MBR40H35PT通MBR40H60PT
新产品
威世半导体
原通用半导体
反向电压
35到60伏
正向电流
40 A
双肖特基整流器
特点
TO- 247AD （TO- 3P）
0.245 (6.2)
0.225 (5.7)
0.645 (16.4)
0.625 (15.9)
0.323 (8.2)
0.313 (7.9)
0.203 (5.16)
0.193 (4.90)
0.078 REF
(1.98)
10
°
30
0.170
(4.3)
0.840 (21.3)
0.820 (20.8)
0.142 (3.6)
0.138 (3.5)
10 TYP 。
两旁
1
2
3
0.086 (2.18)
0.076 (1.93)
1 REF 。
两
双方
0.118 (3.0)
0.108 (2.7)
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V- 0
双整流器建设，正中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
高浪涌能力
低正向压降，低功耗
和高效率
适用于低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
额定反向浪涌和静电放电
175°C最高工作结温
机械数据
案例：
JEDEC TO- 247AD模压塑体
终端：
每铅焊MIL -STD -750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.17 “ （4.3毫米）从壳体
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
10英寸磅最大。
重量：
0.2盎司， 5.6克
0.127 (3.22)
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.795 (20.2)
0.775 (19.6)
0.117 (2.97)
销1
3脚
销2
例
0.030 (0.76)
0.020 (0.51)
0.225 (5.7)
0.205 (5.2)
0.048 (1.22)
0.044 (1.12)
最大额定值&热特性
参数
最大重复峰值反向电压
最大工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
（参见图1）
每腿重复峰值正向电流在T
C
= 155 °C
（额定V
R
，方波， 20 KH
Z
)
每腿非重复性雪崩能量
在25
°C,
I
AS
= 4 A，L = 10毫亨
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流
(1)
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
MBR40H35PT MBR40H45PT MBR40H50PT MBR40H60PT
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FRM
E
AS
I
FSM
I
RRM
E
RSM
V
C
R
θJC
dv / dt的
T
J
T
英镑
2.0
30
25
1.2
10,000
- 65 +175
- 65 +175
35
35
35
45
45
45
40
40
80
400
1.0
25
50
50
50
60
60
60
单位
V
V
V
A
A
mJ
A
A
mJ
kV
° C / W
V / μs的
°C
°C
峰值不重复反向能源（ 8/20微秒波形）
静电放电电容电压
人体模型： C = 100 pF的， R = 1.5 kΩ的
从结点到外壳每腿热阻
变化的（额定V电压率
R
)
工作结温范围
存储温度范围
文档编号88794
4-Feb-03
www.vishay.com
1
MBR40H35PT通MBR40H60PT
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(2)
at
at
at
at
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
20
20
40
40
A
A
A
A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
=125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
=125°C
符号
MBR40H35PT ， MBR40H45PT MBR40H50PT ， MBR40H60PT
典型值
–
0.49
–
0.62
–
9.0
最大
0.63
0.55
0.73
0.66
150
25
典型值
–
0.56
–
0.68
–
6.0
最大
0.69
0.60
0.83
0.72
150
25
单位
V
F
V
A
mA
最大瞬时反向电流
每腿额定阻断电压DC
(2)
I
R
注意事项：
(1) 2.0
s
脉冲宽度中，f = 1.0的KH
Z
（ 2 ）脉冲测试： 300
s
脉冲宽度， 1 ％的占空比
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2
文档编号88794
4-Feb-03
MBR40H35PT通MBR40H60PT
新产品
威世半导体
原通用半导体
反向电压
35到60伏
正向电流
40 A
双肖特基整流器
特点
TO- 247AD （TO- 3P）
0.245 (6.2)
0.225 (5.7)
0.645 (16.4)
0.625 (15.9)
0.323 (8.2)
0.313 (7.9)
0.203 (5.16)
0.193 (4.90)
0.078 REF
(1.98)
10
°
30
0.170
(4.3)
0.840 (21.3)
0.820 (20.8)
0.142 (3.6)
0.138 (3.5)
10 TYP 。
两旁
1
2
3
0.086 (2.18)
0.076 (1.93)
1 REF 。
两
双方
0.118 (3.0)
0.108 (2.7)
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V- 0
双整流器建设，正中心抽头
金属硅交界处，多数载流子传导
高浪涌能力
低正向压降，低功耗
和高效率
适用于低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
额定反向浪涌和静电放电
175°C最高工作结温
机械数据
案例：
JEDEC TO- 247AD模压塑体
终端：
每铅焊MIL -STD -750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.17 “ （4.3毫米）从壳体
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
10英寸磅最大。
重量：
0.2盎司， 5.6克
0.127 (3.22)
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.795 (20.2)
0.775 (19.6)
0.117 (2.97)
销1
3脚
销2
例
0.030 (0.76)
0.020 (0.51)
0.225 (5.7)
0.205 (5.2)
0.048 (1.22)
0.044 (1.12)
最大额定值&热特性
参数
最大重复峰值反向电压
最大工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
（参见图1）
每腿重复峰值正向电流在T
C
= 155 °C
（额定V
R
，方波， 20 KH
Z
)
每腿非重复性雪崩能量
在25
°C,
I
AS
= 4 A，L = 10毫亨
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流
(1)
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
MBR40H35PT MBR40H45PT MBR40H50PT MBR40H60PT
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FRM
E
AS
I
FSM
I
RRM
E
RSM
V
C
R
θJC
dv / dt的
T
J
T
英镑
2.0
30
25
1.2
10,000
- 65 +175
- 65 +175
35
35
35
45
45
45
40
40
80
400
1.0
25
50
50
50
60
60
60
单位
V
V
V
A
A
mJ
A
A
mJ
kV
° C / W
V / μs的
°C
°C
峰值不重复反向能源（ 8/20微秒波形）
静电放电电容电压
人体模型： C = 100 pF的， R = 1.5 kΩ的
从结点到外壳每腿热阻
变化的（额定V电压率
R
)
工作结温范围
存储温度范围
文档编号88794
4-Feb-03
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1
MBR40H35PT通MBR40H60PT
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
每腿正向电压
(2)
at
at
at
at
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
20
20
40
40
A
A
A
A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
=125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
=125°C
符号
MBR40H35PT ， MBR40H45PT MBR40H50PT ， MBR40H60PT
典型值
–
0.49
–
0.62
–
9.0
最大
0.63
0.55
0.73
0.66
150
25
典型值
–
0.56
–
0.68
–
6.0
最大
0.69
0.60
0.83
0.72
150
25
单位
V
F
V
A
mA
最大瞬时反向电流
每腿额定阻断电压DC
(2)
I
R
注意事项：
(1) 2.0
s
脉冲宽度中，f = 1.0的KH
Z
（ 2 ）脉冲测试： 300
s
脉冲宽度， 1 ％的占空比
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文档编号88794
4-Feb-03
新产品
MBR40H35PT通MBR40H60PT
威世通用半导体
双共阴极肖特基整流器
高阻隔技术改进高温性能
特点
Guardring过电压保护
更低的功率损耗，效率高
低正向压降
高正向浪涌能力
3
2
1
??高频工作
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
适用于低电压，高频整流用
开关模式电源，续流二极管，
直流 - 直流转换器或极性保护应用程序。
TO- 247AD （TO- 3P）
销1
3脚
销2
例
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
40 A
35 V至60 V
400 A
0.55 V, 0.60 V
175 °C
机械数据
案例：
TO- 247AD （TO- 3P）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流（图1）
每个二极管非重复性雪崩能量
在25℃下，我
AS
= 4 A，L = 10毫亨
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加每个二极管的额定载荷
每个二极管的反向重复峰值浪涌电流
(1)
峰值不重复反向能源（ 8/20微秒波形）
静电放电电容电压人体
型号： C = 100 pF的， R = 1.5 kΩ的
变化的（额定V电压率
R
)
工作结温范围
存储温度范围
注意：
（1） 2.0微秒的脉冲宽度中，f = 1.0千赫
文档编号： 88794
修订： 19 08年5月
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PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
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1
SYMBOL MBR40H35PT MBR40H45PT MBR40H50PT MBR40H60PT
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
E
AS
I
FSM
I
RRM
E
RSM
V
C
dv / dt的
T
J
T
英镑
2.0
30
25
10 000
- 65 + 175
- 65 + 175
35
35
35
45
45
45
40
80
400
1.0
25
50
50
50
60
60
60
单位
V
V
V
A
mJ
A
A
mJ
kV
V / μs的
°C
°C
新产品
MBR40H35PT通MBR40H60PT
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
符号
MBR40H35PT
MBR40H45PT
典型值。
最大正向电压
每二极管
(1)
额定V最大反向电流
R
每二极管
(2)
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
I
F
= 20 A
I
F
= 20 A
I
F
= 40 A
I
F
= 40 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
=125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
-
0.49
-
0.62
-
9.0
马克斯。
0.63
0.55
0.73
0.66
150
25
MBR40H50PT
MBR40H60PT
典型值。
-
0.56
-
0.68
-
6.0
马克斯。
0.69
0.60
0.83
0.72
150
25
单位
V
F
V
I
R
A
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
热阻，结到外壳
每二极管
符号
R
θJC
MBR40H35PT
MBR40H45PT
1.2
MBR40H50PT
MBR40H60PT
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-247AD
首选的P / N
MBR40H45PT-E3/45
单位重量（g ）
6.13
封装代码
45
基地数量
30/tube
配送方式
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
45
400
35
30
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
峰值正向浪涌电流（ A）
40
平均正向电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
（ JEDEC的方法）
300
200
100
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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文档编号： 88794
修订： 19 08年5月
新产品
MBR40H35PT通MBR40H60PT
威世通用半导体
100
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 125 °C
0.1
MBR40H35PT - MBR40H45PT
MBR40H50PT - MBR40H60PT
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
T
J
= 25 °C
结电容（pF ）
1000
100
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
100
10
T
J
= 150 °C
10
1
T
J
= 125 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
100
瞬时反向漏
电流（mA ）
0.1
MBR40H35PT - MBR40H45PT
MBR40H50PT - MBR40H60PT
1
0.01
0.001
T
J
= 25 °C
0.0001
0
20
40
60
80
0.1
0.01
0.1
1
10
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO- 247AD （TO- 3P）
0.245 (6.2)
0.225 (5.7)
0.645 (16.4)
0.625 (15.9)
0.323 (8.2)
0.313 (7.9)
0.203 (5.16)
0.193 (4.90)
30°
0.170
(4.3)
0.840 (21.3)
0.820 (20.8)
0.142 (3.6)
0.138 (3.5)
10 °典型值。
两旁
0.078 （ 1.98 ） REF 。
10
1
2
3
0.086 (2.18)
0.076 (1.93)
0.127 (3.22)
0.118 (3.0)
0.108 (2.7)
1 ° REF 。
两旁
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.795 (20.2)
0.775 (19.6)
0.117 (2.97)
0.225 (5.7)
0.205 (5.2)
销1
3脚
0.048 (1.22)
0.044 (1.12)
0.030 (0.76)
0.020 (0.51)
销2
例
文档编号： 88794
修订： 19 08年5月
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文档编号： 91000
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