
0.655
0.83
0.09
0.645
0.82
0.08
模具分拣单元
63
伏特
AMP
伏特
IR最大
CJ MAX
IFSM
Tj
TSTG
mA
pF
120
-65到+125
-65到+125
AMP
°C
°C
规范只适用于死。当组装时实际性能可能会降低。
后装配MEMT不保证器件的性能。
数据表中的信息如有更改,恕不另行通知。
DICE外形绘图
暗淡
A
B
C
D
模具尺寸
顶部的金属垫尺寸
钝化密封
厚度(最小)
厚度(最大值)
um
2
1838
1738
1758
254
305
米尔
2
72.36
68.4
69.2
10
12
A
C
B
顶面金属
的SiO2钝化
P
+
保护环
背面侧金属
PS :
( 1 )切削街道宽度为80UM左右( 3.14mil ) 。
(2 )两个顶侧和背面侧的金属是钛/镍/银。
D
MBR540系列
肖特基势垒整流器器
电压
特点
外延建设
·保护环片施工瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
·高电流能力和低正向压降
浪涌过载额定值为150A峰值
适用于低电压,高频率逆变器,续流,
和极性保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
0.375(9.5)
0.285(7.2)
1.0(25.4)MIN.
0.052(1.3)
0.048(1.2)
40至200伏特
当前
5安培
案例: DO - 201AD模压塑料
终端:轴向引线,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:颜色频带为负极
安装位置:任意
重量: 0.0395盎司, 1.122克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
霸岭我忒
马曦妈妈再C-UR重新NT P EAK回复已经本身武LTAG ê
马曦妈妈RMS武LTA克é
马曦妈妈D C B 罗淇,吴武LTA克é
一个已经RA GE重新CTI网络版OUTP UT C-UR重新新台币(S EE F IG UR 1 )
非众议员é钛Ti已经P EAK F RWA RD S URG式C urre NT : 8 0.3毫秒SI ngle
哈哈LF SI NE - 华已经s提高ê里MPO sedon RA TE LO广告
F RWA RD武LTA克一吨5 0.0 A(无释3 )
P EA 回复已经RS电子C-UR重新NT在镭德 DCB LO CK I纳克
武LTA克é
典型我CA升RMA升重的I站NC E(无释2 )
(无释1 )
(无释1 )
欧普ê RA TI NG UNC TI奥纳次S到岭GE特MP呃ATURE吴镭ê
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YMB OL
V
RR米
V
RMS
V
DC
I
F( AV)
I
F S M
V
F
I
R
R
θJ
A
R
θJ
L
R
θ
JC
T
J
,T
s TG
1.0(25.4)MIN.
机械数据
0.210(5.3)
0.188(4.8)
M B R54 0
MB R5 4 5 MB R55 0 MB R5 60 MB R5 8 0 MB R5 90 MB R5 1 00 MB R5 1 5 0 MB R5 2 0 0
单位
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
5 .0
150
90
63
90
1 00
70
1 00
150
105
150
200
1 40
200
0 .7 0
0 .7 4
0 .0 5
10
50
15
12
0 .8 0
0.9
V
mA
O
C / W
5 -5至+15 0
- 6 5 1 5 0
O
C
注意事项:
1.测得的环境温度,从所述壳体的距离9.5毫米
2.最小焊盘面积
3.脉冲测试: 300μS脉冲宽度, 1 %的占空比
八月17,2010 - REV.01
PAGE 。 1
MBR540系列
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
150
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)T
J
= T
J(下最大)
120
5.0
4.0
3.0
2.0
0.375" 9.5mmLEADLENGHTS
RESISTIVEORINDUCTIVELOAD
90
60
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
O
30
140
160
180
0
1
10
100
焊接温度,C
NO 。 CYCLE AT 60H的
Z
图2 - 最大不重复浪涌
当前
瞬时反向电流,毫安
3000
T
J
= 25
o
C
C
J
,总电容(P F)
1000
10
0.1
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
八月17,2010 - REV.01
PAGE 。 2
Compact技术
MBR560通MBR5200
反向电压 -
60
to
200
正向电流 -
5.0
安培
肖特基势垒整流器器
特点
金属半导体结与保护环
外延建设
低正向压降
高电流能力
塑料材料进行UL认证94V- 0
适用于低电压,高频率逆变器,免费使用
续流和极性保护应用
A
DO-201AD
B
A
C
D
机械数据
案例: JEDEC DO- 201AD模压塑料
极性:颜色频带为负极
重量: 1.071克
安装位置:任意
DO-201AD
DIM 。
A
B
C
分钟。
25.4
8.50
1.20
马克斯。
-
9.50
1.30
5.00
5.60
D
在毫米波所有尺寸
最大额定值和电气特性
在25环境温度额定值,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
1
2
MBR560通MBR5200
Compact技术
MBR560通MBR5200
图。 2 ,典型正向特性
100.00
图。 1 ,典型正向电流降额曲线
10
正向电流(A )
平均正向电流( A)
7.5
10.00
5
1.00
2.5
0.10
MBR560
MBR580~MBR5100
MBR5150
MBR5200
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0.01
0.2
0.3
0.4
环境温度( )
0.5
0.6
0.7
正向电压( V)
0.8
0.9
1.0
图。 3最大非重复正向浪涌电流
150
图。 4 ,典型的反向特性
100.00
峰值正向浪涌电流( A)
120
反向漏电流(mA)
25
10.00
100
90
1.00
60
0.10
30
0
1
10
循环次数在60Hz
100
0.01
20%
40%
60%
80%
100%
百分比额定峰值反向电压( % )
图。 5 ,典型结电容
1000.0
结电容(pF )
800.0
MBR560
MBR580~MBR5100
MBR5150
600.0
MBR5200
400.0
200.0
0.0
0
1
10
反向电压( V)
100
2
2
MBR5620通MBR5200
MBR560
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AC
A
C( TAB )
A
C
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
MBR560
V
RRM
V
60
V
RMS
V
42
V
DC
V
60
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.580
0.560 0.650
0.380 0.420
0.139 0.161
2.300 0.420
0.100 0.135
0.045 0.070
-
0.250
0.025 0.035
0.190 0.210
0.140 0.190
0.015 0.022
0.080 0.115
0.025 0.055
横行
分钟。
马克斯。
12.70 14.73
14.23 16.51
9.66 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.42
1.15
1.77
-
6.35
0.64
0.89
4.83
5.33
3.56
4.82
0.38
0.56
2.04
2.49
0.64
1.39
符号
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
OJC
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=95
o
C
最大额定值
5
175
0.70
@T
J
=25
o
C
@T
J
=100
o
C
0.5
33
350
3.5
-55到+125
-55到+150
单位
A
A
V
mA
pF
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在5.0A DC (注1 )
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容(注2 )
典型热阻(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
C / W
o
o
C
C
注:1. 300US脉冲宽度, 2 %的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.热阻结到外壳。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 220AC模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量0.08盎司, 2.24克
*安装位置:任意
MBR560
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
5
峰值正向浪涌电流,
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
图2 - 最大非重复浪涌电流
300
250
200
150
100
50
0
1
2
5
10
20
50
100
4
3
2
电阻或
感性负载
1
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
1000
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流( A)
瞬时
反向电流(毫安)
100
10
10
T
J
= 100 C
1.0
T
J
= 75 C
1.0
0.1
T
J
= 25 C
T
J
= 25 C
脉冲宽度300ua
300us
2 %的占空比
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
百分之额定峰值反向电压( % )
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
正向电压,伏
图5 - 典型结电容
10000
电容(PF )
1000
T
J
= 25°C , F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压,伏
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MBR560
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:960030175 复制

电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
MBR560
UTC/友顺
24+
898000
DO-201AD
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2290748171 复制
电话:83682693
联系人:关先生
地址:深圳市福田区赛格广场57楼5704
MBR560
SUNMATE
2018
66778
DO-201AD
品质保证★免费送样★售后无忧★可开发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:960030175 复制

电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
MBR560
UTC/友顺
24+
898000
DO-201AD
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
MBR560
PANJIT/ 强茂
19+
12000
DO-201AD
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MBR560
PANJIT
24+
9634
DO-201AD
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
MBR560
JJF
22+
33000
DO201AD
百分百进口正品原装现货 支持实单!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885514887 复制

电话:0755-83987779
联系人:洪小姐
地址:福田区中航路都会电子城2C020A室(本公司可以开13%增票,3%增票和普票)
MBR560
ON Semiconductor
2023+PB
45000
N/A
★专业经营贴片二,三极管,桥堆★现货库存低价抛售★
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
MBR560
PANJIT
2024
16880
DO-201AD
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

电话:0755-82780082
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
MBR560
ON
23+
40000
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