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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2155页 > MBR5200
Compact技术
MBR560通MBR5200
反向电压 -
60
to
200
正向电流 -
5.0
安培
肖特基势垒整流器器
特点
金属半导体结与保护环
外延建设
低正向压降
高电流能力
塑料材料进行UL认证94V- 0
适用于低电压,高频率逆变器,免费使用
续流和极性保护应用
A
DO-201AD
B
A
C
D
机械数据
案例: JEDEC DO- 201AD模压塑料
极性:颜色频带为负极
重量: 1.071克
安装位置:任意
DO-201AD
DIM 。
A
B
C
分钟。
25.4
8.50
1.20
马克斯。
-
9.50
1.30
5.00
5.60
D
在毫米波所有尺寸
最大额定值和电气特性
在25环境温度额定值,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
1
2
MBR560通MBR5200
Compact技术
MBR560通MBR5200
图。 2 ,典型正向特性
100.00
图。 1 ,典型正向电流降额曲线
10
正向电流(A )
平均正向电流( A)
7.5
10.00
5
1.00
2.5
0.10
MBR560
MBR580~MBR5100
MBR5150
MBR5200
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0.01
0.2
0.3
0.4
环境温度( )
0.5
0.6
0.7
正向电压( V)
0.8
0.9
1.0
图。 3最大非重复正向浪涌电流
150
图。 4 ,典型的反向特性
100.00
峰值正向浪涌电流( A)
120
反向漏电流(mA)
25
10.00
100
90
1.00
60
0.10
30
0
1
10
循环次数在60Hz
100
0.01
20%
40%
60%
80%
100%
百分比额定峰值反向电压( % )
图。 5 ,典型结电容
1000.0
结电容(pF )
800.0
MBR560
MBR580~MBR5100
MBR5150
600.0
MBR5200
400.0
200.0
0.0
0
1
10
反向电压( V)
100
2
2
MBR5620通MBR5200
MBR540系列
肖特基势垒整流器器
电压
特点
外延建设
·保护环片施工瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
·高电流能力和低正向压降
浪涌过载额定值为150A峰值
适用于低电压,高频率逆变器,续流,
和极性保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
0.375(9.5)
0.285(7.2)
1.0(25.4)MIN.
0.052(1.3)
0.048(1.2)
40至200伏特
当前
5安培
案例: DO - 201AD模压塑料
终端:轴向引线,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:颜色频带为负极
安装位置:任意
重量: 0.0395盎司, 1.122克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
霸岭我忒
马曦妈妈再C-UR重新NT P EAK回复已经本身武LTAG ê
马曦妈妈RMS武LTA克é
马曦妈妈D C B 罗淇,吴武LTA克é
一个已经RA GE重新CTI网络版OUTP UT C-UR重新新台币(S EE F IG UR 1 )
非众议员é钛Ti已经P EAK F RWA RD S URG式C urre NT : 8 0.3毫秒SI ngle
哈哈LF SI NE - 华已经s提高ê里MPO sedon RA TE LO广告
F RWA RD武LTA克一吨5 0.0 A(无释3 )
P EA 回复已经RS电子C-UR重新NT在镭德 DCB LO CK I纳克
武LTA克é
典型我CA升RMA升重的I站NC E(无释2 )
(无释1 )
(无释1 )
欧普ê RA TI NG UNC TI奥纳次S到岭GE特MP呃ATURE吴镭ê
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YMB OL
V
RR米
V
RMS
V
DC
I
F( AV)
I
F S M
V
F
I
R
R
θJ
A
R
θJ
L
R
θ
JC
T
J
,T
s TG
1.0(25.4)MIN.
机械数据
0.210(5.3)
0.188(4.8)
M B R54 0
MB R5 4 5 MB R55 0 MB R5 60 MB R5 8 0 MB R5 90 MB R5 1 00 MB R5 1 5 0 MB R5 2 0 0
单位
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
5 .0
150
90
63
90
1 00
70
1 00
150
105
150
200
1 40
200
0 .7 0
0 .7 4
0 .0 5
10
50
15
12
0 .8 0
0.9
V
mA
O
C / W
5 -5至+15 0
- 6 5 1 5 0
O
C
注意事项:
1.测得的环境温度,从所述壳体的距离9.5毫米
2.最小焊盘面积
3.脉冲测试: 300μS脉冲宽度, 1 %的占空比
八月17,2010 - REV.01
PAGE 。 1
MBR540系列
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
150
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)T
J
= T
J(下最大)
120
5.0
4.0
3.0
2.0
0.375" 9.5mmLEADLENGHTS
RESISTIVEORINDUCTIVELOAD
90
60
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
O
30
140
160
180
0
1
10
100
焊接温度,C
NO 。 CYCLE AT 60H的
Z
图2 - 最大不重复浪涌
当前
瞬时反向电流,毫安
3000
T
J
= 25
o
C
C
J
,总电容(P F)
1000
10
0.1
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
八月17,2010 - REV.01
PAGE 。 2
MBR5150通MBR5200
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AC
A
C( TAB )
A
C
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.580
0.560 0.650
0.380 0.420
0.139 0.161
2.300 0.420
0.100 0.135
0.045 0.070
-
0.250
0.025 0.035
0.190 0.210
0.140 0.190
0.015 0.022
0.080 0.115
0.025 0.055
横行
分钟。
马克斯。
12.70 14.73
14.23 16.51
9.66 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.42
1.15
1.77
-
6.35
0.64
0.89
4.83
5.33
3.56
4.82
0.38
0.56
2.04
2.49
0.64
1.39
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
150
200
V
RMS
V
105
140
V
DC
V
150
200
MBR5150
MBR5200
符号
I
(AV)
I
FSM
dv / dt的
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=120
o
C
最大额定值
5
120
10000
o
I
F
= 5A @T
J
=25 C
o
I
F
= 5A @T
J
=125 C
I
F
= 10A @T
J
=25
o
C
I
F
= 10A @T
J
=125
o
C
单位
A
A
V /美
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
变化的电压率(额定V
R
)
最大正向
电压(注1 )
V
F
0.95
-
0.95
0.80
0.05
15
4.5
-55到+150
-55到+150
o
V
I
R
R
OJC
T
J
T
英镑
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻(注2 )
工作温度范围
存储温度范围
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
mA
C / W
o
o
C
C
注: 1。 300US脉冲宽度,占空比2 % 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 220AC模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量0.08盎司, 2.24克
*安装位置:任意
MBR5150通MBR5200
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
100
70
10,000
I
F( AV )
,平均正向电流(安培)
50
T
J
=150
1,000
T
J
=150
I
R
,反向电流(
u
A)
T
J
=125
100
20
T
J
=100
10
T
J
=125
10
7
5
T
J
=100
1
T
J
=25
2
0.1
T
J
=25
1
0.2
VF
0.01
0.4
0.6
0.8
1
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
,瞬时电压(伏)
V
R
,反向电流(伏)
图1.典型正向电压(每腿)
图2.典型的反向电流(每腿)
P
F( AV )
,平均功耗(瓦)
T
J
=125
36
32
28
10
WAVE
I
F( AV )
,平均功率电流(安培)
40
额定电压
R
th
JC
=2 /W
10
dc
24
20
16
12
8
4
0
0
5
10
15
20
25
30
35
I
PK
=20
I
AV
WAVE
5
0
90
100
110
120
130
140
150
160
I
F( AV )
,平均正向电流(安培)
T
C
,外壳温度
图3.前向功率耗散
图4.正向电流降额,案例
I
F( AV )
,平均正向电流(安培)
10
额定电压
R
th
JA
=16 /W
8
500
T
J
=25
400
C,电容(
p
F)
6
300
4
200
2
100
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
5
10
20
50
70
100
T
A
,环境温度
V
R
,反向电压(伏)
图5.电流降额,环境
图6.典型电容(每腿)
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
MBR5200

特点
低开关噪声
低正向压降
高电流能力
高浪涌电流能力
5安培肖特基
垒整流器器
200伏
DO-201AD
最大额定值
工作温度: -50 ° C至+ 150°C
存储温度: -50 ° C至+ 150°C
MCC
目录
设备
记号
MBR5200
MBR5200
最大
复发
PEAK
反向
电压
200V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
200V
D
140V
A
阴极
标志
B
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
I
F( AV )
I
FSM
5.0A
120A
T
A
= 85°C
8.3ms的,半正弦
D
C
V
F
1.0V
I
FM
= 5.0A;
T
A
= 25°C*
暗淡
A
B
C
D
英寸
.287
.189
.048
1.000
尺寸
MM
7.30
4.80
1.20
25.40
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
I
R
0.1mA
T
A
= 25°C
最大
.374
.208
.052
---
最大
9.50
5.30
1.30
---
*脉冲测试:脉冲宽度300
微秒,
占空比2 %
www.mccsemi.com
修订: 3
2003/04/30
MBR5200
图1
典型的正向特性
20
10
6
4
2
安培
1
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
.2
.4
.6
瞬时正向电流 - 安培
正向电压 - 伏特
.8
1.0
1.2
.02
.01
.006
.00
4
.002
.001
20
50
75
25°C
10
6
4
2
1
.6
.4
.2
T
J
=25°C
μAMPS
.1
.06
.04
MCC
微型商业组件
图2
典型的反向特性
TM
100
125 150
175
科幻gure 3
远期降额曲线
6
瞬时反向漏电流 - 微安
%的额定峰值反向电压 - 伏特
5
150
4
图4
最大非重复正向浪涌电流
125
3
安培
2
安培
1
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
0
50
75
100
°C
平均正向整流电流 - 安培
环境温度 -
°C
125
150
175
25
5
0
100
75
50
1
2
4
6
8 10 20
周期
40
60 80 100
峰值正向浪涌电流 - 安培
周期在60Hz数 - 周期
www.mccsemi.com
修订: 3
2003/04/30
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数量
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单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MBR5200
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800888908 复制
    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    MBR5200
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2290748171 复制
电话:83682693
联系人:关先生
地址:深圳市福田区赛格广场57楼5704
MBR5200
SUNMATE
2018
66778
DO-201AD
品质保证★免费送样★售后无忧★可开发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
MBR5200
PEC/PANJIT
20+
3721
ROHSDO-201ADSCHOTT
真实库存只做原装
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
MBR5200
PEC/PANJIT
1922+
9852
ROHSDO-201ADSCHOTTKY
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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电话:0755-18503085056
联系人:郑小姐
地址:深圳市龙华新区民治丰泽湖山庄15栋
MBR5200
PANJIT
20+
32000
DO-201AD
全新原装正品,详询18503085056/VX同号
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:153461020 复制

电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
MBR5200
PANJIT
20+
1700
DO-201AD
代理商,PANJIT百分百原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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PANJIT原厂
1926+
35268
DO-201
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联系人:王小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室(亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
MBR5200
ON
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联系人:销售部
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MBR5200
PANJIT/强茂
2024
20918
DO-201AD
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
MBR5200
PANJIT/强茂
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DO-201
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MBR5200
ON
21+
19200
DO-201
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